检查行线的缺陷的数据存储装置及其操作方法制造方法及图纸

一种数据存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其被配置为控制存储器装置，其中，多个存储器块与各行线连接，其中，各行线包括字线，其中，存储器控制器还被配置为：检查在除字线之外的各行线是否发生电阻缺陷；并且将与发生电阻缺陷的行线相对应的存储器块的编程操作时间设置为长于其它存储器块的编程操作时间。其它存储器块的编程操作时间。其它存储器块的编程操作时间。

【技术实现步骤摘要】
检查行线的缺陷的数据存储装置及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年6月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2022
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0072324的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。


[0003]在本文中描述的本公开的实施例涉及一种数据存储装置，并且更具体地，涉及一种能够检查在行线发生的缺陷的数据存储装置。

技术介绍

[0004]半导体存储器指通过使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)的半导体实现的存储器装置。半导体存储器装置被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置在没有电力的情况下丢失其存储的数据，而非易失性存储器装置即使在没有电力的情况下也保留其存储的数据。
[0005]半导体存储器装置的特性可能由于诸如其的操作环境、其使用的次数及其总使用时间的各种因素而改变，从而导致半导体存储器装置的可靠性下降。因此，正在开发提高半导体存储器装置的可靠性的方法。

技术实现思路

[0006]本公开的实施例提供了一种能够检查是否存在发生电阻缺陷的行线的数据存储装置。
[0007]本公开的实施例提供了一种数据存储装置，该数据存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其被配置为控制存储器装置，其中，多个存储器块与各行线连接，其中，各行线包括字线，其中，存储器控制器还被配置为：检查在除字线之外的各行线是否发生电阻缺陷；以及将与发生电阻缺陷的行线相对应的存储器块的编程操作时间设置为长于其它存储器块的编程操作时间。
[0008]本公开的实施例提供了一种数据存储装置，该数据存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其被配置为控制存储器装置，其中，多个存储器块与各行线连接，其中，各行线包括字线，其中，存储器控制器还被配置为：检查在除字线之外的各行线是否发生电阻缺陷；以及将与发生电阻缺陷的行线相对应的存储器块作为坏块来管理。
[0009]本公开的实施例提供了一种数据存储装置，该数据存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其中，多个存储器块与包括字线的各行线连接，其中，存储器控制器通过将从多个存储器块中选择的存储器块的编程操作时间设置为短于其它存储器块的编程操作时间，来检查在除字线之外的各行线是否发生电阻缺陷。
附图说明
[0010]通过参照附图详细地描述本公开的实施例，本公开的上述和其它特征将变得明显。
[0011]图1是示出根据本公开的实施例的数据存储装置1000A的框图。
[0012]图2是示出图1的存储器装置1100的示例的框图。
[0013]图3是示出图1的存储器块BLK1至BLKm中的一个存储器块BLKa的示例的电路图。
[0014]图4A、图4B、图5A、图5B、图5C和图5D是用于详细描述当电阻缺陷发生在除字线WL之外的行线时的问题的示图。
[0015]图6是示出图1的数据存储装置1000A中包括的电阻缺陷管理器1220的操作的示例的流程图。
[0016]图7A、图7B和图7C是用于描述图6的电阻缺陷预检查操作的示例的示图。
[0017]图8A和图8B是用于描述图6的电阻缺陷预检查操作的另一示例的示图。
[0018]图9是用于描述图6的电阻缺陷预检查操作的另一示例的示图。
[0019]图10A和图10B是用于描述图6的电阻缺陷预检查操作的另一示例的示图。
[0020]图11、图12A和图12B是用于描述图6的电阻缺陷检查操作的示例的示图。
[0021]图13A和图13B是用于描述图6的坏块管理操作的示例的示图。
[0022]图14是示出根据本公开的另一实施例的数据存储装置1000B的示例的框图。
[0023]图15、图16A和图16B是用于描述图14的电阻缺陷管理器1220_1的电阻缺陷维护操作的示例的示图。
[0024]图17A和图17B是用于描述在串选择线发生电阻缺陷的情况的示例的示图。
[0025]图18是示出根据本公开的另一实施例的数据存储装置1000C的示例的框图。
具体实施方式
[0026]下面，将详细并清楚地描述本公开的实施例，以达到本领域的普通技术人员之一能够实现本专利技术的程度。
[0027]图1是示出根据本公开的实施例的数据存储装置1000A的框图。
[0028]根据本公开的实施例的数据存储装置1000A可以确定在与多个存储器块BLK1至BLKm连接的行线，特别是在除字线之外的行线是否发生电阻缺陷。在本文中，电阻缺陷可以意味着诸如地选择线或串选择线的行线的电阻率异常。当在除字线之外的行线发生电阻缺陷时，可能无法正常地执行编程操作。
