颜色转换衬底、包括颜色转换衬底的显示装置以及颜色转换衬底的制造方法制造方法及图纸

本公开涉及颜色转换衬底、包括颜色转换衬底的显示装置以及制造颜色转换衬底的方法。颜色转换衬底包括：基础衬底；滤色器层，在基础衬底上；低折射率层，在滤色器层上；封盖层，在低折射率层上，其中，封盖层包括第一封盖膜，该第一封盖膜包括氮含量在约10at％至约35at％的范围内的氮氧化硅(SiO

【技术实现步骤摘要】
颜色转换衬底、包括颜色转换衬底的显示装置以及颜色转换衬底的制造方法


[0001]实施方式涉及显示装置。更具体地，实施方式涉及颜色转换衬底、包括颜色转换衬底的显示装置以及制造颜色转换衬底的方法。

技术介绍

[0002]显示装置是显示用于向用户提供视觉信息的图像的装置。这种显示装置的代表性示例包括液晶显示装置和有机发光显示装置。
[0003]近来，提出了一种包括具有多个像素的显示衬底和具有滤色器层和颜色转换层的颜色转换衬底的显示装置，以改善显示质量。颜色转换层可以转换从显示衬底提供的光的波长。因此，包括颜色转换层的显示装置可以发射颜色不同于入射光的颜色的光。例如，颜色转换层可以包括诸如量子点的波长转换颗粒。

