清洁装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种清洁装置，用于清洁单晶炉副室，包括：提拉结构；中空设置的主轴，所述主轴的一端与所述提拉结构连接，所述主轴内部设置有第一通道，沿所述主轴的周向方向，所述主轴的侧壁上设置有多个吸附孔，所述第一通道的一端与所述吸附孔连通，所述第一通道的另一端通过管道与外部真空设备连接；套设在所述主轴上的环状清洁结构，所述环状清洁结构的外侧面设置有毛刷；套设在所述主轴上的环状吸附结构，且在所述主轴的轴向方向上，所述环状清洁结构的至少一侧设置有所述环状吸附结构，在与所述主轴的径向方向相平行的方向上，所述环状吸附结构上设置有与多所述吸附孔一一对应连通的多条吸附通道

【技术实现步骤摘要】
清洁装置


[0001]本技术涉及清洁
，尤其涉及一种清洁装置
。

技术介绍

[0002]随着单晶硅生长设备拉制晶体的直径和投料量不断增大，晶体长度越来越长，随之副室长度也随之增长
。
每当一根单晶硅棒拉制完成后，副室中会有一些挥发物附着在内壁上，若不及时清洁，下一次拉晶时会有自上而下的氩气气流吹动内壁上的挥发物颗粒，挥发物脱落后有可能会落入下方正在生长的硅液中，这样便会有单晶硅掉线变晶的可能，因此在每次拉晶完成后都会对副室进行清洁，以清除附着在副室内壁上的挥发物，从而保证下一次晶体拉制的品质
。
[0003]现在一般采用的方案就是长杆加洁净无尘布进行人工清理，首先，会在长竿上缠适当厚度的无尘布，用软绳固定，之后在无尘布上倒入适当的酒精，操作人员手持长杆从上到下对副室进行擦拭，完成对副室的清洁工作，这种清洁方式的效果受人为因素影响较大，且人员操作强度和便捷性都较差，副室越长，清洁就越繁琐
。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本技术提供一种清洁装置，解决副炉室难以清洁的问题
。
[0005]为了达到上述目的，本技术实施例采用的技术方案是：一种清洁装置，用于清洁单晶炉副室，包括：
[0006]提拉结构；
[0007]中空设置的主轴，所述主轴的一端与所述提拉结构连接，所述主轴内部设置有第一通道，沿所述主轴的周向方向，所述主轴的侧壁上设置有多个吸附孔，所述第一通道的一端与所述吸附孔连通，所述第一通道的另一端通过管道与外部真空设备连接；
[0008]套设在所述主轴上的环状清洁结构，所述环状清洁结构的外侧面设置有毛刷；
[0009]套设在所述主轴上的环状吸附结构，且在所述主轴的轴向方向上，所述环状清洁结构的至少一侧设置有所述环状吸附结构，在与所述主轴的径向方向相平行的方向上，所述环状吸附结构上设置有与多所述吸附孔一一对应连通的多条吸附通道
。
[0010]可选的，所述主轴和所述环状吸附结构之间设置有用于驱动所述环状清洁结构旋转的旋转结构
。
[0011]可选的，所述旋转结构包括：
[0012]设置于所述主轴内部的第二通道；
[0013]多个斜向气孔，沿所述主轴的周向方向，多个所述斜向气孔设置于所述主轴的侧壁上，所述第二通道的一端与所述斜向气孔连接，所述第二通道的另一端通过管道与压缩气体提供结构连通；
[0014]与多个所述斜向气孔一一对应的多个凹槽，多个所述凹槽设置于所述环状吸附结
构与所述主轴连接的内侧面上，所述凹槽具有与所述斜向气孔的出气方向相垂直的第一面
。
[0015]可选的，在所述主轴的径向方向上，所述凹槽的截面为三角形，所述凹槽的与所述第一面相邻的第二面与所述斜向气孔的出气方向相平行
。
[0016]可选的，在所述主轴的轴向方向上，所述第一通道的中心线与所述主轴的中心线重合，在所述第一通道的外部围设有多个所述第二通道，多个所述第二通道与多个所述斜向气孔一一对应连通
。
[0017]可选的，所述环状清洁结构通过轴承与所述主轴连接
。
[0018]可选的，沿着远离所述主轴的方向，所述吸附孔的孔径逐渐增大
。
[0019]可选的，在所述主轴的径向方向上，所述吸附孔具有第一中心线，沿着远离所述主轴的方向，所述吸附孔包括第一部分和第二部分，所述第一部分的侧壁与所述第一中心线之间的角度大于所述第二部分与所述第一中心线之间的角度
。
[0020]可选的，所述环状清洁结构远离所述提拉结构的一侧设置有所述环状吸附结构，所述环状吸附结构远离所述环状清洁结构的一侧设置有移动结构，所述移动结构包括与所述环状吸附结构连接的多个支撑杆，所述支撑杆远离所述环状吸附结构的一端设置有导向轮
