一种纳米线发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术提出一种纳米线发光器件及其制备方法，将至少包含一个发光区的纳米线集成于

【技术实现步骤摘要】
一种纳米线发光器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体发光器件，尤其涉及一种纳米线发光器件及其制备方法，尤其是一种集成在
CMOS
器件上的纳米线发光器件
。

技术介绍

[0002]针对显示设备，
Micro
‑
LED
具有高解析度
、
低功耗
、
高亮度
、
高对比
、
高色彩饱和度
、
反应速度快
、
厚度薄
、
寿命长等特性，功率消耗量可低至
LCD
的
10
％
、OLED
的
50
％，是业界期待的下一代显示技术
。
实现
Micro
‑
LED
的产业化离不开
CMOS
硅基集成技术，目前超过
90
％的集成电路芯片均使用
CMOS
工艺制程技术
。
[0003]CMOS(Compl本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种纳米线发光器件，其特征在于，所述纳米线集成生长于
CMOS
器件有源区之上；所述
CMOS
器件基底为
Si(100)
衬底；纳米线至少包含一个发光区
。2.
根据权利要求1所述的纳米线发光器件，其特征在于，所述
CMOS
器件包含两个以上
Si(100)MOS
器件，至少一个
MOS
为一个独立控制单元
。3.
根据权利要求2所述的纳米线发光器件，其特征在于，所述
CMOS
器件包含两个以上
Si(100)MOS
器件，且
MOS
的有源区生长有单根或多根纳米线
。4.
根据权利要求1所述的纳米线发光器件，其特征在于，所述纳米线与
Si(100)
衬底为异质材料
。5.
根据权利要求1所述的纳米线发光器件，其特征在于，所述纳米线至少包括两个载流子辐射复合发光区，发光区沿所述纳米线径向...

【专利技术属性】
技术研发人员：程志渊，张林君，查超飞，张运炎，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：