半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法
。

技术介绍

[0002]具有屏蔽栅沟槽
(Shield Gate Trench
，简称
SGT)
的功率器件能够同时实现低导通电阻和低反向恢复电容，从而同时降低了系统的导通损耗和开关损耗，提高了系统使用效率
。SGT
器件的栅极结构包括屏蔽栅极
(
又称为源多晶硅或屏蔽多晶硅
)
和控制栅极
(
又称为多晶硅栅
)
，二者都形成于沟槽中，栅间氧化层位于屏蔽栅极和控制栅极之间
。
在
SGT
器件制备工艺中，需要对沟槽内的氧化物层进行回刻蚀
。
[0003]附图1所示是现有技术中一种腐蚀沟槽内氧化物层的方法的步骤示意图，包括如下步骤：步骤
S11
，提供一衬底，所述衬底内具有沟槽，所述沟槽内壁覆盖有场氧化层，所述衬底表面覆盖有层叠的氧化物层与氮化硅层；步骤
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底内具有沟槽，所述沟槽内壁覆盖有场氧化层，所述衬底表面覆盖有堆叠层，所述堆叠层中至少一层的材料与所述场氧化层的材料相同；腐蚀所述堆叠层至暴露出所述沟槽外沿的所述衬底表面；形成包裹剩余的所述堆叠层的腐蚀阻挡层；以所述腐蚀阻挡层为遮挡，腐蚀所述沟槽内壁的所述场氧化层至第一目标高度
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠层包括覆盖所述衬底表面的第一氧化物层
、
覆盖所述第一氧化物层的第一氮化物层
、
和覆盖所述第一氮化物层的第二氧化物层，所述第一氧化物层以及所述第二氧化物层与所述场氧化层的材料相同
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述的腐蚀所述堆叠层的步骤进一步包括：侧向腐蚀所述第一氮化物层至所述沟槽外沿的第一氮化物层之间的距离展宽至目标宽度；侧向腐蚀所述第一氧化物层与所述第二氧化物层至暴露出所述沟槽外沿的所述衬底表面
。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腐蚀阻挡层的材料为光刻胶
。5.
根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的形成包裹剩余的所述堆叠层的腐蚀阻挡层的步骤进一步包括：形成覆盖剩...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁倪萍，李杰，刘龙平，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：