半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高成品率的半导体装置的制造方法。在肋状的半导体晶片的背面的整个面粘贴背面保护带。接着，仅在半导体晶片的外周部的背面平坦部上的背面保护带的基材层的表面形成微小的凹凸。接着，在半导体晶片的外周部，以从正面遍及到背面的方式粘贴外周保护带。通过外周保护带的粘接剂层埋入背面保护带的基材层的表面的凹凸所带来的锚固效果，提高背面保护带与外周保护带之间的紧贴性，外周保护带的紧贴性在半导体晶片的正面侧和背面侧大致相同。然后，依次进行带退火、对半导体晶片的正面电极的镀覆处理、外周保护带的剥离和背面保护带的剥离。面保护带的剥离。面保护带的剥离。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]作为电力用半导体元件的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)是将MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：具备由金属
‑
氧化膜
‑
半导体的三层结构构成的绝缘栅的MOS型场效应晶体管)和BJT(Bipolar Junction Transistor：双极结型晶体管)复合化而成的双极元件。IGBT兼具MOSFET的高速开关特性和电压驱动控制以及BJT的低导通电压特性。
[0003]作为IGBT的结构，公知有穿通(PT：Punch Through)型、非穿通(NPT：Non Punch Through)型、场截止(FS：Field Stop)型等结构。PT型IGBT使用在成为p
+
型集电区的p
+
型起始基板上使n
‑/>型漂移区等外延生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，通过镀覆处理在半导体晶片的第一主面侧形成镀覆膜，所述半导体装置的制造方法包括：第一工序，在所述半导体晶片的第一主面形成第一电极；第二工序，在所述半导体晶片的第二主面粘贴第一带，利用所述第一带覆盖所述半导体晶片的第二主面；第三工序，在所述第一带的表面形成凹凸；第四工序，在所述半导体晶片的外周部，以从所述半导体晶片的第一主面遍及到所述半导体晶片的第二主面的所述第一带上的方式粘贴第二带，利用所述第二带覆盖所述半导体晶片的侧面；第五工序，对粘贴有所述第一带和所述第二带的状态的所述半导体晶片进行加热；以及第六工序，在所述第五工序之后，通过所述镀覆处理在所述第一电极的表面形成所述镀覆膜，在所述第三工序中，在所述第一带中的、在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本孝一，田中俊介，高桥裕也，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：