本申请涉及一种闪存容量优化方法、装置、设备及存储介质。该闪存容量优化方法包括：根据闪存的容量，并基于预先配置的Bin级容量标准表，将闪存归类至对应的Bin级，其中Bin级容量标准表包括多个Bin级，不同的Bin级对应不同的Bin级容量；计算闪存的容量超出闪存对应的Bin级容量部分，得到多余容量；若多余容量大于或者等于门限容量，对闪存的容量执行优化操作，优化操作为采用预置优化算法计算出闪存对应的Bin级容量中的待抽取容量，将待抽取容量与多余容量结合形成重组容量，将重组容量对应的块配置成以SLC存储模式；若多余容量小于门限容量，不对闪存的容量执行优化操作。不对闪存的容量执行优化操作。不对闪存的容量执行优化操作。
【技术实现步骤摘要】
闪存容量优化方法、装置、设备及存储介质
[0001]本申请涉及存储
，尤其涉及一种闪存容量优化方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
[0002]闪存(NAND Flash，NF)是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。闪存具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。
[0003]Bin级是用于定义容量的标准，不同Bin级的闪存分别对应不同的容量。量产阶段会对闪存进行扫描，分析计算出闪存的容量，并根据闪存的容量将闪存归类至其对应的Bin级，被归类的闪存相较于其对应的Bin级可能存在多余容量，相关技术中，并没有将这多余容量进行有效地回收、重组、利用，导致对闪存的容量利用率并不高。
技术实现思路
[0004]为了解决或者部分解决相关技术中的问题，本申请提供了一种闪存容量优化方法、装置、设备及存储介质，能够对闪存的多余容量进行有效地回收、重组、利用，提高对闪存的容量利用率。
[0005]本申请的第一方面提供了一种闪存容量优化方法，包括：根据闪存的容量，并基于预先配置的Bin级容量标准表，将所述闪存归类至对应的Bin级，其中所述Bin级容量标准表包括多个Bin级，不同的所述Bin级对应不同的Bin级容量；计算所述闪存的容量超出所述闪存对应的所述Bin级容量部分，得到多余容量；若所述多余容量大于或者等于门限容量，对所述闪存的容量执行优化操作，所述优化操作为采用预置优化算法计算出所述闪存对应的所述Bin级容量中的待抽取容量，将所述待抽取容量与所述多余容量结合形成重组容量，将所述重组容量对应的块配置成以SLC存储模式；若所述多余容量小于所述门限容量，不对所述闪存的容量执行所述优化操作。
[0006]作为本申请一种可能的实施方式，闪存容量优化方法，还包括：将所述重组容量对应的块的写入优先级配置成高于所述闪存对应的所述Bin级容量中被抽取的容量对应的块的写入优先级。
[0007]作为本申请一种可能的实施方式，所述门限容量按如下方式确定：基于所述闪存的类型，匹配对应的门限计算系数α，并根据所述门限计算系数和所述闪存对应的所述Bin级容量计算门限容量，其中：若所述闪存为MLC类型，则所述门限计算系数α大于或者等于0.1；若所述闪存为TLC类型，则所述门限计算系数α大于或者等于0.2；若所述闪存为QLC类型，则所述门限计算系数α大于或者等于0.3。
[0008]作为本申请一种可能的实施方式，所述预置优化算法为：
C
Bin
＝C
All
‑
C
X
+C
X
/Cell
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)；C
X
＝C
Re
+C
Y
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(3)；其中，C
Bin
为所述闪存对应的Bin级容量，C
All
为所述闪存的容量，C
X
为所述闪存的重组容量，Cell为所述闪存不同存储模式之间容量转换倍率，C
Re
为所述闪存的多余容量，C
Y
为所述闪存对应的Bin级容量中被抽取的容量。
[0009]本申请的第二方面提供了一种闪存容量优化装置，包括：归类模块，用于根据闪存的容量，并基于预先配置的Bin级容量标准表，将所述闪存归类至对应的Bin级，其中所述Bin级容量标准表包括多个Bin级，不同的所述Bin级对应不同的Bin级容量；计算模块，用于计算所述闪存的容量超出所述闪存对应的所述Bin级容量部分，得到多余容量；优化模块，用于若所述多余容量大于或者等于门限容量，对所述闪存的容量执行优化操作，所述优化操作为采用预置优化算法计算出所述闪存对应的所述Bin级容量中的待抽取容量，将所述待抽取容量与所述多余容量结合形成重组容量，将所述重组容量对应的块配置成以SLC存储模式；若所述多余容量小于所述门限容量，不对所述闪存的容量执行所述优化操作。
[0010]作为本申请一种可能的实施方式，一种闪存容量优化装置，还包括：配置模块，用于将所述重组容量对应的块的写入优先级配置成高于所述闪存对应的所述Bin级容量中被抽取的容量对应的块的写入优先级。