。
[0021]可选的，所述支撑杆与所述环状吸附结构之间设置有弹性件
。
[0022]本技术的有益效果是：通过环状清洁结构与环状吸附结构相配合实现对副炉室的自动清洁，极大的减轻了人工劳动强度，避免了人为操作带来的不稳定的风险，也使设备稳定性和安全性大大提高
。
附图说明
[0023]图1表示本技术实施例中的清洁装置的结构示意图一；
[0024]图2表示本技术实施例中的清洁装置的结构示意图二；
[0025]图3表示本技术实施例中的主轴的结构示意图；
[0026]图4表示本技术实施例中的环状吸附结构的示意图；
[0027]图5表示本技术实施例中的环状清洁结构的示意图；
[0028]图6表示本技术实施例中的环状清洁结构局部放大示意图
。
具体实施方式
[0029]为使本公开实施例的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚
、
完整地描述
。
显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围
。
[0030]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义
。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序
、
数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分
。
同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个
。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其
等同，而不排除其他元件或者物件
。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的
。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变
。
[0031]参考图1‑
图6，本实施例提供一种清洁装置，用于清洁单晶炉副室，包括：
[0032]提拉结构；
[0033]中空设置的主轴1，所述主轴1的一端与所述提拉结构连接，所述主轴1内部设置有第一通道
11
，沿所述主轴1的周向方向，所述主轴1的侧壁上设置有多个吸附孔
21
，所述第一通道
11
的一端与所述吸附孔
21
连通，所述第一通道
11
的另一端
(
图3中表示出了所述第一通道
11
与外部真空结构连通的抽气口
12)
通过管道与外部真空设备连接；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种清洁装置，用于清洁单晶炉副室，其特征在于，包括：提拉结构；中空设置的主轴，所述主轴的一端与所述提拉结构连接，所述主轴内部设置有第一通道，沿所述主轴的周向方向，所述主轴的侧壁上设置有多个吸附孔，所述第一通道的一端与所述吸附孔连通，所述第一通道的另一端通过管道与外部真空设备连接；套设在所述主轴上的环状清洁结构，所述环状清洁结构的外侧面设置有毛刷；套设在所述主轴上的环状吸附结构，且在所述主轴的轴向方向上，所述环状清洁结构的至少一侧设置有所述环状吸附结构，在与所述主轴的径向方向相平行的方向上，所述环状吸附结构上设置有与多所述吸附孔一一对应连通的多条吸附通道
。2.
根据权利要求1所述的清洁装置，其特征在于，所述主轴和所述环状吸附结构之间设置有用于驱动所述环状清洁结构旋转的旋转结构
。3.
根据权利要求2所述的清洁装置，其特征在于，所述旋转结构包括：设置于所述主轴内部的第二通道；多个斜向气孔，沿所述主轴的周向方向，多个所述斜向气孔设置于所述主轴的侧壁上，所述第二通道的一端与所述斜向气孔连接，所述第二通道的另一端通过管道与压缩气体提供结构连通；与多个所述斜向气孔一一对应的多个凹槽，多个所述凹槽设置于所述环状吸附结构与所述主轴连接的内侧面上，所述凹槽具有与所述斜向气孔的出气方向相垂直的第一面
。4.
根据权利要求3所述的清洁装置，其特征在于，在所述主轴的径向方向上，所述凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋剑，
申请(专利权)人：西安芯晖设备技术有限公司，
类型：新型
国别省市：