【技术实现步骤摘要】
一种去除单晶硅棒表面氮化硅的方法
[0001]本专利技术涉及单晶硅棒表面氮化硅去除
，具体为一种去除单晶硅棒表面氮化硅的方法
。
技术介绍
[0002]母合金作为一种掺杂剂，目前广泛用于太阳能拉晶过程中做掺杂剂用
。
由于是掺杂剂，对其洁净度的要求很高，表面不能有任何沾污及杂质出现
。
目前母合金清洗，为了去除表面杂质，只是单纯的用氢氟酸和硝酸的混合液进行清洗，但是在拉晶的过程中会在硅棒表面形成一种氧化物，被称为氮化硅，用氢氟酸和硝酸配比成的混合液是很难去除掉硅棒表面的氮化硅的
。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的就是为了弥补现有技术的不足，提供了一种去除单晶硅棒表面氮化硅的方法，旨在去除单晶硅棒表面的氮化硅，以提升母合金清洗质量，保证母合金洁净度
。
[0004]本专利技术为解决上述技术问题，提供如下技术方案：
[0005]步骤一
、
取
900
‑
1000
克的氢氧化钠...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种去除单晶硅棒表面氮化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一
、
取
900
‑
1000
克的氢氧化钠溶解于
10000
毫升纯水中；步骤二
、
将母合金硅片放置于步骤一得到的氢氧化钠溶液中浸泡5‑
10
分钟后取出冲洗干净；步骤三
、
将步骤二冲洗干净的母合金硅片用氢氟酸：硝酸＝
1:(8
‑
10)
的混合液进行正常清洗5‑8分钟后取出，纯水冲洗干净
。...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝燕玲，董长海，陈娟，孟成，武斌，刘天佑，尹闻越，
申请(专利权)人：宁夏中晶半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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