一种半导体芯片及其制备方法技术

本公开实施例公开了一种半导体芯片及其制备方法，其中，所述半导体芯片包括：衬底，以及位于所述衬底上的器件结构层；所述器件结构层至少包括有源层和无源波导层；沿平行于所述衬底平面的方向，所述无源波导层位于所述有源层的两端；其中，所述有源层的材料包括铝，所述无源波导层的材料不包括铝

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片及其制备方法


[0001]本公开涉及激光器
，尤其涉及一种半导体芯片及其制备方法
。

技术介绍

[0002]半导体激光器
(DML)
芯片具有体积小
、
重量轻
、
成本低
、
易规模化生产等优点，在光存储
、
光通讯
、
国防等领域有广阔的发展前景
。
随着半导体激光器器件应用越来越广泛，对半导体激光器芯片传输速率要求越来越高
。
[0003]但是，在半导体激光器芯片的生产与工作过程中，半导体激光器芯片的有源层可能会发生氧化腐蚀的问题，影响器件性能
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体芯片及其制备方法
。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供了一种半导体芯片，包括：
[0006]衬底，以及位于所述衬底上的器件结构层；所述器件结构层至少包括有源层和无源波导层；沿平行于所述衬底平面的方向，所述无源波导层位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体芯片，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底上的器件结构层；所述器件结构层至少包括有源层和无源波导层；沿平行于所述衬底平面的方向，所述无源波导层位于所述有源层的两端；其中，所述有源层的材料包括铝，所述无源波导层的材料不包括铝
。2.
根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述有源层的材料为
InGaAlAs
，所述无源波导层的材料为
InGaAsP。3.
根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述无源波导层的材料的能带带隙大于所述有源层的材料的能带间隙
。4.
根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述无源波导层与所述有源层接触的对接面与所述衬底的平面的法线的夹角范围为
10
°
～
20
°
。5.
根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述无源波导层包括分别位于所述有源层两端的第一无源波导层和第二无源波导层；所述半导体芯片还包括：透射膜，位于所述第一无源波导层的远离所述有源层的一端；反射膜，位于所述第二无源波导层的远离所述有源层的一端
。6.
根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：程宗鸿，李亮，向上，熊永华，马卫东，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：