本发明专利技术涉及铜箔、含该铜箔的电极、含该电极的二次电池及其制法。本发明专利技术的一实施例提供一种铜箔，包括：具有粗糙面和光面的铜膜；以及所述铜膜上的保护层，所述铜箔具有所述铜膜的所述粗糙面方向上的第一面以及所述光面方向上的第二面，所述铜箔满足下述式1。[式1]3.0kgf/mm<supgt;2</supgt;≤抗拉强度×平均动摩擦系数≤8.0kgf/mm<supgt;2</supgt;；所述式1的平均动摩擦系数是指所述第一面的动摩擦系数和所述第二面的动摩擦系数的平均值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铜箔、包括该铜箔的电极、包括该电极的二次电池及其制造方法。具体而言，本专利技术涉及在制造过程中防止滑动(slip)的同时强度优异的铜箔、包括该铜箔的电极、包括该电极的二次电池及其制造方法。
技术介绍
1、铜箔用于制造二次电池的负极、柔性印刷电路板(flexible printed circ uitboard：fpcb)等各种产品。
2、一般情况下，铜箔在制箔装置中通过卷对卷(roll to roll)工序生产，在二次电池的负极制造工序中涂覆活性物质的工序也通过卷对卷工序实现。近年来，为了增加二次电池的容量而使用超薄型的铜箔，在铜箔厚度变薄为10μm以下的情况下，辊与铜箔之间经常发生滑动(slip)现象。在发生滑动现象的情况下，在铜箔中发生褶皱或撕裂现象而无法进行连续工序，因此二次电池用电极形成工序的可加工性(workability)或可操作性(handleability)降低，在严重的情况下电极制造本身变得不可能。
3、因此，需要抑制铜箔的滑动(slip)，防止或抑制在铜箔中发生褶皱或撕裂。
...
【技术保护点】
1.一种铜箔，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的铜箔，其中，
3.根据权利要求1所述的铜箔，其中，
4.根据权利要求1所述的铜箔，其中，
5.一种铜箔的制造方法，其中，包括：
6.根据权利要求5所述的铜箔的制造方法，其中，
7.根据权利要求5所述的铜箔的制造方法，其中，
8.根据权利要求7所述的铜箔的制造方法，其中，
9.根据权利要求5所述的铜箔的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种铜箔，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的铜箔，其中，
3.根据权利要求1所述的铜箔，其中，
4.根据权利要求1所述的铜箔，其中，
5.一种铜箔的制造方法，其中，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：金善花，
申请(专利权)人：SK纳力世有限公司，
类型：发明
国别省市：
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