电路结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电路结构

【技术实现步骤摘要】
电路结构、电源设备以及电缆


[0001]本专利技术涉及电子电路
，更具体而言，涉及到一种电路结构
、
电源设备以及电缆
。

技术介绍

[0002]在相关技术中，多个
MOS
管并联使用的结构中，在其中一个或者几个
MOS
管坏了，而其它
MOS
管能够正常工作的情况下，
MOS
管并联结构依然能够工作，表面上并不影响电路工作
。
这样会导致
MOS
管并联结构中的不良
MOS
管难以被发现和检测
。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施方式提供一种电路结构
、
电源设备以及电缆
。
[0004]本专利技术实施方式提供的电路结构包括
MOS
管开关电路
、
压差触发电路以及主控电路，其中，所述
MOS
管开关电路包括多个
MOS
管，多个所述
MOS
管并联设置；所述压差触发电路与所述
MOS
管开关电路连接，所述压差触发电路用于检测所述
MOS
管开关电路两端的电压差，并在检测的电压差大于预设电压时，输出触发信号；所述主控电路用于根据所述触发信号确定所述
MOS
管开关电路的工作状态
。
[0005]在某些实施方式中，所述压差触发电路包括第一开关管，所述第一开关管用于在所述压差触发电路检测的电压差大于所述预设电压时导通，使得所述压差触发电路输出所述触发信号
。
[0006]在某些实施方式中，所述第一开关管为三极管，所述三极管的基极与所述
MOS
管开关电路的一端连接，所述第三极管的发射极与所述
MOS
管开关电路的另一端连接，所述压差触发电路检测的电压差为所述三极管基极与发射极的电压差
。
[0007]在某些实施方式中，所述主控电路还用于在所述压差触发电路输出所述触发信号时，控制所述
MOS
管开关电路关断
。
[0008]在某些实施方式中，在所述压差触发电路检测的电压差小于所述预设电压，所述压差触发电路不输出所述触发信号时，所述主控电路还用于控制所述
MOS
管开关电路导通
。
[0009]在某些实施方式中，所述电路结构还包括第二开关管，所述主控电路还用于控制所述第二开关管的导通或关断，以控制所述
MOS
管开关电路导通或关断
。
[0010]在某些实施方式中，所述第二开关管用于控制多个所述
MOS
管接入的驱动电压，以控制多个所述
MOS
管导通或关断
。
[0011]在某些实施方式中，所述电路结构还包括电源连接端以及输出端，所述电源连接端用于连接电源电压，所述
MOS
管开关电路用于控制所述电源连接端与所述输出端的连通或关断
。
[0012]在某些实施方式中，所述电源连接端用于连接储能组，所述输出端用于连接目标供电系统，所述目标供电系统包括启动机和汽车电池中的至少一者
。
[0013]在某些实施方式中，所述输出端包括交流输出端
、
直流输出端
、USB
端口
、
点烟器输
出端中的至少一种
。
[0014]本专利技术实施方式提供一种电源设备，所述电源设备包括壳体和上述任意一种实施方式的电路结构，所述电路结构设置在所述壳体内
。
[0015]本专利技术实施方式提供一种线缆，所述线缆包括壳体和上述任意一种实施方式的电路结构，所述电路结构设置在所述壳体内，所述输出口包括第一夹具和第二夹具，所述第一夹具和所述第二夹具用于连接目标供电系统；所述线缆还包括可插拔接口，所述可插拔接口用于可插拔连接储能组
。
[0016]在某些实施方式中，所述线缆还包括可插拔接口，所述可插拔接口用于可插拔连接储能组
。
[0017]本专利技术实施方式的电路结构
、
电源设备以及电缆中，
MOS
管开关电路包括的多个
MOS
管并联设置
。
压差触发电路能够检测
MOS
管开关电路两端的电压，在
MOS
管开关电路存在不良
MOS
管的时候，每一个
MOS
管两端的电压差会大于预设电压，因此在检测的电压差大于预设电压时，可以认为
MOS
管并联结构中存在不良
MOS
管，压差触发电路输出触发信号
。
在压差触发电路输出触发信号时，主控电路可以确定
MOS
管开关电路中存在不良
MOS
管
。
如此，压差触发电路和主控电路能够通过检测
MOS
管两端的电压差确定
MOS
管并联结构中是否存在不良
MOS
管，这就解决了
MOS
管并联结构中的不良
MOS
管难以被发现和检测的问题
。
[0018]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到
。
附图说明
[0019]本专利技术的上述和
/
或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0020]图1是本专利技术实施方式的电路结构的示意图；
[0021]图2是本专利技术实施方式的电路结构的电路示意图；
[0022]图3是本专利技术实施方式的电路结构的电路示意图；
[0023]图4是本专利技术实施方式的电路结构的示意图
。
具体实施方式
[0024]下面详细描述本专利技术的实施方式，所述的实施方式在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件
。
下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制
。
[0025]在相关
中，多个
MOS
管并联使用的结构中，在其中一个或者几个
MOS
管坏了，而其它
MOS
管能够正常工作的情况下，
MOS
管并联结构依然能够工作，表面上并不影响电路工作
。
这样会导致
MOS
管并联结构中的不良
MOS
管难以被发现和检测
。
在
MOS
管并联结构存在不良
MOS
管并且
MOS
管并联结构继续工作的情况下，正常的
MOS
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电路结构，其特征在于，所述电路结构包括：
MOS
管开关电路，所述
MOS
管开关电路包括多个
MOS
管，多个所述
MOS
管并联设置；压差触发电路，所述压差触发电路与所述
MOS
管开关电路连接，所述压差触发电路用于检测所述
MOS
管开关电路两端的电压差，并在检测的电压差大于预设电压时，输出触发信号；主控电路，所述主控电路用于根据所述触发信号确定所述
MOS
管开关电路的工作状态
。2.
根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述压差触发电路包括第一开关管，所述第一开关管用于在所述压差触发电路检测的电压差大于所述预设电压时导通，使得所述压差触发电路输出所述触发信号
。3.
根据权利要求2所述的电路结构，其特征在于，所述第一开关管为三极管，所述三极管的基极与所述
MOS
管开关电路的一端连接，所述三极管的发射极与所述
MOS
管开关电路的另一端连接，所述压差触发电路检测的电压差为所述三极管基极与发射极的电压差
。4.
根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述主控电路还用于在所述压差触发电路输出所述触发信号时，控制所述
MOS
管开关电路关断
。5.
根据权利要求4所述的电路结构，其特征在于，在所述压差触发电路检测的电压差小于所述预设电压，所述压差触发电路不输出所述触发信号时，所述主控电路还用于控制所述
MOS
管开关电路导通
。6.
根据权利要求5所述的电路结构，其特征在于，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷云，张智锋，欧阳明星，周球生，
申请(专利权)人：深圳市华思旭科技有限公司，
类型：发明
国别省市：