半导体装置的制造方法以及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法，包括：从半导体基板的正面侧形成寿命控制区的步骤；在接触孔的底面以离子方式注入

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法以及半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置的制造方法及半导体装置
。

技术介绍

[0002]以往，已知有如下技术：在同一基板形成有绝缘栅双极型晶体管
(IGBT)
等晶体管部和二极管部的半导体装置中，将氦离子等粒子束照射于半导体基板的预定深度位置，设置包含寿命抑制剂的寿命控制区
(
例如，参照专利文献
1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开
2017
‑
135339
号公报

技术实现思路

[0006]技术问题
[0007]在这样的半导体装置中，在晶体管部的与二极管部邻接的边界部中，存在阈值电压降低的问题
。
[0008]技术方案
[0009]在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置的制造方法
。
半导体装置的制造方法包括：从半导体基板的正面侧形成寿命控制区的步骤；在接触孔的底面以离子方式注入...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：从半导体基板的正面侧形成寿命控制区的步骤；在接触孔的底面以离子方式注入
Ti
的步骤，所述接触孔贯通配置于所述半导体基板的正面上的层间绝缘膜而设置；以及利用退火在所述接触孔的底面形成
Ti
硅化物层的步骤
。2.
根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述以离子方式注入的步骤中，
Ti
的剂量为
1E15/cm2以上且
5E17/cm2以下
。3.
根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述以离子方式注入的步骤中，
Ti
的剂量为
1E17/cm2以下
。4.
根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述以离子方式注入的步骤中，
Ti
的注入加速电压为
1keV
以上且
100keV
以下
。5.
根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述以离子方式注入的步骤中，
Ti
的注入加速电压为
15keV
以上且
30keV
以下
。6.
根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述接触孔的侧壁形成有以离子方式注入的
Ti
氮化而成的第一
TiN
层，所述第一
TiN
层的厚度小于所述
Ti
硅化物层的厚度的
1/2。7.
根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一
TiN
层的厚度小于所述
Ti
硅化物层的厚度的
1/5。8.
根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述形成
Ti
硅化物层的步骤之后，还包括在所述接触孔溅射
TiN
，利用退火在所述第一
TiN
层和所述
Ti
硅化物层上形成第二
TiN
层的步骤
。9.
根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成所述第二
TiN
层的步骤之后，还包括在所述接触孔埋入导电性材料的步骤
。10.
根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：形成抗蚀剂掩模的步骤；经由所述抗蚀剂掩模向所述接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉村尚，下沢慎，洼内源宜，内田美佐稀，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：