基于制造技术

本发明专利技术实施例提供一种基于

【技术实现步骤摘要】
基于MCU的磁传感芯片测试装置及测试方法


[0001]本专利技术涉及磁传感芯片测试
，具体地涉及一种基于
MCU
的磁传感芯片测试装置及一种基于
MCU
的磁传感芯片测试方法
。

技术介绍

[0002]磁传感芯片在实际使用中所处的环境条件比较复杂，会受到各个方向的强磁干扰，不同方向的磁干扰均需检测
。
在应用中突然发生外界磁场干扰，如何保证磁传感芯片各个方向的灵敏度是至关重要的
。
[0003]目前，磁传感芯片通过磁铁或者亥姆霍兹线圈施加磁场激励，配套数字万用表或示波器测试磁传感芯片输出状态，通过高斯计检测当前磁场强度进而完成磁传感芯片的工作点和释放点的磁特性检测
。
[0004]然而，现有的磁传感芯片测试装置，体积庞大
、
组件结构复杂，且测试效率不高
。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例的目的是提供一种基于
MCU
的磁传感芯片测试装置，所述装置，能够实现同时测试多颗被测磁传感芯片的多个不同方向的工作点和释放点，有效的提高了测试效率
。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术实施例提供一种基于
MCU
的磁传感芯片测试装置，所述装置包括：
MCU
单元，以及与
MCU
单元连接的被测芯片多方向单元
、
芯片电源单元
、
控制单元和测量单元；
[0007]所述被测芯片多方向单元用于固定第一预设数量的被测磁传感芯片，以及为所述被测磁传感芯片提供不同的测试方向；
[0008]所述芯片电源单元用于为所述被测磁传感芯片提供可调节电压；
[0009]所述控制单元用于根据
MCU
单元的测试控制指令控制测试时的磁场强度及磁场方向；
[0010]所述测量单元用于在测试过程中测量预设工作电压下被测磁传感芯片在不同磁场强度及不同磁场方向下的测量数据；其中，所述测量数据包括：实际测量工作点和实际测量释放点；
[0011]所述
MCU
单元用于根据预设测试参数和所述测量数据，确定每一被测磁传感芯片在不同磁场强度及不同磁场方向下的检测结果
。
[0012]可选的，所述装置还包括：参数设置单元；所述参数设置单元用于设置测试参数；其中，所述测试参数包括：工作点
、
释放点
、
工作电压
、
磁场增大步进
、
磁场减小步进和步进角度
。
[0013]可选的，所述装置还包括：输出单元和显示单元；所述输出单元用于将检测结果输出至显示单元；所述显示单元用于显示参数设置单元当前设置的测试参数，以及用于根据预设规则显示所述检测结果
。
[0014]可选的，所述被测芯片多方向单元包括三个互相垂直的
PCB
板；每个
PCB
板上均能够固定第二预设数量的被测磁传感芯片
。
[0015]可选的，所述测量单元包括：芯片输出电平采集电路；所述芯片输出电平采集电路一端与所述被测磁传感芯片连接，另一端与数字万用表连接；所述芯片输出电平采集电路还与
MCU
单元连接；所述
MCU
单元分别与数字万用表和高斯计连接
。
[0016]可选的，所述测量单元还包括：电流测量通道控制电路和电阻测量通道控制电路；
[0017]所述电流测量通道控制电路的一端通过多路模拟开关与所述被测磁传感芯片连接，另一端与数字万用表连接；所述电流测量通道控制电路还与
MCU
单元连接；
[0018]所述电阻测量通道控制电路的一端通过多路模拟开关与所述被测磁传感芯片连接，另一端与数字万用表连接；所述电阻测量通道控制电路还与
MCU
单元连接
。
[0019]可选的，所述控制单元包括：磁场激励控制模块；所述磁场激励控制模块与亥姆霍兹线圈连接，用于以预先设置的磁场增大步进或磁场减小步进，控制测试时被测磁传感芯片所处的磁场强度
。
[0020]可选的，所述控制单元还包括：角度控制模块；所述角度控制模块与步进电机连接，用于以预先设置的步进角度，控制测试时被测磁传感芯片所处的磁场方向
。
[0021]另一方面，本专利技术提供一种基于
MCU
的磁传感芯片测试方法，应用于所述的基于
MCU
的磁传感芯片测试装置，所述测试方法包括以下步骤：
[0022]步骤
1)
将第一预设数量的被测磁传感芯片固定于被测芯片多方向单元；
[0023]步骤
2)
控制芯片电源单元达到预设工作电压；
[0024]步骤
3)
根据
MCU
