一种静电卡盘及半导体加工设备制造技术

本申请公开了一种静电卡盘及半导体加工设备，包括：基座

【技术实现步骤摘要】
一种静电卡盘及半导体加工设备


[0001]本申请涉及半导体加工
，更具体地说，它涉及一种静电卡盘及半导体加工设备
。

技术介绍

[0002]静电卡盘是半导体设备中的核心零部件之一，通过固定在底座上的静电力产生装置产生库仑力或迥斯热背从而用来固定和吸附晶圆
。
在半导体加工设备进行等离子体刻蚀工艺过程中，要求晶圆不同区域的温度不同，因此，需要对晶圆不同区域的温度进行控制
。
[0003]现有技术中，采用改变晶圆不同区域的气体流量或种类来实现晶圆不同区域温度的控制，但是该方法要求进气口具有独立可调的多区气体分布器，但是从气体分布器到晶圆加工表面经过扩散后这些气体流量或种类的差异也部分被减弱，从而导致最终对晶圆不同区域温度控制效果不理想
。
另外，也有通过调节电场在整个晶圆表面的分布来控制晶圆不同区域的温度，但是调节电场会造成等离子分布变化，最终导致晶圆不同区域温度控制也不理想
。
[0004]因此，目前急需一种可以对晶圆不同区域温度进行控制的静电卡盘
。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种静电卡盘及半导体加工设备，可以对晶圆不同区域温度进行控制
。
[0006]为解决上述一个或多个技术问题，本申请采用的技术方案是：
[0007]本申请提供了一种静电卡盘，包括：基座
、
帕尔贴效应发生装置以及控制器；
[0008]所述帕尔贴效应发生装置上设置有多个温控区，所述控制器用于控制所述帕尔贴效应发生装置以对所述多个温控区的温度进行分区控制；
[0009]所述帕尔贴效应发生装置设置在所述基座上，所述帕尔贴效应发生装置用于控制晶圆的温度，所述帕尔贴效应发生装置包括多个半导体制冷晶体，所述多个半导体制冷晶体设置在所述多个温控区内，同一所述温控区内的所有所述半导体制冷晶体串联，不同所述温控区内的所述半导体制冷晶体分别电控
。
[0010]进一步的，所述静电卡盘还包括静电力产生装置，所述静电力产生装置设置在所述帕尔贴效应发生装置远离所述基座的一侧，所述静电力产生装置用于吸附所述晶圆
。
[0011]进一步的，所述半导体制冷晶体包括
N
型半导体
、P
型半导体，所述
N
型半导体和所述
P
型半导体的两端分别与金属片相连且通过所述金属片串联设置
。
[0012]进一步的，所述金属片包括铜片
。
[0013]进一步的，多个所述半导体制冷晶体呈线性阵列状分布或者多个所述半导体制冷晶体呈环形阵列分布
。
[0014]进一步的，所述控制器用于控制所述
N
型半导体和所述
P
型半导体之间的电流相位和大小以对所述多个温控区的温度进行分区控制
。
[0015]进一步的，所述基座内设置有管路，所述管路内设置有循环液，所述循环液用于给所述帕尔贴效应发生装置进行热量交换
。
[0016]进一步的，所述帕尔贴效应发生装置远离所述基座的一侧设置有基板，所述基板边缘设有向所述基座延伸的遮挡环，所述基座
、
所述基板和所述遮挡环形成容纳空间，所述容纳空间用于放置所述帕尔贴效应发生装置
。
[0017]进一步的，所述静电力产生装置包括设置在所述基板中的电极
。
[0018]本申请还提供了一种半导体加工设备，所述半导体加工设备包括工艺腔室，所述工艺腔室内设置有上述的静电卡盘
。
[0019]根据本申请提供的具体实施例，本申请公开了以下技术效果：
[0020]本申请提供了一种静电卡盘及半导体加工设备，通过控制器控制帕尔贴效应发生装置，以对帕尔贴效应发生装置上设置的多个温控区的温度进行分区控制，最终实现晶圆不同区域的温度控制
。
具体的，帕尔贴效应发生装置包括多个半导体制冷晶体，多个半导体制冷晶体设置在多个温控区内，同一温控区内的所有半导体制冷晶体串联，使得同一温控区内的所有半导体制冷晶体接收的电流强度相同，进而使得同一温控区内的所有半导体制冷晶体同端具有相同的制冷或制热效果，最终使得同一温控区内的温度相同
。
不同温控区内的半导体制冷晶体分别电控，使不同温控区的半导体制冷晶体可接收不同强度的电流，进而使不同温控区的半导体制冷晶体具有不同的制冷或制热效果，使不同温控区的温度不同，即通过控制不同温控区内的电流强度，改变不同温控区的温度，最终实现晶圆不同区域的温度控制
。
[0021]当然，实施本申请的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点
。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0023]图1为本申请实施例提供的静电卡盘的整体结构示意图；
[0024]图2为本申请实施例提供的静电卡盘的部分结构示意图；
[0025]图3为本申请实施例提供的静电卡盘的剖面结构示意图
。
具体实施方式
[0026]下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围
。
[0027]如
技术介绍
所述，在半导体加工设备进行等离子体刻蚀工艺过程中，要求晶圆不同区域的温度不同，因此，需要对晶圆不同区域的温度进行控制
。
采用改变晶圆不同区域的气体流量或种类来实现晶圆不同区域温度的控制，但是该方法要求进气口具有独立可调的多区气体分布器，但是从气体分布器到晶圆加工表面经过扩散后这些气体流量或种类的差异也部分被减弱，从而导致最终对晶圆不同区域温度控制效果不理想；通过调节电场在整
个晶圆表面的分布来控制晶圆不同区域的温度，但是调节电场会造成等离子分布变化，最终导致晶圆不同区域温度控制也不理想
。
[0028]对此，本申请提供了一种静电卡盘及半导体加工设备，通过控制器控制帕尔贴效应发生装置对多个温控区的温度进行分区控制以达到对晶圆不同区域温度的控制
。
[0029]以下将通过具体实施例进行介绍
。
[0030]实施例一
[0031]针对上述问题，本申请实施例创造性地提出了一种静电卡盘，如图1所示，同时参考图2和图3，所述静电卡盘包括基座
100、
帕尔贴效应发生装置
200
以及控制器
700。
[0032]帕尔贴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种静电卡盘，其特征在于，包括：基座
、
帕尔贴效应发生装置以及控制器；所述帕尔贴效应发生装置上设置有多个温控区，所述控制器用于控制所述帕尔贴效应发生装置以对所述多个温控区的温度进行分区控制；所述帕尔贴效应发生装置设置在所述基座上，所述帕尔贴效应发生装置用于控制晶圆的温度，所述帕尔贴效应发生装置包括多个半导体制冷晶体，所述多个半导体制冷晶体设置在所述多个温控区内，同一所述温控区内的所有所述半导体制冷晶体串联，不同所述温控区内的所述半导体制冷晶体分别电控
。2.
根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述静电卡盘还包括静电力产生装置，所述静电力产生装置设置在所述帕尔贴效应发生装置远离所述基座的一侧，所述静电力产生装置用于吸附所述晶圆
。3.
根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述半导体制冷晶体包括
N
型半导体
、P
型半导体，所述
N
型半导体和所述
P
型半导体的两端分别与金属片相连且通过所述金属片串联设置
。4.
根据权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，所述金属片包括铜片
...

【专利技术属性】
技术研发人员：费珂，
申请(专利权)人：无锡宜恰高技术有限公司，
类型：发明
国别省市：