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本公开实施例公开了一种半导体芯片及其制备方法，其中，所述半导体芯片包括：衬底，以及位于所述衬底上的器件结构层；所述器件结构层至少包括有源层和无源波导层；沿平行于所述衬底平面的方向，所述无源波导层位于所述有源层的两端；其中，所述有源层的材料包...
该专利属于武汉光迅科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光迅科技股份有限公司授权不得商用。

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