增强半导体表面辐射太赫兹波功率的半导体纳米孔阵列制造技术

本发明专利技术涉及提升太赫兹源辐射功率和辐射带宽，为提出一种用于降低半导体对入射飞秒激光的反射率且易于加工的砷化镓纳米孔阵列。为此，本发明专利技术采取的技术方案是，增强半导体表面辐射太赫兹波功率的半导体纳米孔阵列,由衬底层和纳米结构层两部分组成，衬底层是一种厚度均匀的本征砷化镓层，衬底层的作用是为纳米结构层提供附着层，纳米结构层由周期性排列的孔状结构组成。本发明专利技术主要应用于太赫兹源辐设备的设计制造场合。的设计制造场合。的设计制造场合。

【技术实现步骤摘要】
增强半导体表面辐射太赫兹波功率的半导体纳米孔阵列


[0001]本专利技术涉及提升太赫兹源辐射功率和辐射带宽，具体涉及增强半导体表面辐射太赫兹波功率的半导体纳米孔阵列。

技术介绍

[0002]利用直接带隙半导体的内建电场驱动光生载流子是产生宽带太赫兹脉冲的经典且简单的方法，也是备受欢迎的方法之一
[1
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3]。当用飞秒激光脉冲照射半导体表面时，照射区域会产生大量的光生载流子，其在半导体表面内建电场的作用下加速运动形成瞬态光电流，沿泵浦光反射方向和传输方向会辐射出太赫兹波段的脉冲信号
[4,5]。以砷化镓(GaAs)这种光电子学领域应用广泛的重要半导体为例，其表面能级弯曲大，这会导致它具有一个相对强的耗尽层电场，因此砷化镓是表面发射太赫兹源的常见衬底材料
[6]。但随着人们对紧凑型和低成本的宽带太赫兹技术的要求越来越高，表面发射太赫兹源对泵浦功率的较高需求阻碍了其在基于光纤激光器的太赫兹商业系统的发展。考虑到现有的光纤飞秒激光器只能为太赫兹源提供约30mW的功率，如何在如此低的泵浦条件下利用纳米超材料提高太本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增强半导体表面辐射太赫兹波功率的半导体纳米孔阵列，其特征是，由衬底层和纳米结构层两部分组成，衬底层是一种厚度均匀的本征砷化镓层，衬底层的作用是为纳米结构层提供附着层，纳米结构层由周期性排列的孔状结构组成。2....

【专利技术属性】
技术研发人员：谷建强，王可蒙，顾扬帆，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：