射频开关制造技术

本申请公开了一种射频开关

【技术实现步骤摘要】
射频开关、芯片以及射频前端模组


[0001]本申请涉及射频
，尤其涉及一种射频开关
、
芯片以及射频前端模组
。

技术介绍

[0002]在射频前端电路中，射频开关是必不可少的元件之一
。
射频开关可用于切换天线与射频系统的发射路径或接收路径之间的电连接，从而允许多个路径接入天线
。
[0003]在传统的射频开关中，对发射端口
、
接收端口之间的射频开关单元进行通断控制时，射频开关中被传输的射频信号易从导通的射频开关单元中泄露到与其连接到同一接地端口的射频开关单元，从而导致射频开关的隔离度较差
。

技术实现思路

[0004]本申请提出了一种射频开关
、
芯片以及射频前端模组
。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种射频开关，包括：第一传输端口；多个第二传输端口；至少一个电容；多个射频开关单元，每个所述射频开关单元的第一端连接所述第一传输端口，每个所述射频开关单元的第二端对应连接一个所述第二传输端口，每个所述射频开关单元的第三端通过连接件连接到所述基板的接地件，且至少两个所述射频开关单元连接同一所述接地件；其中，与同一所述接地件连接的任意两个所述射频开关单元之间串联连接一个所述电容
。
[0006]可选地，所述电容为所述电容值可调的电容
。
[0007]可选地，所述连接件的数量为多个，所述至少一个电容包括第一电容，所述多个射频开关单元包括第一射频开关单元以及第二射频开关单元，每一所述射频开关单元分别对应一个所述连接件；所述第一射频开关单元的第三端以及所述第二射频开关单元的第三端分别通过对应的所述连接件连接到所述基板上的第一接地件，且所述第一射频开关单元与所述第二射频开关单元之间串联连接所述第一电容
。
[0008]可选地，所述第一射频开关单元用于传输第一频率的射频信号，所述第二射频开关单元用于传输第二频率的射频信号；当所述第一射频开关单元导通时，所述第一电容的容值为第一电容值，所述第一电容值与所述第一频率相关；当所述第二射频开关单元导通时，所述第一电容的容值为第二电容值，所述第二电容值与所述第二频率相关
。
[0009]可选地，所述射频开关单元的数量大于或等于3个，每个所述射频开关单元的第三端连接到所述基板上的同一所述接地件，任意两个所述射频开关单元之间串联连接一个所述电容
。
[0010]可选地，所述射频开关单元的数量大于或等于4个，所述多个射频开关单元通过至少两个所述连接件连接到所述基板上的至少两个所述接地件，不同的所述接地件之间彼此绝缘，且连接到同一所述接地件的任意两个所述射频开关单元之间串联连接一个所述电容
。
[0011]可选地，所述连接件的数量为多个，所述至少一个电容包括第二电容以及第三电
容，所述多个射频开关单元包括第三射频开关单元
、
第四射频开关单元
、
第五射频开关单元以及第六射频开关单元，每一所述射频开关单元分别对应一个所述连接件；所述第三射频开关单元的第三端以及所述第四射频开关单元的第三端分别通过对应的所述连接件连接到所述基板上的第二接地件，且所述第三射频开关单元与所述第四射频开关单元之间串联连接所述第二电容；所述第五射频开关单元的第三端以及所述第六射频开关单元的第三端分别通过对应的所述连接件连接到所述基板上的第三接地件，且所述第五射频开关单元与所述第六射频开关单元之间串联连接所述第三电容；所述第二接地件与所述第三接地件之间彼此绝缘
。
[0012]可选地，每个所述射频开关单元包括串联支路以及并联支路；所述串联支路的第一端连接至所述射频开关单元的第一端，所述串联支路的第二端连接至所述射频开关单元的第二端；所述并联支路的第一端连接至所述射频开关单元的第二端，所述并联支路的第二端连接至所述射频开关单元的第三端
。
[0013]可选地，所述串联支路包括第一晶体管，所述第一晶体管的第一端连接至所述射频开关单元的第一端，所述第一晶体管的第二端连接至所述射频开关单元的第二端，所述第一晶体管的第三端用于接收第一控制信号；所述并联支路包括第二晶体管，所述第二晶体管的第一端连接至所述射频开关单元的第二端，所述第二晶体管的第二端连接至所述射频开关单元的第三端，所述第二晶体管的第三端用于接收第二控制信号；其中，所述第一晶体管与所述第二晶体管为导通条件相同的晶体管，所述第一控制信号和所述第二控制信号为一对相位相反的控制信号
。
[0014]可选地，所述串联支路包括多个所述第一晶体管，多个所述第一晶体管之间串联连接，相邻两个第一晶体管中前一个第一晶体管的第一端与后一个第一晶体管的第二端连接，每个所述第一晶体管的第三端用于接收所述第一控制信号；所述并联支路包括多个所述第二晶体管，多个所述第二晶体管之间串联连接，相邻两个第二晶体管中前一个第二晶体管的第一端与后一个第二晶体管的第二端连接，每个所述第二晶体管的第三端用于接收所述第二控制信号
