一种薄膜体声波谐振器及其金属电极制备方法技术

本申请属于半导体材料及电子通讯装置技术领域，公开了一种薄膜体声波谐振器及其金属电极制备方法，薄膜体声波谐振器包括从下到上依次层叠的衬底

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜体声波谐振器及其金属电极制备方法


[0001]本申请涉及半导体材料及电子通讯装置
，具体而言，涉及一种薄膜体声波谐振器及其金属电极制备方法
。

技术介绍

[0002]薄膜体声波谐振器
(FBAR)
是一种新型的射频器件，具有极佳的品质因数
Q
值和可集成于
IC
芯片上的优点，并能与互补金属氧化物半导体
(Complementary Metal Oxide Semiconductor
，
CMOS)
工艺进行兼容，可以有效地避免声表面波谐振器和介质谐振器无法与
CMOS
工艺兼容的问题
。
[0003]薄膜体声波谐振器的核心结构是由声学镜
‑
电极
‑
压电层
‑
电极构成的压电振荡堆结构，其工作原理是当电信号通过两端电极上时，由于材料的逆压电效应，会将电信号转化成机械振动，机械振动以声波的形式在压电薄膜内传播，当声波在压电薄膜中的传播距离正好是半波长的奇数倍时就会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括从下到上依次层叠的衬底（1）
、
声反射镜（2）
、
底电极（3）
、
压电薄膜（4）和顶电极（5），所述声反射镜（2）位于所述压电薄膜（4）的正下方，所述底电极（3）与所述顶电极（5）之间连接有上下电极连接层（6），所述底电极（3）的顶部边缘还设置有围绕所述压电薄膜（4）和所述顶电极（5）的键合层（7），所述键合层（7）的顶部盖接有
WLP
封装层（8），所述
WLP
封装层（8）顶部设置有与所述键合层（7）电连接的金属电极（9），所述金属电极（9）包括位于内侧的第一金属层（
901
）
、
位于外侧的第二金属层（
902
）以及位于所述第一金属层（
901
）和所述第二金属层（
902
）之间的导电阻挡层（
903
）；所述导电阻挡层（
903
）把所述第一金属层（
901
）和所述第二金属层（
902
）分隔，并用于阻挡所述第一金属层（
901
）和所述第二金属层（
902
）互融
。2.
根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一金属层（
901
）包括
Ti
和
Cu。3.
根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二金属层（
902
）为
AlSiCu
层
。4.
根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述导电阻挡层（
903
）包括钛
、
氮化钛和钛钨合金中的至少一种
。5.
根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，衣新燕，林剑桥，
申请(专利权)人：广州市艾佛光通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：