一种改善磷硅生长连续性的方法技术

本发明专利技术提供一种改善磷硅生长连续性的方法，提供半导体结构，半导体结构包括硅层

【技术实现步骤摘要】
一种改善磷硅生长连续性的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及改善磷硅生长连续性的方法
。

技术介绍

[0002]随着集成电路行业遵循摩尔定律不断地向更小尺寸发展，所需要的加工工艺也在更新和发展
。
当芯片工艺的技术节点降低到
20nm
以下时，仅仅依靠提高沟道掺杂浓度
、
降低源漏结深和减薄栅极氧化层厚度等技术来改善平面晶体管的短沟道效应遭遇了瓶颈，器件亚阈值电流成为阻碍工艺发展的主要因素
。
针对以上问题，
1998
年，胡正明教授及其团队提出鳍式场效应晶体管
(FinFET)
，栅极三面包裹沟道的结构增强了栅极对沟道的控制能力，可以有效的抑制短沟道效应
。
同时，为了提高器件的运行速度和降低源漏电阻，在源漏区域引入了不同的外延生长层，利用外延层对沟道的应力作用提高载流子运动速度，并通过掺杂的方式提高载流子浓度
。
其中，
PMOS
常用的是掺杂/>B
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种改善磷硅生长连续性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一
、
提供半导体结构，所述半导体结构包括硅层
、
位于所述硅层上相互间隔的栅极结构；所述栅极结构两侧的硅层区域为源漏区；步骤二
、
刻蚀所述源漏区的硅层形成凹槽，所述凹槽表面附着有刻蚀后的污染物；步骤三
、
对所述凹槽进行预清洗以去除所述凹槽表面的污染物；所述预清洗包括：
(a)
先对所述凹槽表面进行氧化形成牺牲氧化层；
(b)
去除所述牺牲氧化层以去除所述凹槽表面的污染物；步骤四
、
在预清洗后的所述凹槽表面形成
SiP
外延层
。2.
根据权利要求1所述的改善磷硅生长连续性的方法，其特征在于：步骤一中的所述栅极结构包括：栅极叠层和依附于所述栅极叠层侧壁的侧墙；所述栅极叠层包括：多晶硅结构和位于所述多晶硅结构上的掩膜层
、
位于所述掩膜层上的氧化硅硬掩膜层；所述侧墙包括第一至第三侧墙；其中第一侧墙依附于所述栅极叠层的侧壁，所述第二侧墙依附于所述第一侧墙；所述第三侧墙依附于所述第二侧墙
。3.
根据权利要求2所述的改...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶芬芬，段一鸣，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：