[0029]当检查具有电阻缺陷的行线时，数据存储装置1000A可以将包括具有电阻缺陷的行线的存储器块作为坏块来管理，使得不再对该存储器块执行编程操作。由此，可以防止由于电阻缺陷引起的读取延迟的增加，并且可以降低发生不可纠正错误的概率。因此，可以提高数据的可靠性。
[0030]参照图1，数据存储装置1000A可以包括存储器装置1100和存储器控制器1200。
[0031]存储器装置1100从存储器控制器1200接收地址信号ADDR、命令信号CMD以及用户数据“DATA”。存储器装置1100基于地址信号ADDR和命令信号CMD将用户数据“DATA”存储在存储器单元阵列1110的存储器块BLK1至BLKm中。
[0032]存储器控制器1200包括ECC电路1210(例如，纠错码电路)和电阻缺陷管理器1220。
[0033]ECC电路1210产生用于纠正从存储器装置1100接收的数据的错误位的纠错码ECC。ECC电路1210通过对要提供给存储器装置1100的数据执行纠错编码，来产生添加了奇偶校验位的数据。奇偶校验位可以存储在存储器装置1100中。
[0034]ECC电路1210可以检测并纠正从存储器装置1100读取的用户数据“DATA”的错误。例如，ECC电路1210可以产生针对要存储至存储器装置1100中的用户数据“DATA”的纠错码。产生的纠错码可以与用户数据“DATA”一起存储在存储器装置1100中。
[0035]然后，ECC电路1210可以基于由此存储的纠错码来检测和纠正从存储器装置1100读取的用户数据“DATA”的错误。换句话说，ECC电路1210可以具有给定的错误纠正能力。包括错误位(或失败位)的、错误位(或失败位)的数量超过ECC电路1210的纠错能力的数据可以被称为“不可纠正ECC(UECC)数据”。
[0036]电阻缺陷管理器1220检查在存储器装置1100的存储器块BLK1至BLKm中是否存在与具有电阻缺陷的行线连接(或包括具有电阻缺陷的行线)的存储器块。当确定包括具有电阻缺陷的行线的存储器块时，电阻缺陷管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据存储装置，包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其被配置为控制所述存储器装置，其中，所述多个存储器块与各行线连接，其中，所述各行线包括字线，其中，所述存储器控制器还被配置为：检查在除所述字线之外的各行线是否发生电阻缺陷；以及将与发生所述电阻缺陷的行线相对应的存储器块的编程操作时间设置为长于其它存储器块的编程操作时间。2.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中，与发生所述电阻缺陷的行线相对应的所述存储器块的恢复时间裕量长于所述其它存储器块的恢复时间裕量。3.根据权利要求1所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器执行电阻缺陷预检查操作以检查在除所述字线之外的各行线是否发生所述电阻缺陷，并且其中，基于错误位的数量、未选择的串中包括的存储器单元的阈值电压的干扰程度、恢复代码算法的纠正级别、或行线电压电平分布，来执行所述电阻缺陷预检查操作。4.根据权利要求3所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器执行电阻缺陷检查操作以进一步检查在除所述字线之外的各行线是否发生所述电阻缺陷，并且其中，通过调整行线的编程操作的恢复时间裕量来执行所述电阻缺陷检查操作，该行线通过所述电阻缺陷预检查操作被确定为具有高于或等于给定水平的发生所述电阻缺陷的概率。5.根据权利要求4所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器将由所述电阻缺陷预检查操作确定为具有高于或等于所述给定水平的发生所述电阻缺陷的概率的所述行线的所述编程操作的所述恢复时间裕量设置为短于所述其它存储器块的恢复时间裕量。6.根据权利要求1所述的数据存储装置，还包括对与发生所述电阻缺陷的所述行线相对应的所述存储器块执行编程操作。7.根据权利要求6所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器基于由于所述编程操作而导致的错误位的数量，将与发生所述电阻缺陷的所述行线相对应的所述存储器块作为坏块来管理。8.根据权利要求6所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器基于由于所述编程操作而导致的错误位的数量，将与发生所述电阻缺陷的所述行线相对应的串作为坏串来管理。9.一种数据存储装置，包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其被配置为控制所述存储器装置，其中，所述多个存储器块与各行线连接，其中，所述各行线包括字线，其中，所述存储器控制器还被配置为：检查在除所述字线之外的各行线是否发生电阻缺陷；以及将与发生所述电阻缺陷的行线相对应的存储器块作为坏块来管理。10.根据权利要求9所述的数据存储装置，其中，所述存储器控制器包括：电阻缺陷管理器，其被配置为检查在除所述字线之外的各行线是否发生所述电阻缺
陷，并且其中，所述电阻缺陷管理器基于错误位的数量、未选择的串中包括的存储器单元的阈值电压的干扰程度、恢复代码算法的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李庚德，安浩圣，千允洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：