存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种充分地发挥了ＳＬＣ型闪存和ＭＬＣ型闪存这两者的优点的存储装置。存储装置包括：二值闪存，具有第一存储区域，每单个单元可以存储２种值；多值闪存，具有第二存储区域，每单个单元可以存储３种以上的值；以及控制部，在将第一存储区域配置于开头的区域的同时逻辑结合第一存储区域和第二存储区域，并作为为单一的存储区域的结合区域而进行数据的读写。根据预定的文件系统而在存储区域的开头存储数据的管理信息。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储在计算机或各种电子设备中使用的数据的存储装置。
技术介绍
近年来，作为计算机的外部存储装置，以紧凑型闪存(compactflash)(注册商标， 以下相同)为代表的存储卡、USB闪存驱动器(USBflash drive)正在普及。在这些外部存 储装置中内置有闪存，该闪存是可重写的非易失性ROM。有被称为SLC(Single Level Cell, 单级单元)型和MLC(Multi Level Cell，多级单元)型的闪存(例如，参照以下的专利文献 1)。专利文献1 日本专利文献特开2002-8380号公报。SLC型闪存是一直以来被广泛使用的存储器，是每单个单元可以存储1位的信息 的存储器(以下也称为“二值存储器”)。与此相对，MLC型存储器单元是每单个单元可以存 储2位以上的信息的存储器(以下也称为“多值存储器”)。MLC型闪存可以通过各单元取 完全充电的状态、电量剩余有三分之二的状态、电量剩余有三分之一的状态、被完全放电的 状态这四种状态而以每单个单元存储2位的信息。通常，MLC型闪存具有低速动作、可重写次数少、但存储容量比SLC型大的特点。另 一方面，SLC型闪存具有高速动作、可重写次数多、但存储容量比MLC型小的特点。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题鉴于上述问题，本专利技术所要解决的课题是提供一种发挥了 SLC型闪存和MLC型闪 存这两者的特点的优点的存储装置。用于解决问题的手段鉴于上述课题，本专利技术的一个实施方式的存储装置如下构成。即，本专利技术提供一种存储装置，该存储装置在存储区域的开头记录数据的管理信 息，并且可以根据预定的文件系统来存储数据，所述存储装置的特征在于，包括二值闪存， 具有第一存储区域，每单个单元可以存储2种值；多值闪存，具有第二存储区域，每单个单 元可以存储3种以上的值；以及控制部，在将所述第一存储区域配置于开头的区域的同时 逻辑结合所述第一存储区域和所述第二存储区域，并作为为单一的存储区域的结合区域而 进行数据的读写。根据上述方式的存储装置，将二值闪存所具有的第一存储区域配置于结合区域的 开头。因此，文件分配表等数据的管理信息被写入到二值闪存内。由于文件分配表是一旦 进行数据的写入或擦除就会被频繁地进行重写的管理信息，因此通过将动作速度高于多值3闪存的二值闪存配置于结合区域的开头，与全部区域由多值闪存构成的存储装置相比，可 以高速地存储数据。另外，由于二值闪存具有与多值闪存相比可重写次数多的特点，因此通 过将会被频繁地进行重写的文件分配表写入二值闪存，可以提高数据存储的可靠性。这样， 根据上述方式的存储装置，通过使用多值闪存而实现了大容量化，同时通过也使用二值闪 存而可以提供在动作的高速性和可靠性方面优良的存储装置。上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，S卩，所述控制部包括地址转换 部，进行所述结合区域与所述第一存储区域和所述第二存储区域之间的地址转换；以及选 择部，根据所述地址转换的结果，从所述二值闪存和所述多值闪存中选择所述数据的读写 目的地。根据该方式，可以根据地址转换的结果而容易地判断出数据的读写目的地。上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，S卩，所述控制部在将通过所述地 址转换部进行了转换后的地址发送给所述二值闪存和所述多值闪存之后，将用于进行所述 数据的读写的指令发送给所述被选择的闪存。根据该方式，向所有闪存发送转换后的地址，然后仅向被选择的闪存发送指令。根 据该方式，由于不需要从二值闪存和多值闪存中选择转换后的地址的发送目的地，因此可 以提高处理速度。上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，S卩，所述第一存储区域是占所述 结合区域的0. 5%以上且不足100%的任一比例的区域。通过将第一存储区域设定为这样 的区域，能够可靠地将文件分配表等管理信息存储在二值闪存内。