铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板制造方法及图纸

涉及铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板，铜箔制造装置包括：电沉积部，利用电解液来以电镀方式电沉积铜箔；以及收卷部，收卷从电沉积部供应的铜箔，电沉积部包括：阴极鼓，利用电解液来以电镀方式电沉积电解铜箔；以及阳极部，通过电解液与阴极鼓通电，阳极部包括：阳极本体，与阴极鼓隔开；复数个阳极板，配置在阳极本体的上表面；以及复数个紧固部，使阳极板分别紧固于阳极本体，阳极板中的第一阳极板通过紧固部中的第一紧固构件与阳极本体结合，阳极板中的第二阳极板通过紧固部中的第二紧固构件与阳极本体结合，第二阳极板包括：第二遮挡构件，以遮挡第一紧固构件的方式配置在第一阳极板的上表面；以及第二结合构件，供第二紧固构件插入。固构件插入。固构件插入。

【技术实现步骤摘要】
铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板


[0001]本专利技术涉及用于制造铜箔的铜箔制造装置以及铜箔制造装置用阳极板，所述铜箔用于制造二次电池用负极、柔性印刷电路板等各种产品。

技术介绍

[0002]铜箔用于制造二次电池用负极、柔性印刷电路板(Flexible Printed Circuit Board：FPCB)等各种产品。这种铜箔通过在阳极和阴极之间供应电解液之后使电流流动的电镀方式来制造。
[0003]如上所述，在通过电镀方式制造铜箔时，使用铜箔制造装置。铜箔制造装置包括：阴极鼓，利用电解液来以电镀方式电沉积(Electrodeposition)铜箔；阳极板，通过电解液与所述阴极鼓通电；以及阳极本体，支撑所述阳极板。所述阳极板通过诸如螺钉的基底紧固构件与所述阳极本体结合。
[0004]在此，在现有技术的铜箔制造装置中，所述基底紧固构件和所述阳极板可能因组装阶梯差而与所述阳极本体结合成从所述阴极鼓隔开不同的距离。因此，在现有技术的铜箔制造装置中，由于所述基底紧固构件和所述阳极板的周围形成不同的电流密度，导致电解液中的电流密度不会均匀地形成。由此，在现有技术的铜箔制造装置中，由于电沉积到所述阴极鼓的铜箔的厚度不能均匀地形成，因而存在铜箔的品质下降的问题。