技术实现思路

[0004]实施方式提供了一种具有改进的可靠性的颜色转换衬底。
[0005]另一实施方式提供了一种包括颜色转换衬底的显示装置。
[0006]又一实施方式提供一种制造颜色转换衬底的方法。
[0007]根据实施方式的颜色转换衬底包括：基础衬底；滤色器层，在基础衬底上；低折射率层，在滤色器层上；封盖层，在低折射率层上，其中，封盖层包括第一封盖膜，该第一封盖膜包括氮含量在约10原子百分比(at％)至约35at％的范围内的氮氧化硅(SiO
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)；堤部，在封盖层上，其中，在堤部中限定有限定多个像素的开口；以及颜色转换层，在开口中在封盖层上。
[0008]在实施方式中，包括在第一封盖膜中的氮氧化硅中包括的硅含量可以在约40at％至约50at％的范围内。
[0009]在实施方式中，包括在第一封盖膜中的氮氧化硅中包括的氧含量可以在约20at％至约50at％的范围内。
[0010]在实施方式中，第一封盖膜的厚度可以在约2000埃至约的范围内。
[0011]在实施方式中，封盖层还可以包括第二封盖膜，该第二封盖膜包括与第一封盖膜的材料不同的材料。
[0012]在实施方式中，第二封盖膜可以包括至少一个有机膜或至少一个无机膜。
[0013]在实施方式中，封盖层的厚度可以是约1μm或更小。
[0014]在实施方式中，封盖层可以覆盖低折射率层并围绕低折射率层的侧表面。
[0015]在实施方式中，封盖层可以与低折射率层的侧表面接触。
[0016]在实施方式中，开口可以具有选自圆形、三角形、四边形、五边形、六边形、七边形和八边形中的一种的形状。
[0017]在实施方式中，堤部的限定开口的侧表面可以沿着堤部的厚度方向以锥角倾斜。
[0018]在实施方式中，作为基础衬底的上表面与堤部的侧表面之间的角度的锥角可以是约90度或更小。
[0019]在实施方式中，颜色转换衬底还可以包括设置在颜色转换层上的保护层。
[0020]在实施方式中，保护层可以包括氮氧化硅(SiO
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)，包括在保护层中的氮氧化硅中包括的氮含量可以在约10at％至约35at％的范围内，包括在保护层中的氮氧化硅中包括的硅含量可以在约40at％至约50at％的范围内，以及包括在保护层中的氮氧化硅中包括的氧含量可以在约20at％至约50at％的范围内。
[0021]在实施方式中，第一封盖膜可以包括与低折射率层相邻的第一部分和在第一部分上并且与低折射率层间隔开的第二部分，并且第二部分中包括的氧含量可以大于第一部分中包括的氧含量。
[0022]在实施方式中，包括在第二部分中的氮氧化硅中包括的氮含量可以在约0.2at％至约5at％的范围内，包括在第二部分中的氮氧化硅中包括的硅含量在约30at％至约40at％的范围内，以及包括在第二部分中的氮氧化硅中包括的氧含量在约50at％至约70at％的范围内。
[0023]根据实施方式的显示装置包括：第一基础衬底；第二基础衬底，面对第一基础衬底；密封构件，在第一基础衬底和第二基础衬底之间；滤色器层，在第一基础衬底下方；堤部，在滤色器层下方，其中，在堤部中限定有限定多个像素的开口；多个发光二极管，在第二基础衬底上，其中，所述多个发光二极管分别与所述多个像素重叠；颜色转换层，在开口中在所述多个发光二极管上；低折射率层，在滤色器层下方，并且在颜色转换层和堤部上；以及封盖层，在低折射率层下方，并且在颜色转换层和堤部上，其中，封盖层包括第一封盖膜，该第一封盖膜包括氮含量在约10at％至约35at％的范围内的氮氧化硅(SiO
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)。
[0024]在实施方式中，包括在第一封盖膜中的氮氧化硅中包括的硅含量可以在约40at％至约50at％的范围内。
[0025]在实施方式中，包括在第一封盖膜中的氮氧化硅中包括的氧含量可以在约20at％至约50at％的范围内。
[0026]在实施方式中，密封构件可以设置在滤色器层和封盖层下方，并且与滤色器层和封盖层重叠。
[0027]在实施方式中，封盖层可以围绕低折射率层的侧表面。
[0028]根据实施方式的制造颜色转换衬底的方法包括：在基础衬底上设置滤色器层；在滤色器层上设置低折射率层；在低折射率层上设置包括氮含量在约10at％至约35at％的范围内的氮氧化硅(SiO
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)的封盖层；在封盖层上设置堤部；通过图案化堤部来形成限定多个像素的开口；以及在开口中在封盖层上设置颜色转换层。
[0029]在实施方式中，包括在封盖层中的氮氧化硅中包括的硅含量可以在约40at％至约50at％的范围内。
