【技术实现步骤摘要】
闪存绑定优化方法、装置、设备及存储介质
[0001]本专利技术涉及闪存
，特别是涉及一种闪存绑定优化方法
、
装置
、
设备及存储介质
。
技术介绍
[0002]闪存
(NANDFlash
，
NF)
是用于存储数据的存储介质，是
Flash
存储器的一种
。
由于其具备容量大
、
读
/
写速度快等优点，备受广大存储成品生产商喜爱
。
[0003]闪存若要能够具备存储数据的功能，还需搭载存储主控对闪存进行量产，量产包括容量计算
、
预分析
、
扫描等一系列项目，其中扫描由于涉及到对闪存的全盘读
/
写
、
数据比较
、
分析等任务，需耗费大量时间
。
相关技术中，为解决扫描耗费时长多的问题，是通过对闪存中的所有
Plane
进行绑定以此来提高闪存的读
/
写速度，加快扫描进程，但不同
Plane
之间本就存在特性差异，若为了提高数据的读
/
写速度而强制绑定，可能会导致绑定前后的
Plane
的所需纠错位数发生明显变化，进而影响闪存稳定性的问题
。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种闪存绑定优化方法
、
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种闪存绑定优化方法，其特征在于，包括：读取绑定前每一所述
Plane
的所需纠错比特位数；对闪存中的若干所述
Plane
进行绑定；读取绑定后每一所述
Plane
的所需纠错比特位数，并计算每一所述
Plane
绑定前后所需纠错比特位数的变化值；将绑定前后所需纠错比特位数的变化值大于或者等于变化阈值的所述
Plane
与其余所述
Plane
的绑定关系解除；基于现有的所述绑定关系建立逻辑分区
。2.
根据权利要求1所述的闪存绑定优化方法，其特征在于，所述将绑定前后所需纠错比特位数的变化值大于或者等于变化阈值的所述
Plane
与其余所述
Plane
的绑定关系解除之后，还包括：若剩余未绑定的所述
Plane
的数量为至少一个以上，则对剩余未绑定的所述
Plane
再次进行绑定，读取绑定后每一所述
Plane
的所需纠错比特位数，并计算绑定前后所述
Plane
所需纠错比特位数的变化值，将绑定前后所需纠错比特位数的变化值大于或者等于所述变化阈值的所述
Plane
与其余所述
Plane
的绑定关系解除，重复此步骤直至剩余未绑定的所述
Plane
之间无法进行绑定
。3.
根据权利要求1所述的闪存绑定优化方法，其特征在于，所述读取绑定前每一所述
Plane
的所需纠错比特位数之后，还包括：若当前所述
Plane
的所需纠错比特位数大于预设无效阈值，则标记当前所述
Plane
为无效
Plane
，其中所述无效
Plane
不会进行后续的绑定
。4.
根据权利要求3所述的闪存绑定优化方法，其特征在于，所述将绑定前后所需纠错比特位数的变化值大于或者等于变化阈值的所述
Plane
与其余所述
Plane
的绑定关系解除，包括：将绑定前后所需纠错比特位数的变化值大于或者等于变化阈值的所述
Plane
与其余所述
Plane
的绑定关系解除，或者将绑定后所需纠错比特位数大于或者等于所述预设无效阈值的所述
Plane
与其余所述
Plane
的绑定关系解除
。5.
根据权利要求1～4中任意一项所述的闪存绑定优化方法，其特征在于，所述读取绑定前每一所述
Plane
的所需纠错比特位数或者读取后每一所述
Plane
的所需纠错比特数位，可按如下方式执行：基于当前所述
Plane
选取预定数量的块；读取每个所述块中的页模板；根据所述页模板的坏列信息生成每个所述块对应的所需纠错比特位数；选取最大值的...
【专利技术属性】
技术研发人员：钟金，陈向兵，张辉，张如宏，胡来胜，
申请(专利权)人：深圳三地一芯电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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