技术实现思路

[0005]专利技术所要解决的问题
[0006]本专利技术是为了解决如上所述的问题而提出的，其目的在于，提供一种能够防止由于基底紧固构件而使电流密度不均匀地形成而导致的铜箔的品质下降的铜箔制造装置。
[0007]解决问题的技术方案
[0008]为了解决如上所述的问题，本专利技术可以包括如下构成。
[0009]本专利技术可以包括：电沉积部，利用电解液来以电镀方式电沉积铜箔；以及收卷部，收卷从所述电沉积部供应的铜箔。所述电沉积部可以包括：阴极鼓，利用电解液来以电镀方式电沉积电解铜箔；以及阳极部，通过电解液与所述阴极鼓通电。所述阳极部可以包括：阳极本体，与所述阴极鼓隔开；复数个阳极板，配置在所述阳极本体的上表面；以及复数个紧固部，使所述阳极板分别紧固于所述阳极本体。所述阳极板中的第一阳极板可以通过所述紧固部中的第一紧固构件与所述阳极本体结合。所述阳极板中的第二阳极板可以通过所述紧固部中的第二紧固构件与所述阳极本体结合。所述第二阳极板可以包括：第二遮挡构件，以遮挡所述第一紧固构件的方式配置在所述第一阳极板的上表面；以及第二结合构件，供所述第二紧固构件插入。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本专利技术，能够实现如下效果。
[0012]在本专利技术中，用于将阳极板结合于阳极本体的紧固部被另一个阳极板遮挡而不直
接向外部露出。由此，本专利技术能够通过减小在阳极板周围形成的电流密度的偏差，来提高电解液中的电流密度的均匀性。因此，本专利技术能够制造具有高品质的铜箔。
附图说明
[0013]图1是本专利技术的铜箔制造装置的示意性立体图。
[0014]图2是本专利技术的铜箔制造装置中的阳极部的示意性立体图。
[0015]图3是本专利技术的铜箔制造装置中的阳极板的示意性立体图。
[0016]图4是本专利技术的铜箔制造装置中的阳极板的示意性分解立体图。
[0017]图5是以图3的I
‑
I线为基准的本专利技术的铜箔制造装置中的阳极板的示意性剖视图。
[0018]图6是图5的分解图。
[0019]图7是示出本专利技术的铜箔制造装置中的阳极板的变形的实施例的概念图。
[0020]图8是图7的分解图。
[0021]图9是示出本专利技术的铜箔制造装置中的变形的实施例的阳极板结合的状态的概念图。
[0022]图10是示出本专利技术的铜箔制造装置中的阳极板的另一变形的实施例的概念图。
[0023]图11是图10的分解图。
[0024]附图标记说明
[0025]1：铜箔制造装置
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
2：电沉积部
[0026]3：阴极鼓
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
4：阳极部
[0027]5：阳极本体
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
6：阳极板
[0028]61：第一阳极板
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
611：第一遮挡构件
[0029]6111：第一减小构件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
612：第一结合构件
[0030]6121：第二减小构件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
613：第一弯曲构件
[0031]614：第一结合槽
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
615：第一遮挡槽
[0032]616：弯曲倾斜面
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
617：遮挡倾斜面
[0033]62：第二阳极板
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
621：第二遮挡构件
[0034]622：第二结合构件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
623：第二弯曲构件
[0035]624：第二结合槽
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
625：第二遮挡槽
[0036]63：基底阳极板
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
631：第一基底构件
[0037]632：第二基底构件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
633：第一倾斜面
[0038]634：第二倾斜面
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
635：安置面
[0039]7：紧固部
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
71：第一紧固构件
[0040]72：第二紧固构件
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
73：基底紧固构件
[0041]74：紧固孔
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
8：收卷部
[0042]81：收卷辊
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
82：芯
[0043]80：搬运部
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
100：铜箔
具体实施方式
[0044]以下，参照附图详细说明本专利技术的铜箔制造装置的实施例。
[0045]参照图1，本专利技术的铜箔制造装置1是利用电镀方式来制造铜箔100的装置。本专利技术的铜箔制造装置1可以包括电沉积部2以及收卷部8。
[0046]参照图1，所述电沉积部2电沉积铜箔100。所述电沉积部2利用电解液来以电镀方式电沉积铜箔100。所述电沉积部2可以包括阴极鼓3以及阳极部4。当所述阴极鼓3和所述阳极部4通过电解液通电而使电流流动时，溶解于电解液的铜离子可以在所述阴极鼓3上还原。由此，所述电沉积部2可以在所述阴极鼓3的表面电沉积铜箔100。
[0047]所述阴极鼓3可以以旋转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜箔制造装置，其特征在于，包括：电沉积部(2)，利用电解液来以电镀方式电沉积铜箔(100)；以及收卷部(8)，收卷从所述电沉积部(2)供应的铜箔(100)，所述电沉积部(2)包括：阴极鼓(3)，利用电解液来以电镀方式电沉积电解铜箔；以及阳极部(4)，通过电解液与所述阴极鼓(3)通电，所述阳极部(4)包括：阳极本体(5)，与所述阴极鼓(3)隔开；复数个阳极板(6)，配置在所述阳极本体(5)的上表面；以及复数个紧固部(7)，使所述阳极板(6)分别紧固于所述阳极本体(5)，所述阳极板(6)中的第一阳极板(61)通过所述紧固部(7)中的第一紧固构件(71)与所述阳极本体(5)结合，所述阳极板(6)中的第二阳极板(62)通过所述紧固部(7)中的第二紧固构件(72)与所述阳极本体(5)结合，所述第二阳极板(62)包括：第二遮挡构件(621)，以遮挡所述第一紧固构件(71)的方式配置在所述第一阳极板(61)的上表面；以及第二结合构件(622)，供所述第二紧固构件(72)插入。2.根据权利要求1所述的铜箔制造装置，其特征在于，所述第一阳极板(61)包括：第一遮挡构件(611)，以与所述阳极板(6)中的基底阳极板(63)的一部分重叠的方式结合于所述阳极本体(5)；第一结合构件(612)，从所述第一遮挡构件(611)隔开配置；以及第一弯曲构件(613)，连接所述第一遮挡构件(611)和所述第一结合构件(612)，所述第一弯曲构件(613)弯曲为使所述第一遮挡构件(611)和所述第一结合构件(612)配置在不同的高度。3.根据权利要求1所述的铜箔制造装置，其特征在于，所述阳极板(6)中的基底阳极板(63)通过所述紧固部(7)中的基底紧固构件(73)与所述阳极本体(5)结合，所述第一阳极板(61)包括：第一遮挡构件(611)，以遮挡所述基底紧固构件(73)的方式配置在所述基底阳极板(63)的上表面；以及第一结合构件(612)，供所述第一紧固构件(71)插入，所述第一遮挡构件(611)遮挡所述基底紧固构件(73)。4.根据权利要求3所述的铜箔制造装置，其特征在于，所述基底阳极板(63)包括：第一基底构件(631)，从所述第一阳极板(61)隔开；以及第二基底构件(632)，与所述第一基底构件(631)连接，所述第一阳极板(61)包括：第一结合槽(614)，配置在所述第一结合构件(612)的上侧；以及第一遮挡槽(615)，配置在所述第一遮挡构件(611)的下侧，所述第一遮挡构件(611)被配置成遮挡插入到所述第一遮挡槽(615)的所述第二基底构件(632)。5.根据权利要求3所述的铜箔制造装置，其特征在于，所述第一阳极板(61)包括：第一结合槽(614)，配置在所述第一结合构件(612)的上侧；以及第一遮挡槽(615)，配置在所述第一遮挡构件(611)的下侧，
随着向从所述第二阳极板(62)朝所述第一阳极板(61)的第一方向(FD箭头方向)延伸，所述第一遮挡构件(611)的厚度均匀地形成，随着向与所述第一方向(FD箭头方向)相反的第二方向(SD箭头方向)延伸，所述第一结合构件(612)的厚度均匀地形成。6.根据权利要求1所述的铜箔制造装置，其特征在于，所述第一阳极板(61)包括配置在第一遮挡构件(611)的下侧的第一遮挡槽(615)，所述第一遮挡构件(611)包括第一减小构件(6111)，所述第一减小构件(6111)形成为随着向从所述第二阳极板(62)朝所述第一阳极板(61)的第一方向(FD箭头方向)延伸，其大小逐渐减小。7.根据权利要求6所述的铜箔制造装置，其特征在于，所述阳极板(6)包括基底阳极板(63)，所述基底阳极板(63)以所述第一阳极板(61)为基准配置在从所述第二阳极板(62)朝所述第一阳极板(61)的第一方向(FD箭头方向)侧，所述第一遮挡构件(611)包括第一减小面，所述第一减小面形成于所述第一减小构件(6111)并被配置成朝所述基底阳极板(63)，所述第一减小面倾斜地形成为随着向所述第一方向(FD箭头方向)延伸，其高度逐渐增高。8.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高秀姃，金惠媛，金东佑，
申请(专利权)人：SK纳力世有限公司，
类型：发明
国别省市：