一种制造技术

本发明专利技术涉及碳化硅涂层技术领域，且公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种CVD碳化硅涂层和及高纯化制备的方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅涂层
，具体为一种
CVD
碳化硅涂层和及高纯化制备的方法
。

技术介绍

[0002]CVD
涂层属于原子沉积类
,
是利用金属卤化物的蒸气
、
氢气和其他化学成分
,
在
950
～
1050℃
的高温下
,
进行分解
、
热合等气
、
固反应沉积物以原子
、
离子
、
分子等原子尺度的形态在加热基体表面形成固态沉积层的一种方法
,
其过程包括三个阶段
:
物料汽化
、
运输到基体附近和在基体上形成覆盖层
。
[0003]碳化硅涂层的应用领域从终端应用层上来看在碳化硅资料在高铁
、
轿车电子
、
智能电网
、
光伏逆变
、
工业机电
、
数据中心
、
白色家电
、
消费电子
、5G
通讯
、
次世代显现等范畴有着广泛的应用
。
[0004]目前针对于碳化硅的涂层技术一般是高温汽化硅料配方溶液然后进行涂覆，如公开号为
(CN 115872777 A)
的一种基于
CVR
和
CVD
的石墨表面碳化硅涂层的制备方法，
S1
：将氯铂酸粉末和无水乙醇倒入到搅拌装置内部，将氯铂酸粉末溶解在无水乙醇中，制备催化剂溶液；
S2
：将固体硅料溶液和催化剂溶液倒入到搅拌装置内部并混合搅拌，获得混合溶液；切割刀片组与搅拌叶组更换初始位置，固定传动机构
、
功能切换机构和功能移动机构之间的配合，使得切割刀片组与搅拌叶组可以快速切换，方便使用者在搅拌前，可以将粉料结块快速粉碎，方便后期进行混合搅拌
。
[0005]前述技术方案中针对碳化硅涂层的制备主要配合切割设备使得固体硅快速被粉碎至符合硅料溶液要求的粉体，而后利用浮选法取出浮沫杂质，保留最纯净的碳化硅涂料，但是浮选法只能选择较大颗粒的固态杂质，无法去除涂料内的微粒杂质，同时浮选法取出杂质后会影响涂料重量，后续则需要从再生产的涂料中调配补充重量
。

技术实现思路

[0006](
一
)
解决的技术问题
[0007]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种
CVD
碳化硅涂层和及高纯化制备的方法，具备使用浮选法对涂料进行提纯操作同时不会影响重量，提纯涂料精准度更高等优点，解决了上述技术问题
。
[0008](
二
)
技术方案
[0009]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种
CVD
碳化硅涂层，包括以下原料和辅料：
[0010]所述原料包括：氯铂酸粉末
10
‑
20
％
、
无水乙醇
30
‑
40
％和固体硅料粉
40
‑
58
％；
[0011]所述辅料包括：二氧化硅微粉
1.8
％
、
氧化钇
0.1
％
、
氧化镧
0.1
％
。
[0012]优选的，氯铂酸粉末
10
％
、
无水乙醇
30
％和固体硅料粉
58
％；所述辅料包括：二氧化硅微粉
1.8
％
、
氧化钇
0.1
％
、
氧化镧
0.1
％
。
[0013]优选的，氯铂酸粉末
20
％
、
无水乙醇
20
％和固体硅料粉
58
％；所述辅料包括：二氧化硅微粉
1.8
％
、
氧化钇
0.1
％
、
氧化镧
0.1
％
。
[0014]优选的，氯铂酸粉末
15
％
、
无水乙醇
40
％和固体硅料粉
43
％；所述辅料包括：二氧化硅微粉
1.8
％
、
氧化钇
0.1
％
、
氧化镧
0.1
％
。
[0015]一种
CVD
碳化硅涂层高纯化制备的方法，包括以下步骤：
[0016]步骤一
、
将氯铂酸粉末
、
无水乙醇预先搅拌混合，而后加入固体硅料粉继续搅拌为混合料；
[0017]步骤二
、
向混合料内依次加入二氧化硅微粉
、
氧化钇
、
氧化镧进行搅拌混合为混合溶液；
[0018]步骤三
、
使用半干成型法控制混合溶液水分，使其成为含水量较低的固态；
[0019]步骤四
、
将含水量较低的固态原料送入高温煅烧炉烧制，烧制结束后得到成品碳化硅；
[0020]步骤五
、
检测成品碳化硅内
SiC
的含量，不合格继续加入固体硅料粉进行烧制；
[0021]步骤六
、
检测成品碳化硅
sic
含量合格后进行
CVD
气化法对工件涂覆
。
[0022]优选的，所述步骤一中氯铂酸粉末
、
无水乙醇搅拌混合时间为
15
‑
20min
，所述搅拌设备转数为
200
‑
500rpm
，所述固体硅料粉在氯铂酸粉末
、
无水乙醇搅拌混合时间达标后一次性加入，所述固体硅料粉加入后搅拌时间为
10
‑
15min
，搅拌转数为
200
‑
500rpm。
[0023]通过上述技术方案，通过将原料依次混合，确保混合度充分，同时利用无水乙醇调和氯铂酸粉末和固体硅料粉，将二者调和为溶液
。
[0024]优选的，所述二氧化硅微粉
、
氧化钇
、
氧化镧依次添加，每次添加间隔在1‑
3min
，所述二氧化硅微粉
、
氧化钇
、
氧化镧加入完毕后搅拌时间为
10
‑
15min
，搅拌转数为
200...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
CVD
碳化硅涂层，其特征在于，包括以下原料和辅料：所述原料包括：氯铂酸粉末
10
‑
20
％
、
无水乙醇
30
‑
40
％和固体硅料粉
40
‑
58
％；所述辅料包括：二氧化硅微粉
1.8
％
、
氧化钇
0.1
％
、
氧化镧
0.1
％
。2.
根据权利要求1所述的一种
CVD
碳化硅涂层，其特征在于：所述原料包括：氯铂酸粉末
10
％
、
无水乙醇
30
％和固体硅料粉
58
％；所述辅料包括：二氧化硅微粉
1.8
％
、
氧化钇
0.1
％
、
氧化镧
0.1
％
。3.
根据权利要求1所述的一种
CVD
碳化硅涂层，其特征在于：所述原料包括：氯铂酸粉末
20
％
、
无水乙醇
20
％和固体硅料粉
58
％；所述辅料包括：二氧化硅微粉
1.8
％
、
氧化钇
0.1
％
、
氧化镧
0.1
％
。4.
根据权利要求1所述的一种
CVD
碳化硅涂层，其特征在于：所述原料包括：氯铂酸粉末
15
％
、
无水乙醇
40
％和固体硅料粉
43
％；所述辅料包括：二氧化硅微粉
1.8
％
、
氧化钇
0.1
％
、
氧化镧
0.1
％
。5.
一种
CVD
碳化硅涂层高纯化制备的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一
、
将氯铂酸粉末
、
无水乙醇预先搅拌混合，而后加入固体硅料粉继续搅拌为混合料；步骤二
、
向混合料内依次加入二氧化硅微粉
、
氧化钇
、
氧化镧进行搅拌混合为混合溶液；步骤三
、
使用半干成型法控...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟荣，
申请(专利权)人：嵊州市西格玛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：