一种具有可变栅极电阻超结制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有可变栅极电阻超结

【技术实现步骤摘要】
一种具有可变栅极电阻超结MOSFET的版图结构


[0001]本技术属于功率半导体
，具体涉及一种具有可变栅极电阻超结
MOSFET
的版图结构
。

技术介绍

[0002]功率半导体器件作为开关器件通常用于电源开关
、
电机控制等领域，能够实现高效的功率转换
。
在功率电路中，功率
MOSFET
作为开关器件，属于多子器件，其开关功耗相对较小，而通态功耗则比较高，要降低通态功耗，就必须减小导通电阻
Ron。
传统平面式高压
MOSFET
具有单位芯片面积高的漏源导通电阻，并伴随相对较高的漏源电阻
。
使用高单位密度和大管芯尺寸可实现较低的
Ron
值，但同时伴随高栅极和输出电荷，这会增加开关损耗和成本
。
因此，具有内建横向电场的高压功率超结
MOSFET
结构应运而生，它能提供更低的
Ron
，同时具有更少的栅极和输出电荷，有助于在任意给定频率下保持更高的功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种具有可变栅极电阻超结
MOSFET
的版图结构，包括栅极压焊点
(100)、
元胞区
(200)、
栅极总线
(300)、
终端区
(400)、
源极压焊点
(500)
和栅指
(600)
，所述终端区
(400)
位于所述元胞区
(200)
的外围，所述栅极压焊点
(100)、
源极压焊点
(500)
和栅指
(600)
分布于所述元胞区
(200)
内，其特征在于，所述栅极总线
(300)
和所述栅极压焊点
(100)
之间的金属连线断开，且所述栅极总线
(300)
上的接触孔与所述栅极压焊点
(100)
上的接触孔之间存在可变的间距
X
；所述间距
X
通过下式获得：
X
＝
R
I
*W/R
sq

【专利技术属性】
技术研发人员：王平平，张攀，
申请(专利权)人：杭州唯美地半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：