【技术实现步骤摘要】
采样开关电路
[0001]本专利技术涉及集成电路
,具体涉及一种采样开关电路
。
技术介绍
[0002]目前的采样开关,要么对于不同共模的信号传输阻抗会有变化,可能导致后续信号处理产生额外的失真,要么可能会出现部分
MOS
管处于超过标准工作电压的状态,从而导致电路的寿命和可靠性降低
。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种采样开关电路,电路中所有
MOS
管均处于标准工作电压下,电路的寿命和可靠性较高
。
[0004]为达上述目的,本专利技术提供如下技术方案:本专利技术提供一种采样开关电路,用于对输入信号进行传输,所述采样开关电路包括依次串联的逻辑控制单元
、
升压带单元
、
传输门单元;所述逻辑控制单元接收开关使能信号,产生控制信号输出;所述升压带单元接收所述逻辑控制单元输出的控制信号和所述输入信号,产生驱动信号输出;所述传输门单元具有驱动端
、
输入信号端
、
输出信号端和衬底端,所述驱动端接收所述驱动信号,在所述驱动信号的驱动下,将输入信号从输入信号端传输到输出信号端;所述采样开关电路还包括衬底切换单元,所述衬底切换单元与所述逻辑控制单元
、
所述升压带单元
、
所述输入信号
、
所述传输门单元的衬底端连接,在所述逻辑控制单元输出的控制信号和所述驱动信号的驱动控制下,产生不同的衬底电压输出给所述传 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种采样开关电路,用于对输入信号进行传输,其特征在于,所述采样开关电路包括依次串联的逻辑控制单元
、
升压带单元
、
传输门单元;所述逻辑控制单元接收开关使能信号,产生控制信号输出;所述升压带单元接收所述逻辑控制单元输出的控制信号和所述输入信号,产生驱动信号输出;所述传输门单元具有驱动端
、
输入信号端
、
输出信号端和衬底端,所述驱动端接收所述驱动信号,在所述驱动信号的驱动下,将输入信号从输入信号端传输到输出信号端;所述采样开关电路还包括衬底切换单元,所述衬底切换单元与所述逻辑控制单元
、
所述升压带单元
、
所述输入信号
、
所述传输门单元的衬底端连接,在所述逻辑控制单元输出的控制信号和所述驱动信号的驱动控制下,产生不同的衬底电压输出给所述传输门单元的衬底端
。2.
根据权利要求1所述的采样开关电路,其特征在于,所述采样开关电路具有两个工作状态:第一工作状态,开关使能信号为低,驱动信号为低,传输门单元关断,传输门单元不将输入信号从输入信号端传输到输出信号端,衬底切换单元产生的衬底电压为低;第二工作状态,开关使能信号为高,驱动信号为电源电压加输入信号电压,传输门单元导通,传输门单元将输入信号从输入信号端传输到输出信号端,衬底切换单元产生的衬底电压为输入信号电压
。3.
根据权利要求1所述的采样开关电路,其特征在于,所述逻辑控制单元包括依次串联的第一反相器
、
第二反相器
、
第三反相器以及与第三反相器并联的第四反相器,所述第一反相器
、
所述第二反相器
、
所述第三反相器
、
所述第四反相器的电源端和接地端均分别连接电源和连接地,所述第一反相器输出第一控制信号,所述第二反相器输出第二控制信号,所述第三反相器输出第三控制信号,所述第四反相器输出第四控制信号
。4.
根据权利要求3所述的采样开关电路,其特征在于,所述升压带单元包括第一
MOS
管
、
第二
MOS
管
、
第三
MOS
管
、
第四
MOS
管
、
第五
MOS
管
、
第六
MOS
管
、
电容,所述第一
MOS
管为
PMOS
,所述第一
MOS
管的源端连接电源,所述第一
MOS
管的漏端连接所述第二
MOS
管的源端,所述第二
MOS
管为
PMOS
,所述第二
MOS
管的漏端连接所述电容的上极板,所述电容的下极板连接所述第三
MOS
管的漏端连接,所述第三
MOS
管为
NMOS
,所述第三
MOS
管的源端连接地,所述电容的上极板还与所述第四
MOS
管的源端连接,所述第四
MOS
管为
PMOS
,所述第四
MOS
管的漏端与所述第二
MOS
管的栅端
、
所述第五
MOS
管的栅端连接,并输出所述驱动信号,所述第五
MOS
管为
NMOS
,所述第五
MOS
...
【专利技术属性】
技术研发人员:王洋,吴建舟,章彬,
申请(专利权)人:苏州旗芯微半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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