。
[0015]可选地，所述射频开关集成在芯片内，所述连接件为凸块或邦线，用于将所述芯片连接到基板
。
[0016]第二方面，本申请实施例提供了一种芯片，所述芯片包括上述的射频开关
。
[0017]第三方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，包括基板和上述的芯片，所述芯片通过连接件连接于所述基板
。
[0018]本申请实施例提供的射频开关包括：第一传输端口；多个第二传输端口；至少一个电容；多个射频开关单元，每个射频开关单元的第一端连接第一传输端口，每个射频开关单元的第二端对应连接一个第二传输端口，每个射频开关单元的第三端通过连接件连接到基板的接地件，且至少两个所述射频开关单元连接同一接地件；其中，与同一接地件连接的任意两个射频开关单元之间串联连接一个电容
。
如此，通过在连接到同一接地件的任两个射频开关单元之间串联连接电容，使得电容与连接于电容的连接件和接地件之间发生谐振，阻止了被传输的射频信号在连接到同一接地件的射频开关单元之间发生泄露，从而提升了射频开关的隔离度
。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0020]图1示出了本申请一实施例提供的射频开关的结构示意图
。
[0021]图2示出了本申请一实施例提供的射频开关单元的电路示意图
。
[0022]图3示出了本申请另一实施例提供的射频开关单元的电路示意图
。
[0023]图4示出了本申请一实施例提供的射频开关的电路等效示意图
。
[0024]图5示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种射频开关，设置于基板，其特征在于，所述射频开关包括：第一传输端口；多个第二传输端口；至少一个电容；多个射频开关单元，每个所述射频开关单元的第一端连接所述第一传输端口，每个所述射频开关单元的第二端对应连接一个所述第二传输端口，每个所述射频开关单元的第三端通过连接件连接到所述基板的接地件，且至少两个所述射频开关单元连接同一所述接地件；其中，与同一所述接地件连接的任意两个所述射频开关单元之间串联连接一个所述电容
。2.
根据权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述电容为电容值可调的电容
。3.
根据权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述连接件的数量为多个，所述至少一个电容包括第一电容，所述多个射频开关单元包括第一射频开关单元以及第二射频开关单元，每一所述射频开关单元分别对应一个所述连接件；所述第一射频开关单元的第三端以及所述第二射频开关单元的第三端分别通过对应的所述连接件连接到所述基板上的第一接地件，且所述第一射频开关单元与所述第二射频开关单元之间串联连接所述第一电容
。4.
根据权利要求3所述的射频开关，其特征在于，所述第一射频开关单元用于传输第一频率的射频信号，所述第二射频开关单元用于传输第二频率的射频信号；当所述第一射频开关单元导通时，所述第一电容的容值为第一电容值，所述第一电容值与所述第一频率相关；当所述第二射频开关单元导通时，所述第一电容的容值为第二电容值，所述第二电容值与所述第二频率相关
。5.
根据权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述射频开关单元的数量大于或等于3个，每个所述射频开关单元的第三端连接到所述基板上的同一所述接地件，任意两个所述射频开关单元之间串联连接一个所述电容
。6.
根据权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述射频开关单元的数量大于或等于4个，所述多个射频开关单元通过至少两个所述连接件连接到所述基板上的至少两个所述接地件，不同的所述接地件之间彼此绝缘，且连接到同一所述接地件的任意两个所述射频开关单元之间串联连接一个所述电容
。7.
根据权利要求6所述的射频开关，其特征在于，所述连接件的数量为多个，所述至少一个电容包括第二电容以及第三电容，所述多个射频开关单元包括第三射频开关单元
、
第四射频开关单元
、
第五射频开关单元以及第六射频开关单元，每一所述射频开关单元分别对应一个所述连接件；所述第三射频开关单元的第三端以及所述第四射频开...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝焕青，陈劲业，王欢，奉靖皓，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：