互连开口的形成方法以及互连结构的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种互连开口的形成方法以及互连结构的形成方法，通过刻蚀碳材料层以形成占位结构，所述占位结构包括碳材料柱以及所述碳材料柱限定的容置空间；接着形成低

【技术实现步骤摘要】
互连开口的形成方法以及互连结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件中互连开口的形成方法以及互连结构的形成方法
。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，集成电路向着高集成度的方向发展
。
高集成度的要求使半导体器件的线宽越来越小，线宽的减小对集成电路的制造工艺提出了更高的要求
。
[0003]半导体器件通常由多层金属层
、
多层介质层形成，所述多层金属层由设置于介质层中的插塞实现金属层之间的电连接，随着线宽的减小，现在介质层多采用介电常数小于3的低介电常数的介质材料
。
[0004]现有技术在形成低
K
（介电常数小于3）介质层之后，通常采用等离子刻蚀工艺（
Plasma
）在所述低
K
介质层中形成互连开口，并进而在所述互连开口中填充导电材料（通常为金属铜），以形成互连结构
。
[0005]等离子刻蚀工艺（
Plasma
）对于低
K...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种互连开口的形成方法，其特征在于，所述互连开口的形成方法包括：提供一基底结构，并在所述基底结构上形成碳材料层；刻蚀所述碳材料层以暴露出部分所述基底结构并形成一占位结构，所述占位结构包括碳材料柱以及所述碳材料柱限定的容置空间；在所述基底结构上形成低
K
介质层，所述低
K
介质层覆盖所述占位结构外的所述基底结构以及填充所述容置空间；去除所述容置空间中的所述低
K
介质层；以及，灰化去除所述碳材料柱以形成互连开口
。2.
如权利要求1所述的互连开口的形成方法，其特征在于，所述灰化去除所述碳材料柱以形成互连开口的步骤包括：利用臭氧灰化去除所述碳材料柱以形成所述互连开口
。3.
如权利要求1所述的互连开口的形成方法，其特征在于，在所述基底结构表面延伸的方向上，所述碳材料柱的宽度是所述占位结构的宽度的
30%
以下
。4.
如权利要求1所述的互连开口的形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述碳材料层以暴露出部分所述基底结构并形成一占位结构，所述占位结构包括碳材料柱以及所述碳材料柱限定的容置空间的步骤中，所述占位结构用于形成互连开口，所述占位结构的宽度与所述互连开口的宽度相同
。5.
如权利要求1所述的互连开口的形成方法，其特征在于，所述刻蚀所述碳材料层以暴露出部分所述基底结构并形成一占位结构，所述占位结构包括碳材料柱以及所述碳材料柱限定的容置空间的步骤中，所述碳材料柱呈环形
。6.
如权利要求1所述的互连开口的形成方法，其特征在于，所述基底结构包括半导体衬底
、
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飘飘，吕正良，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：