一种特微尺寸钕铁硼烧结磁体及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种特微尺寸钕铁硼烧结磁体及其制备方法和应用

【技术实现步骤摘要】
一种特微尺寸钕铁硼烧结磁体及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于稀土永磁材料领域，具体涉及一种均一性较好的特微尺寸钕铁硼烧结磁体及其制备方法和应用
。

技术介绍

[0002]钕铁硼磁体在智电行业的应用占比越来越大，但因为该行业产品的特点为尺寸小，精度高，目前的常规压制方法暂不能满足小尺寸
(
单重＜
50g)
的均匀成型，所以为了得到理想尺寸形状的毛坯，传统方法通常采用压制一出多尺寸的压坯，烧结后再进行一定量的机切削加工方式，然而这种方式会造成大量的资源浪费及生产成本增加，因此如何解决微小尺寸钕铁硼产品粉末填充均匀性，保证压制尺寸均匀成为亟待解决的技术难题，急需开发一种微小尺寸成型系统及压制方法，即近终成型的技术
。

技术实现思路

[0003]为了改善上述技术问题，本专利技术提供一种特微尺寸钕铁硼烧结磁体及其制备方法，以解决现有压制特微尺寸时的填粉不均匀，烧结磁体的尺寸差异较大的问题
。
[0004]本专利技术提供一种钕铁硼烧结磁体，所述钕铁硼烧结磁体至少包括：压制方向的压制高度为
H
，取向方向的取向长度为
R
，长度为
L
，其中，
H
为3‑
30mm
，
R
为5‑
25mm
，
L
为5‑
25mm
；压制方向和取向方向垂直，长度方向分别与压制方向和取向方向垂直
。/>[0005]优选地，
H
优选为
10
‑
25mm
，
R
优选为
10
‑
20mm
，
L
优选为
10
‑
20mm。
[0006]根据本专利技术的实施方案，所述钕铁硼烧结磁体的边角位置的磁定向偏角
θ1和体心位置的磁定向偏角
θ2，磁偏角差值
|
θ1‑
θ2|≤1
°
。
本专利技术中，所述边角位置是指距离磁体边部
0.5mm
内，所述体心位置是指磁体的几何中心位置
。
[0007]根据本专利技术的实施方案，所述钕铁硼烧结磁体在压制方向上的尺寸差异
△
H
小于
0.3mm
，优选小于
0.2mm。
[0008]根据本专利技术的实施方案，所述钕铁硼烧结磁体在取向方向上的尺寸差异
△
W
小于
0.3mm
，优选小于
0.2mm。
[0009]根据本专利技术的实施方案，所述钕铁硼烧结磁体在长度方向上的尺寸差异
△
L
小于
0.3mm
，优选小于
0.2mm。
[0010]根据本专利技术的实施方案，所述钕铁硼烧结磁体的单重为
m
，
0.3g≤m≤50g
；优选地，
10g≤m≤40g。
[0011]根据本专利技术的实施方案，所述钕铁硼烧结磁体可选用本领域已知的组分，本专利技术中不做具体的限定
。
[0012]示例性地，所述钕铁硼烧结磁体至少包括如下组分：
[0013]R
，其质量含量为
26
％
‑
32
％；
[0014]B
，其质量含量为不大于
1.5
％；
[0015]M
，其质量含量为不大于3％；
[0016]余量为
Fe。
[0017]根据本专利技术的实施方案，
R
至少包括
Pr
和
/
或
Nd
，和任选的包括或不包括
Dy、Tb、Ho、Gd、Ce、La、Y
中的一种或多种
。
[0018]根据本专利技术的实施方案，
M
选自
Ti、Zr、V、Nb、Cu、Zr、Co、Al
和
Ga
元素中的一种或多种
。
[0019]根据本专利技术的实施方案，所述钕铁硼烧结磁体中，
R
的质量含量例如为
29
％
、30
％
、31
％
。
[0020]根据本专利技术的实施方案，所述钕铁硼烧结磁体中，
B
的质量含量例如为
0.1
％
、0.5
％
、1
％
、1.5
％
。
[0021]根据本专利技术的实施方案，所述钕铁硼烧结磁体中，
M
的质量含量例如为
0.1
％
、0.5
％
、1
％
、1.5
％
、2
％
、2.5
％
。
[0022]根据本专利技术的实施方案，所述钕铁硼烧结磁体优选采用自动压型系统压制成型得到
。
[0023]本专利技术还提供上述钕铁硼烧结磁体的制备方法，所述制备方法包括：
RFeBM
磁粉通过分段压制成型制备压坯；
[0024]所述
RFeBM
磁粉在下粉时，通过气动拍打并伴随超声振动传递，对压制模腔进行填粉；填粉结束后，进行至少包括初次压制和二次压制的分段压制成型
。
[0025]根据本专利技术的实施方案，所述
RFeBM
磁粉的制备方法如下：制备
