一种硅光子学系统中运用应变氮化硅的相位调变器技术方案

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种硅光子学系统中运用应变氮化硅的相位调变器，包括集成光路，集成光路上具有硅片；在集成光路上以半导体制程技术，在硅片上设置二氧化硅层；在集成光路上以半导体制程技术，在硅氧化层上以磊晶制程设置

【技术实现步骤摘要】
一种硅光子学系统中运用应变氮化硅的相位调变器


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种硅光子学系统中运用应变氮化硅的相位调变器
。

技术介绍

[0002]硅光子，即
SiPH
，是藉由半导体制程所设计与制造，包含了整合集成电路
(EIC)
部份与集成光路
(PIC)
部份
。
是新世代微波通讯及巨型资料中心及
AI
高速运算的必要要件
。
在硅光子的器件中，其中的电光调变器是由在硅波导中通过驱动电压来改变光学折射率和吸收系数来调制相位和振幅
。
[0003]而等离子体色散效应多用于高速硅调变器，等离子体色散诱导的折射率变化效应如公式
①
：
∆
n=
‑
(e2λ2/8
π2c2ε0n)[
∆
N
e
/m*
ce
+
∆
N
h
/m*
ch/>]①
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种硅光子学系统中运用应变氮化硅的相位调变器，其特征在于，包括集成光路，集成光路上具有硅片；在集成光路上以半导体制程技术，在硅片上设置二氧化硅层；在集成光路上以半导体制程技术，在硅氧化层上以磊晶制程设置
P
型硅层；在集成光路上以半导体制程技术，在硅化锗层上设置中介绝缘层；在集成光路上以半导体制程技术，在中介绝缘层上设置应变氮化硅层；在集成光路上以半导体制程技术，在应变氮化硅层上以磊晶制程设置
N
型硅层；在集成光路上以半导体制程技术，在
N
型硅层上设置多晶硅层；其中，
P
型硅层和
N
型硅层作为光波导使用，在集成光路上，施加有偏置电压于
P
型硅层和
N
型硅层，以改变
P
型硅层和
N
型硅层的折射率
。2.
根据权利要求1所述的一种硅光子学系统中运用应变氮化硅的相位调变器，其特征在于，中介绝缘层为三明治结构，其采用氧化硅
、
氧化铝
、
氧化锆或氧化铪材料制成
。3.
根据权利要求1所述的一种硅光子学系统中运用应变氮化硅的相位调变器，其特征在于，
P<...

【专利技术属性】
技术研发人员：许晋铭，杨建荣，
申请(专利权)人：许晋铭，
类型：发明
国别省市：