本实用新型专利技术涉及一种存储装置，包括多个闪存(1)、基板(2)以及壳体(3)，所述基板(2)包括内侧板(4)和外侧板(5)，所述闪存(1)固定在内侧板(4)上，所述内侧板(4)上设置有多个端口接线区(6)，所述外侧板(5)上设置有输入输出端口(7)，所述闪存(1)通过端口接线区(6)连接所述输入输出端口(7)。本实用新型专利技术提供的存储装置与传统的装置相比，本实用新型专利技术提供的存储装置能够满足大容量产品的设计需求，最大限度地减少应用端产品的设计尺寸，使用方便灵活。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种存储装置，尤其涉及一种基于半导体进行封装的存储装置，属于半导体应用领域。
技术介绍
半导体是人类当代工业发展中不可或缺的材料，通常意义上讲，半导体是指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的半导体材料特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有:禁带宽度、电阻率、载流子迀移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迀移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的专利技术及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命；20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的专利技术，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式。由此可见，半导体材料在人类现代化工业生产中起着举足轻重的作用，而伴随着半导体材料进行的各种产品研发、应用、设计等都是科研人员孜孜以求的目标。伴随着半导体材料的发展，我们认为可以有更多的应用和推广。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，解决好现有技术的问题，弥补现有目前市场上现有产品的不足。本技术提供了一种存储装置，包括多个闪存、基板以及壳体，所述基板包括内侦贩和外侧板，所述闪存固定在内侧板上，所述内侧板上设置有多个端口接线区，所述外侧板上设置有输入输出端口，所述闪存通过端口接线区连接所述输入输出端口。优选的，上述闪存累放于所述内侧板上。优选的，上述闪存通过粘合剂固定在所述内侧板上。优选的，上述多个闪存通过粘合剂相互粘连。优选的，上述壳体内填充有用于密封的树脂。优选的，上述壳体外壁上涂覆有防水材料层。本技术提供的存储装置与传统的装置相比，本技术提供的存储装置能够满足大容量产品的设计需求，最大限度地减少应用端产品的设计尺寸，使用方便灵活。【附图说明】图1为本技术结构示意图。图中标记:1_闪存；2-基板；3-壳体；4_内侧板；5_外侧板；6_端口接线区；7-输入输出端口。【具体实施方式】为了便于本领域普通技术人员理解和实施本技术，下面结合附图及【具体实施方式】对本技术作进一步的详细描述。如图1所示为本技术的存储装置结构示意图，主体包括多个闪存1、基板2以及壳体3。其中，所述基板2包括内侧板4和外侧板5，所述闪存I固定在内侧板4上，所述内侧板4上设置有多个端口接线区6，所述外侧板5上设置有输入输出端口 7，所述闪存I通过端口接线区6连接所述输入输出端口 7。如图1所示，闪存I累放于所述内侧板4上。闪存I通过粘合剂固定在所述内侧板4上。多个闪存I通过粘合剂相互粘连。在壳体3内填充有用于密封的树脂。壳体3外壁上涂覆有防水材料层。本技术提供的存储装置与传统的装置相比，本技术提供的存储装置能够满足大容量产品的设计需求，最大限度地减少应用端产品的设计尺寸，使用方便灵活。以上所述之【具体实施方式】为本技术的较佳实施方式，并非以此限定本技术的具体实施范围，本技术的范围包括并不限于本【具体实施方式】，凡依照本技术之形状、结构所作的等效变化均在本技术的保护范围内。【主权项】1.一种存储装置，包括多个闪存(1)、基板(2)以及壳体(3)，其特征在于，所述基板(2)包括内侧板⑷和外侧板(5)，所述闪存⑴固定在内侧板⑷上，所述内侧板⑷上设置有多个端口接线区￠)，所述外侧板(5)上设置有输入输出端口(7)，所述闪存(I)通过端口接线区(6)连接所述输入输出端口(7)。2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述闪存(I)累放于所述内侧板(4)上。3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于，所述闪存(I)通过粘合剂固定在所述内侧板⑷上。4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于，所述多个闪存(I)通过粘合剂相互粘连。5.根据权利要求4所述的存储装置，其特征在于，所述壳体(3)内填充有用于密封的树脂。6.根据权利要求5所述的存储装置，其特征在于，所述壳体(3)外壁上涂覆有防水材料层O【专利摘要】本技术涉及一种存储装置，包括多个闪存(1)、基板(2)以及壳体(3)，所述基板(2)包括内侧板(4)和外侧板(5)，所述闪存(1)固定在内侧板(4)上，所述内侧板(4)上设置有多个端口接线区(6)，所述外侧板(5)上设置有输入输出端口(7)，所述闪存(1)通过端口接线区(6)连接所述输入输出端口(7)。本技术提供的存储装置与传统的装置相比，本技术提供的存储装置能够满足大容量产品的设计需求，最大限度地减少应用端产品的设计尺寸，使用方便灵活。【IPC分类】H01L25/065【公开号】CN204668300【申请号】CN201520257273【专利技术人】刘晓岚 【申请人】刘晓岚【公开日】2015年9月23日【申请日】2015年4月21日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种存储装置，包括多个闪存(1)、基板(2)以及壳体(3)，其特征在于，所述基板(2)包括内侧板(4)和外侧板(5)，所述闪存(1)固定在内侧板(4)上，所述内侧板(4)上设置有多个端口接线区(6)，所述外侧板(5)上设置有输入输出端口(7)，所述闪存(1)通过端口接线区(6)连接所述输入输出端口(7)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓岚，
申请(专利权)人：刘晓岚，
类型：新型
国别省市：福建;35
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