半导体结构及其形成方法技术

本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括多个间隔排布的有源柱；刻蚀所述有源柱，形成环形凹槽；所述环形凹槽未暴露出所述有源柱的顶表面和底表面；在所述环形凹槽中形成第一半导体层，以形成所述半导体结构；其中，所述第一半导体层的禁带宽度小于所述有源柱的禁带宽度

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本公开涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体结构及其形成方法
。

技术介绍

[0002]动态随机存储器
(Dynamic Random Access Memory
，
DRAM)
是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成
。
每一个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的源极通过存储节点接触和着陆焊盘与电容器连接，进而实现读取存储在电容器中的数据信息，或者，将数据信息写入电容器中进行存储
。
[0003]当前，多采用
6F2的排布方式和掩埋字线工艺来制作
DRAM
，然而，在这种工艺下
DRAM
的微缩变得十分困难，也有通过使用新材料来改善
DRAM
的性能，然而，这无疑提高了
DRAM
的工艺复杂度和制造成本
。
基于此，相关技术中，亦有采用垂直晶体管制作
4F2排布的
DRAM
，然而，垂直晶体管的沟道中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括多个间隔排布的有源柱；刻蚀所述有源柱，形成环形凹槽；所述环形凹槽未暴露出所述有源柱的顶表面和底表面；在所述环形凹槽中形成第一半导体层，以形成所述半导体结构；其中，所述第一半导体层的禁带宽度小于所述有源柱的禁带宽度
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述环形凹槽中形成第一半导体层，以形成所述半导体结构，包括：对所述第一半导体层进行表面处理，形成第二半导体层；在所述第二半导体层的表面形成位线金属层，以形成位线结构
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述有源柱，形成环形凹槽，包括：在所述半导体衬底的表面形成隔离层；在部分所述隔离层的表面形成覆盖部分所述有源柱的第一牺牲层；在所述隔离层
、
所述第一牺牲层和所述有源柱的表面形成第二牺牲层；去除所述第一牺牲层，形成第一凹槽；通过所述第一凹槽，刻蚀部分所述有源柱，形成所述环形凹槽
。4.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层与所述有源柱之间的刻蚀选择比大于所述第二牺牲层与所述有源柱之间的刻蚀选择比
。5.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成所述第一半导体层之后，且在形成所述第二半导体层之前，所述方法还包括：去除所述第二牺牲层
。6.
根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述第一半导体层进行表面处理，形成所述第二半导体层，包括：在所述第一半导体层表面淀积金属材料，形成金属层；对所述金属层和所述第一半导体层进行退火处理，形成所述第二半导体层
。7.
根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，在形成所述第一半导体层之前，所述方法还包括：对位于所述环形凹槽中间的
、
未被刻蚀的部分有源柱进行第一重掺杂，形成第一重掺杂区
。8.
根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：形成全环栅结构
、
存储节点接触和电容结构
。9.
根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述全环栅结构通过以下步骤形成：在所述位线结构之间的空隙
、
以及所述位线金属层的表面形成覆盖部分所述有源柱的第一绝缘层；在所述第一绝缘层的表面依次形成覆盖部分有源柱的栅极氧化层和栅极金属层，以形成所述全环栅结构
。10.
根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述全环栅结构以后，所述方法还包括：
在所述全环栅结构之间的空隙
、
所述栅极氧化层的表面
、
以及所述栅极金属层的表面形成覆盖部分所述有源柱的第二绝缘层
。11.
根据权利要求
10
所述的方法，其特征在于，所述存储节点接触通过以下步骤形成：刻蚀所述有源柱，形成第二凹槽和环形柱，所述第二凹槽的底表面与所述第二绝缘层的顶表面平齐；对所述环形柱进行第二重掺杂，形成所述存储节点接触
。12.
根据权利要求
11
所述的方法，其特征在于，所述第一重掺杂与所述第二重掺杂的掺杂类型相反
。13.
根据权利要求
11
或...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐怡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：