RFeBM
鳞片；将
RFeBM
鳞片经制粉处理，得到
RFeBM
磁粉
。
[0026]根据本专利技术的实施方案，所述
RFeBM
鳞片可选用本领域已知的方法制备，本专利技术中不做具体限定
。
示例性地，所述
RFeBM
鳞片平均厚度为
0.1
‑
0.5mm
，例如为
0.28mm。
[0027]根据本专利技术的实施方案，所述制粉处理是指将
RFeBM
鳞片通过本领域已知的方法制备得到
RFeBM
磁粉
。
[0028]根据本专利技术的实施方案，所述制粉处理包括氢碎制粉和气流磨制粉
。
[0029]根据本专利技术的实施方案，所述
RFeBM
磁粉平均粒度为2‑5μ
m
，例如为
3.0
μ
m。
[0030]根据本专利技术的实施方案，所述下粉和压制成型在自动压型系统中进行
。
例如，所述自动压型系统包括下粉单元和成型单元；其中，
[0031]所述下粉单元依次包括料罐，粉末传送轨道，第一称量系统，第二称量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种钕铁硼烧结磁体，其特征在于，所述钕铁硼烧结磁体至少包括：压制方向的压制高度为
H
，取向方向的取向长度为
R
，长度为
L
，其中，
H
为3‑
30mm
，
R
为5‑
25mm
，
L
为5‑
25mm
；压制方向和取向方向垂直，长度方向分别与压制方向和取向方向垂直
。2.
根据权利要求1所述的钕铁硼烧结磁体，其特征在于，所述钕铁硼烧结磁体的边角位置的磁定向偏角
θ1和体心位置的磁定向偏角
θ2，磁偏角差值
|
θ1‑
θ2|≤1
°
。
优选地，所述钕铁硼烧结磁体在压制方向上的尺寸差异
△
H
小于
0.3mm。
优选地，所述钕铁硼烧结磁体在取向方向上的尺寸差异
△
W
小于
0.3mm。
优选地，所述钕铁硼烧结磁体在长度方向上的尺寸差异
△
L
小于
0.3mm。
优选地，所述钕铁硼烧结磁体的单重为
m
，
0.3g≤m≤50g。3.
根据权利要求1或2所述的钕铁硼烧结磁体，其特征在于，所述钕铁硼烧结磁体至少包括如下组分：
R
，其质量含量为
26
％
‑
32
％；
B
，其质量含量为不大于
1.5
％；
M
，其质量含量为不大于3％；余量为
Fe。
优选地，
R
至少包括
Pr
和
/
或
Nd
，和任选的包括或不包括
Dy、Tb、Ho、Gd、Ce、La、Y
中的一种或多种
。
优选地，
M
选自
Ti、Zr、V、Nb、Cu、Zr、Co、Al
和
Ga
元素中的一种或多种
。4.
根据权利要求1‑3任一项所述的钕铁硼烧结磁体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
RFeBM
磁粉通过分段压制成型制备压坯；所述
RFeBM
磁粉在下粉时，通过气动拍打并伴随超声振动传递，对压制模腔进行填粉；填粉结束后，进行至少包括初次压制和二次压制的分段压制成型
。5.
根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述
RFeBM
磁粉的制备方法如下：制备
RFeBM
鳞片；将
RFeBM
鳞片经制粉处理，得到
RFeBM
磁粉
。
示例性地，所述
RFeBM
鳞片平均厚度为
0.1
‑
0.5mm
，例如为
0.28mm。
优选地，所述制粉处理包括氢碎制粉和气流磨制粉
。
优选地，所述
RFeBM
磁粉平均粒度为2‑5μ
m。
优选地，所述下粉和压制成型在自动压型系统中进行
。6.
根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述初次压制的条件包括：不充磁，初次压制密度为
0.5
‑
2.5g/cm3。
优选地，所述二次压制的条件包括：边充磁边压制，压制终密度为3‑
5g/cm3。
优选地，所述
RFeBM
磁粉经压制成型后得到压坯，所述压坯的密度为4‑
5g/cm3。
优选地，在压制成型后，还可以进行等静压处理
。7.
根据权利要求4‑6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法进一步包括：将所述
RFeBM
磁粉压制成型得到压坯后进行烧结处理，得到所述钕铁硼烧结磁体
。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志强，张婷，苏国栋，薛令文，
申请(专利权)人：南通正海磁材有限公司，
类型：发明
国别省市：