【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
近年来，随着电子设备的小型化、高功能化，要求在电子设备中使用的半导体模块 实现小型化。为了实现此目的，半导体模块的外部连接电极间的窄间距化不可缺少，但是， 受到焊球本身的大小和焊接时的桥接产生等制约，通过外部连接电极的窄间距化的小型化 受到了限制。近年来，为了克服这种限制，通过在半导体模块上形成再布线而进行外部连接 电极的再配置。作为这样的再配置的方法，例如已知将通过半蚀刻硅基板而形成的突起结 构作为电极或通路，经由环氧树脂等绝缘层将半导体芯片安装在硅基板上，并在突起结构 上连接半导体模块的外部连接电极的方法。
技术实现思路
但是，由于在具有突起结构的硅基板和半导体芯片之间填充有绝缘层，所以在硅 基板与半导体芯片之间会流入绝缘层材料而夹杂绝缘层，存在产生硅基板和半导体芯片的 电连接不良的可能性。本专利技术的一实施方式提供一种，包括蚀刻金属板以形成 突起部的第一工序，形成具有使所述突起部的一部分露出的厚度的绝缘层的第二工序以及 将所述绝缘层压接在表面具有多个电极的半导体基板和所述金属板之间并将所述突起部 和所述电极电连接的第三工序。根据...
【技术保护点】
一种半导体模块的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，其蚀刻金属板以形成突起部；第二工序，其形成具有使所述突起部的一部分露出的厚度的绝缘层；以及第三工序，其隔着所述绝缘层压接在表面具有多个电极的半导体基板和所述金属板，并电连接所述突起部和所述电极。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈山芳央，伊藤克实，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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