电路结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电路结构

【技术实现步骤摘要】
电路结构、电源设备以及电缆


[0001]本专利技术涉及电子电路
，更具体而言，涉及到一种电路结构
、
电源设备以及电缆
。

技术介绍

[0002]在相关技术中，多个
MOS
管并联使用的结构中，在其中一个或者几个
MOS
管坏了，而其它
MOS
管能够正常工作的情况下，
MOS
管并联结构依然能够工作，表面上并不影响电路工作
。
这样会导致
MOS
管并联结构中的不良
MOS
管难以被发现和检测
。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施方式提供一种电路结构
、
电源设备以及电缆
。
[0004]本专利技术实施方式提供的电路结构包括
MOS
管开关电路
、
压差触发电路以及主控电路，其中，所述
MOS
管开关电路包括多个
MOS
管，多个所述
MOS
>管并联设置；所述压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电路结构，其特征在于，所述电路结构包括：
MOS
管开关电路，所述
MOS
管开关电路包括多个
MOS
管，多个所述
MOS
管并联设置；压差触发电路，所述压差触发电路与所述
MOS
管开关电路连接，所述压差触发电路用于检测所述
MOS
管开关电路两端的电压差，并在检测的电压差大于预设电压时，输出触发信号；主控电路，所述主控电路用于根据所述触发信号确定所述
MOS
管开关电路的工作状态
。2.
根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述压差触发电路包括第一开关管，所述第一开关管用于在所述压差触发电路检测的电压差大于所述预设电压时导通，使得所述压差触发电路输出所述触发信号
。3.
根据权利要求2所述的电路结构，其特征在于，所述第一开关管为三极管，所述三极管的基极与所述
MOS
管开关电路的一端连接，所述三极管的发射极与所述
MOS
管开关电路的另一端连接，所述压差触发电路检测的电压差为所述三极管基极与发射极的电压差
。4.
根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述主控电路还用于在所述压差触发电路输出所述触发信号时，控制所述
MOS
管开关电路关断
。5.
根据权利要求4所述的电路结构，其特征在于，在所述压差触发电路检测的电压差小于所述预设电压，所述压差触发电路不输出所述触发信号时，所述主控电路还用于控制所述
MOS
管开关电路导通
。6.
根据权利要求5所述的电路结构，其特征在于，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷云，张智锋，欧阳明星，周球生，
申请(专利权)人：深圳市华思旭科技有限公司，
类型：发明
国别省市：