单元的测试控制指令对被测磁传感芯片进行测试，在测试过程中，控制被测磁传感芯片测试时的磁场强度及磁场方向，并获取每一被测磁传感芯片在不同磁场强度及不同磁场方向下的测量数据；其中，所述测量数据包括：实际测量工作点和实际测量释放点；
[0025]步骤
4)MCU
单元根据预设测试参数和所述测量数据，确定每一被测磁传感芯片在不同磁场强度及不同磁场方向下的检测结果
。
[0026]可选的，在步骤
1)
之前，还包括：设置测试参数，所述测试参数包括：工作点
、
释放点
、
工作电压
、
磁场增大步进
、
磁场减小步进和步进角度
。
[0027]可选的，步骤
3)
还包括：在预设工作电压下测试每一被测磁传感芯片的工作电流
。
[0028]可选的，在步骤
3)
中，控制被测磁传感芯片测试时的磁场强度及磁场方向，包括：
[0029]以预先设置的磁场增大步进或磁场减小步进，改变被测磁传感芯片所处的磁场强度；
[0030]以预先设置的步进角度转动步进电机，改变被测磁传感芯片的测试角度
。
[0031]与现有技术相比，本专利技术的上述技术方案具有如下有益效果：
[0032]本申请提供一种基于
MCU
的磁传感芯片测试装置，所述装置通过被测芯片多方向单元固定多颗被测磁传感芯片，增加了被测磁传感芯片的样本数量，能够为多颗被测磁传感芯片提供不同的测试方向，实现了磁传感芯片的多个不同方向的同时测试，减少了改变磁传感芯片方向的次数以及变换线圈方向的次数，同时减少了测试组件体积，提高了测试的效率和对磁传感芯片性能评估的完整性
。
[0033]本专利技术实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明
。
附图说明
[0034]附图是用来提供对本专利技术实施例的进一步理解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于
MCU
的磁传感芯片测试装置，其特征在于，所述装置包括：
MCU
单元，以及与
MCU
单元连接的被测芯片多方向单元
、
芯片电源单元
、
控制单元和测量单元；所述被测芯片多方向单元用于固定第一预设数量的被测磁传感芯片，以及为所述被测磁传感芯片提供不同的测试方向；所述芯片电源单元用于为所述被测磁传感芯片提供可调节电压；所述控制单元用于根据
MCU
单元的测试控制指令控制测试时的磁场强度及磁场方向；所述测量单元用于在测试过程中测量预设工作电压下被测磁传感芯片在不同磁场强度及不同磁场方向下的测量数据；其中，所述测量数据包括：实际测量工作点和实际测量释放点；所述
MCU
单元用于根据预设测试参数和所述测量数据，确定每一被测磁传感芯片在不同磁场强度及不同磁场方向下的检测结果
。2.
根据权利要求1所述的基于
MCU
的磁传感芯片测试装置，其特征在于，所述装置还包括：参数设置单元；所述参数设置单元用于设置测试参数；其中，所述测试参数包括：工作点
、
释放点
、
工作电压
、
磁场增大步进
、
磁场减小步进和步进角度
。3.
根据权利要求2所述的基于
MCU
的磁传感芯片测试装置，其特征在于，所述装置还包括：输出单元和显示单元；所述输出单元用于将检测结果输出至显示单元；所述显示单元用于显示参数设置单元当前设置的测试参数，以及用于根据预设规则显示所述检测结果
。4.
根据权利要求1所述的基于
MCU
的磁传感芯片测试装置，其特征在于，所述被测芯片多方向单元包括三个互相垂直的
PCB
板；每个
PCB
板上均能够固定第二预设数量的被测磁传感芯片
。5.
根据权利要求4所述的基于
MCU
的磁传感芯片测试装置，其特征在于，所述测量单元包括：芯片输出电平采集电路；所述芯片输出电平采集电路一端与所述被测磁传感芯片连接，另一端与数字万用表连接；所述芯片输出电平采集电路还与
MCU
单元连接；所述
MCU
单元分别与数字万用表和高斯计连接
。6.
根据权利要求5所述的基于
MCU
的磁传感芯片测试装置，其特征在于，所述测量单元还包括：电流测量通道控制电路和电阻测量通道控制电路；所述电流测量通道控制电路的一端通过多路模拟开关与所述被测磁传感芯片连接，另一端与数字万用表连接；所述电流测量通道控制电路还与
MCU
单元连接；所述电阻测量通...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛长胜，解卫华，姜帆，白雪松，付利莉，王祥，王文赫，杜君，孙韬，丁娴，聂睿，王海宝，
申请(专利权)人：北京智芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：