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本发明涉及提升太赫兹源辐射功率和辐射带宽，为提出一种用于降低半导体对入射飞秒激光的反射率且易于加工的砷化镓纳米孔阵列。为此，本发明采取的技术方案是，增强半导体表面辐射太赫兹波功率的半导体纳米孔阵列,由衬底层和纳米结构层两部分组成，衬底层是一...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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