上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，S卩，该存储装置经由预定的接口 与主机装置连接，所述控制部根据来自所述主机装置的指示而进行所述数据的读写。根据 该方式，可以将该存储装置用作主机装置的外部存储装置或内部存储装置。作为预定的接 口，例如可以使用USB、IEEE1394、串行ATA、并行ATA等接口。上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，S卩，所述控制部在从所述主机装 置接收到该存储装置的存储容量的询问时返回所述结合区域的存储容量。根据该方式，可 以将结合区域整体的容量而不是各闪存所个别具有的存储容量通知给主机装置。上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，S卩，包括多个所述多值闪存，所述 控制部在将所述第一存储区域配置于开头的区域的同时逻辑结合所述第一存储区域和多 个所述第二存储区域。根据该方式，可以具有多个多值闪存，因此可以提供具有大容量的存 储区域的存储装置。本专利技术也可以应用于以下方式的存储装置。即，该存储装置在存储区域的开头记 录数据的管理信息，并且可以根据预定的文件系统来存储数据，所述存储装置的特征在于， 包括二值闪存，具有第一存储区域，每单个单元可以存储2种值；多值闪存，具有比所述第 一存储区域大的第二存储区域，每单个单元可以存储3种以上的值；比较部，对从与该存储 装置连接的主机装置指定的地址和根据所述第一存储区域的最大容量而确定了的预定的 阈值进行比较；以及控制部，在所述地址为所述阈值以内的地址的情况下将数据的读写目 的地切换为所述二值闪存，在所述地址为超过所述阈值的地址的情况下将所述读写目的地 切换为所述多值闪存。根据该方式的存储装置，通过进行根据被指定的地址而在多值闪存与二值闪存之 间切换数据的读写目的地这样的简单的控制，可以对特性不同的这些闪存进行数据的读4写。结果，通过使用多值闪存而实现了大容量化，同时通过也使用二值闪存而可以提供在动 作的高速性和可靠性方面优良的存储装置。上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，S卩，所述控制部在所述读写目的 地被切换为所述二值闪存和所述多值闪存中的任一者的情况下，均原样使用所述地址的值 而对所述二值闪存或所述多值闪存进行数据的读写。根据该方式，由于不需要进行将由主 机装置指定的地址转换为其他体系的地址的处理，因此可以实现处理的简化。上述方式的存储装置也可以采用以下构成方式，S卩，所述控制部在从所述主机装 置接收到该存储装置的存储容量的询问时返回所述第二存储区域的存储容量。上述方式的 存储装置的最大存储容量与第二存储区域一致。因此，可以通过原样返回第二存储区域的 存储容量这样的简单的处理而将该存储装置的存储容量通知给主机装置。附图说明图1是表示作为第一实施例的存储装置的简要构成的说明图；图2是表示由第一实施例的单元管理电路进行的地址转换的概念的说明图；图3是示意性地表示第一实施例的单元管理电路的内部构成的框图；图4是第一实施例中的单元管理处理的流程图；图5是表示作为第二实施例的存储装置的简要构成的说明图；图6是表示通过第二实施例的单元管理电路进行的存储单元的切换控制的概念 的说明图；图7是示意性地表示第二实施例中的单元管理电路的内部构成的框图；图8是表示通过第二实施例的切换控制电路进行的切换动作的详细情况的说明 图。具体实施例方式以下，为了进一步明确上述本专利技术的作用和效果，根据实施例来说明本专利技术的实 施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储装置，包括：二值闪存，具有第一存储区域，每单个单元可以存储２种值；多值闪存，具有第二存储区域，每单个单元可以存储３种以上的值；接口，该接口与主机装置相连；以及控制部，逻辑结合所述第一存储区域和所述第二存储区域，并作为为单一的存储区域的结合区域而进行数据的读写；所述控制部包括：总线转换部，经由所述接口从所述主机装置接收包含对所述结合区域内的地址的指定的基于第一规格的信号，并将该信号转换为用于访问所述二值闪存和所述多值闪存的基于第二规格的信号；地址转换部，将由所述主机装置指定的地址转换为所述第一存储区域或所述第二存储区域内的地址；以及读写部，根据转换后的所述地址，针对所述第一存储区域或所述第二存储区域进行数据的读写。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：荒川忠史，
申请(专利权)人：巴比禄股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]