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本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种硅光子学系统中运用应变氮化硅的相位调变器，包括集成光路，集成光路上具有硅片；在集成光路上以半导体制程技术，在硅片上设置二氧化硅层；在集成光路上以半导体制程技术，在硅氧化层上以磊晶制程设置
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该专利属于许晋铭所有，仅供学习研究参考，未经过许晋铭授权不得商用。

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