一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构制造技术

本发明专利技术涉及一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构，包括由上到下依次叠置的压力感应结构层

【技术实现步骤摘要】
一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构


[0001]本专利技术涉及
MEMS
传感器芯片结构
，具体涉及一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构
。

技术介绍

[0002]MEMS
（微机电系统）传感器目前已被广泛应用于消费类电子
、
汽车电子
、
物联网
、
国防工业以及众多工业类产品，随着技术的发展，对
MEMS
传感器的性能也提出了越来越高的要求
。
而外界应力对
MEMS
传感器性能的影响尤为显著
。
外界应力变化时，势必引起相应的应变，上述应变传递至敏感结构将导致传感器输出信号的变化，尤其是基于电容式
、
压阻式和谐振式检测原理的
MEMS
传感器
。
[0003]基于硅压阻式的
MEMS
压力传感器的优点是灵敏度高
、
无迟滞
、
频率响应高
、
>输出电平高
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构，其特征在于：包括由上到下依次叠置的压力感应结构层（
100
）
、
固定支撑层（
200
）
、
纵向应力缓冲层（
300
）和连接板（
400
）；所述压力感应结构层（
100
）包括在其上表面设置的一组压阻电桥结构单元（
101
）阵列，在每个压阻电桥结构单元（
101
）下侧设有背腔（
102
），每个压阻电桥结构单元（
101
）周侧设有第一环槽（
103
），第一环槽（
103
）槽深大于压阻电桥结构单元（
101
）的厚度；所述固定支撑层（
200
）上设有与每个背腔（
102
）对应连通的第一通孔（
201
）；所述纵向应力缓冲层（
300
）包括在其下表面阵列设置与压阻电桥结构单元（
101
）相对应的凸台（
301
），每个凸台（
301
）上设有与每个第一通孔（
201
）对应连通的第二通孔（
310
），该组凸台（
301
）表面与连接板（
400
）连接形成点阵接触连接；所述连接板（
400
）上设有与每个第二通孔（
310
）对应连通的第三通孔（
401
）
。2.
根据权利要求1所述的一种适用于单片集成压力传感器阵列的低应力结构，其特征在于：所述第二通孔（
310
）至少包括一个同轴设置的折叠通孔单元（
311
），折叠通孔单元（

【专利技术属性】
技术研发人员：赵娟，郭威，宋有禹，李奥，丁艳丽，高园园，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：