[0030]在实施方式中，包括在封盖层中的氮氧化硅中包括的氧含量可以在约20at％至约50at％的范围内。
[0031]在实施方式中，设置封盖层可以包括执行沉积工艺。
[0032]在实施方式中，沉积工艺的工艺气体包括氢气(H2)气体、硅烷(SiH4)气体、氨气(NH3)气体、一氧化二氮(N2O)气体或氮气(N2)气体。
[0033]在实施方式中，当通过图案化堤部形成开口时，堤部的限定开口的侧表面可以形成为沿着堤部的厚度方向以锥角倾斜。
[0034]在实施方式中，作为基础衬底的上表面与堤部的侧表面之间的角度的锥角可以是约90度或更小。
[0035]在实施方式中，当通过图案化堤部形成开口时，开口可以形成为具有选自圆形、三角形、四边形、五边形、六边形、七边形和八边形中的一种的形状。
[0036]在实施方式中，封盖层可以包括与低折射率层相邻的第一部分和在第一部分上并且与低折射率层间隔开的第二部分，并且第二部分中包括的氧含量可以大于第一部分中包括的氧含量。
[0037]在实施方式中，包括在第二部分中的氮氧化硅中包括的氮含量可以在约0.2at％至约5at％的范围内，包括在第二部分中的氮氧化硅中包括的硅含量可以在约30at％至约40at％的范围内，以及包括在第二部分中的氮氧化硅中包括的氧含量可以在约50at％至约70at％的范围内。
[0038]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种颜色转换衬底，包括：基础衬底；滤色器层，在所述基础衬底上；低折射率层，在所述滤色器层上；封盖层，在所述低折射率层上，其中，所述封盖层包括第一封盖膜，所述第一封盖膜包括氮含量在10at％至35at％的范围内的氮氧化硅；堤部，在所述封盖层上，其中，在所述堤部中限定有限定多个像素的开口；以及颜色转换层，在所述开口中在所述封盖层上。2.根据权利要求1所述的颜色转换衬底，其中，包括在所述第一封盖膜中的所述氮氧化硅中包括的硅含量在40at％至50at％的范围内。3.根据权利要求1所述的颜色转换衬底，其中，包括在所述第一封盖膜中的所述氮氧化硅中包括的氧含量在20at％至50at％的范围内。4.根据权利要求2所述的颜色转换衬底，其中，所述第一封盖膜的厚度在至的范围内。5.根据权利要求2所述的颜色转换衬底，其中，所述封盖层还包括第二封盖膜，所述第二封盖膜包括与所述第一封盖膜的材料不同的材料。6.根据权利要求5所述的颜色转换衬底，其中，所述第二封盖膜包括至少一个有机膜或至少一个无机膜。7.根据权利要求5所述的颜色转换衬底，其中，所述封盖层的厚度为1μm或更小。8.根据权利要求1所述的颜色转换衬底，其中，所述封盖层覆盖所述低折射率层并围绕所述低折射率层的侧表面。9.根据权利要求8所述的颜色转换衬底，其中，所述封盖层与所述低折射率层的所述侧表面接触。10.根据权利要求1所述的颜色转换衬底，其中，所述开口具有选自圆形、三角形、四边形、五边形、六边形、七边形和八边形中的一种的形状。11.根据权利要求1所述的颜色转换衬底，其中，所述堤部的限定所述开口的侧表面沿着所述堤部的厚度方向以锥角倾斜。12.根据权利要求11所述的颜色转换衬底，其中，所述锥角是所述基础衬底的上表面与所述堤部的所述侧表面之间的角度，所述锥角为90度或更小。13.根据权利要求1所述的颜色转换衬底，还包括：保护层，设置在所述颜色转换层上。14.根据权利要求13所述的颜色转换衬底，其中，所述保护层包括氮氧化硅，包括在所述保护层中的所述氮氧化硅中包括的氮含量在10at％至35at％的范围内，包括在所述保护层中的所述氮氧化硅中包括的硅含量在40at％至50at％的范围内，以及包括在所述保护层中的所述氮氧化硅中包括的氧含量在20at％至50at％的范围内。15.根据权利要求1所述的颜色转换衬底，其中，
所述第一封盖膜包括与所述低折射率层相邻的第一部分和在所述第一部分上且与所述低折射率层间隔开的第二部分，以及所述第二部分中包括的氧含量大于所述第一部分中包括的氧含量。16.根据权利要求15所述的颜色转换衬底，其中，包括在所述第二部分中的氮氧化硅中包括的氮含量在0.2at％至5at％的范围内，包括在所述第二部分中的所述氮氧化硅中包括的硅含量在30at％至40at％的范围内，以及包括在所述第二部分中的所述氮氧化硅中包括的氧含量在50at％至70at％的范围内。17.一种显示装置，包括：第一基础衬底；第二基础衬底，面对所述第一基础衬底；密封构件，在所述第一基础衬底和所述第二基础衬底之间；滤色器层，在所述第一基础衬底下方；堤部，在所述滤色器层下方，其中，在所述堤部中限定有限定多个像素的开口；多个发光二极管，在所述第二基础衬底上，其中，所述多个发光二极管分别与所述多个像素重叠；颜色转换层，在所述开口中在所述多个发光二极管上；低折...

【专利技术属性】
技术研发人员：金兰，金基铉，朴英吉，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：