[0011]作为本申请一种可能的实施方式，所述门限容量按如下方式确定：基于所述闪存的类型，匹配对应的门限计算系数α，并根据所述门限计算系数和所述闪存对应的所述Bin级容量计算门限容量，其中：若所述闪存为MLC类型，则所述门限计算系数α大于或者等于0.1；若所述闪存为TLC类型，则所述门限计算系数α大于或者等于0.2；若所述闪存为QLC类型，则所述门限计算系数α大于或者等于0.3。
[0012]作为本申请一种可能的实施方式，所述预置优化算法为：C
Bin
＝C
All
‑
C
X
+C
X
/Cell
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)；C
X
＝C
Re
+C
Y
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(3)；其中，C
Bin
为所述闪存对应的Bin级容量，C
All
为所述闪存的容量，C
X
为所述闪存的重组容量，Cell为所述闪存不同存储模式之间容量转换倍率，C
Re
为所述闪存的多余容量，C
Y
为所述闪存对应的Bin级容量中被抽取的容量。
[0013]本申请的第三方面提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被所述处理器执行时，使所述处理器执行上述实施例中任意一项所述的闪存容量优化方法。
[0014]本申请的第四方面提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行上述实施例中任意一项所述的闪存容量优化方法。
[0015]本申请的技术方案，包括：根据闪存的容量，并基于预先配置的Bin级容量标准表，
将所述闪存归类至对应的Bin级，计算闪存的容量超出闪存对应的Bin级容量部分，得到多余容量，若多余容量大于或者等于门限容量，对闪存的容量执行优化操作，以采用预置优化算法计算出闪存对应的Bin级容量中的待抽取容量，将待抽取容量与多余容量结合形成重组容量，将重组容量对应的块配置成以SLC存储模式，若多余容量小于门限容量，不对闪存的容量执行优化操作。
[0016]本申请通过计算闪存的容量超出其对应的Bin级容量的多余容量，将符合优化操作的闪存，采用预置优化算法计算出闪存对应的Bin级容量中的待抽取容量，将待抽取容量与多余容量结合形成重组容量，将重组容量对应的块配本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存容量优化方法，其特征在于，包括：根据闪存的容量，并基于预先配置的Bin级容量标准表，将所述闪存归类至对应的Bin级，其中所述Bin级容量标准表包括多个Bin级，不同的所述Bin级对应不同的Bin级容量；计算所述闪存的容量超出所述闪存对应的所述Bin级容量部分，得到多余容量；若所述多余容量大于或者等于门限容量，对所述闪存的容量执行优化操作，所述优化操作为采用预置优化算法计算出所述闪存对应的所述Bin级容量中的待抽取容量，将所述待抽取容量与所述多余容量结合形成重组容量，将所述重组容量对应的块配置成以SLC存储模式；若所述多余容量小于所述门限容量，不对所述闪存的容量执行所述优化操作。2.根据权利要求1所述的闪存容量优化方法，其特征在于，还包括：将所述重组容量对应的块的写入优先级配置成高于所述闪存对应的所述Bin级容量中被抽取的容量对应的块的写入优先级。3.根据权利要求1所述的闪存容量优化方法，其特征在于，所述门限容量按如下方式确定：基于所述闪存的类型，匹配对应的门限计算系数α，并根据所述门限计算系数和所述闪存对应的所述Bin级容量计算门限容量，其中：若所述闪存为MLC类型，则所述门限计算系数α大于或者等于0.1；若所述闪存为TLC类型，则所述门限计算系数α大于或者等于0.2；若所述闪存为QLC类型，则所述门限计算系数α大于或者等于0.3。4.根据权利要求1所述的闪存容量优化方法，其特征在于，所述预置优化算法为：C
Bin
=C
All
‑
C
X
+C
X
/Cell
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
（2）；C
X
=C
Re
+C
Y
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
（3）；其中，C
Bin
为所述闪存对应的Bin级容量，C
All
为所述闪存的容量，C
X
为所述闪存的重组容量，Cell为所述不同存储模式之间容量转换倍率，C
Re
为所述闪存的多余容量，C
Y
为所述闪存对应的Bin级容量中被抽取的容量。5.一种闪存容量优化装置，其特征在于，包括：归类模块，用于根据闪存的容量，并基于预先配置的Bin级容量标准表，将所述闪存归类至对应的Bin级，其中所述Bin级容量标准表包括多个Bin级，不同的所述Bin级对应不同的Bi...
【专利技术属性】
技术研发人员：余亚南，陈向兵，张辉，张如宏，胡来胜，
申请(专利权)人：深圳三地一芯电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。