【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置
[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置
、
显示模块及电子设备
。
本专利技术的一个方式涉及一种显示装置的制造方法
。
[0002]注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
。
作为本专利技术的一个方式的
的例子,可以举出半导体装置
、
显示装置
、
发光装置
、
蓄电装置
、
存储装置
、
电子设备
、
照明装置
、
输入装置
(
例如,触摸传感器等
)、
输入输出装置
(
例如,触摸面板等
)、
它们的驱动方法或它们的制造方法
。
技术介绍
[0003]近年来,智能手机等移动电话机
、
平板信息终端
、
笔记本型
PC(
个人计算机
)
等信息终端设备广泛普及
。
设置于这些信息终端设备中的显示面板被要求具有高清晰
。
[0004]此外,作为可以应用于显示面板的显示装置,典型地可以举出液晶显示装置
、
具备
EL(Electro Luminescence
:电致发光
)
元件或发光二极管
(LED
:
Light Emitting Diode)
等发光元件的发光装置
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种显示装置,包括:第一发光元件;第二发光元件;第一滤色片;以及第二滤色片,其中,所述第一发光元件及所述第二发光元件分别具有呈现白色光的功能,所述第一滤色片具有使所述第一发光元件呈现的光中的第一颜色的光透过的功能,所述第二滤色片具有使所述第二发光元件呈现的光中的与所述第一颜色不同的第二颜色的光透过的功能,所述第一发光元件包括第一像素电极
、
所述第一像素电极上的第一
EL
层以及所述第一
EL
层上的公共电极,所述第二发光元件包括第二像素电极
、
所述第二像素电极上的第二
EL
层以及所述第二
EL
层上的所述公共电极,所述第一发光元件包括所述第一像素电极的侧面与所述第一像素电极的底面所成的角度为
60
度以上
140
度以下的区域,并且,所述第一像素电极的厚度
T1
与所述第一
EL
层的厚度
T2
的比率
(T1/T2)
为
0.5
以上
。2.
一种显示装置,包括:第一发光元件;第二发光元件;第一滤色片;以及第二滤色片,其中,所述第一发光元件及所述第二发光元件分别具有呈现白色光的功能,所述第一滤色片具有使所述第一发光元件呈现的光中的第一颜色的光透过的功能,所述第二滤色片具有使所述第二发光元件呈现的光中的与所述第一颜色不同的第二颜色的光透过的功能,所述第一发光元件包括绝缘层上的第一像素电极
、
所述第一像素电极上的第一
EL
层以及所述第一
EL
层上的公共电极,所述第二发光元件包括所述绝缘层上的第二像素电极
、
所述第二像素电极上的第二
EL
层以及所述第二
EL
层上的所述公共电极,所述绝缘层在所述第一像素电极与所述第二像素电极间具有凹部,所述第一发光元件包括从所述凹部的底面向所述第一像素电极之下以与所述凹部的底面平行的方式延伸的底面延长线和所述凹部的侧面所成的角度为
60
度以上
140
度以下的区域,并且,所述凹部的底面到所述第一像素电极的顶面的距离
ET
与所述第一
EL
层的厚度
T2
的比率
(ET/T2)
为
0.5
以上
。3.
一种显示装置,包括:第一发光元件;第二发光元件;
第一颜色转换层;以及第二颜色转换层,其中,所述第一发光元件及所述第二发光元件分别具有呈现蓝色光的功能,所述第一颜色转换层具有将所述第一发光元件呈现的光转换为第一颜色的光的功能,所述第二颜色转换层具有将所述第二发光元件呈现的光转换为与所述第一颜色不同的第二颜色的光的功能,所述第一发光元件包括第一像素电极
、
所述第一像素电极上的第一
EL
层以及所述第一
EL
层上的公共电极,所述第二发光元件包括第二像素电极
、
所述第二像素电极上的第二
EL
层以及所述第二
EL
层上的所述公共电极,所述第一发光元件包括所述第一像素电极的侧面与所述第一像素电极的底面所成的角度为
60
度以上
140
度以下的区域,并且,所述第一像素电极的厚度
T1
与所述第一
EL
层的厚度
T2
的比率
(T1/T2)
为
0.5
以上
。4.
一种显示装置,包括:第一发光元件;第二发光元件;第一颜色转换层;以及第二颜色转换层,其中,所述第一发光元件及所述第二发光元件分别具有呈现蓝色光的功能,所述第一颜色转换层具有将所述第一发光元件呈现的光转换为第一颜色的光的功能,所述第二颜色转换层具有将所述第二发光元件呈现的光转换为与所述第一颜色不同的第二颜色的光的功能,所述第一发光元件包括绝缘层上的第一像素电极
、
所述第一像素电极上的第一
EL
层以及所述第一
EL
层上的公共电极,所述第二发光元件包括所述绝缘层上的第二像素电极
、
所述第二像素电极上的第二
EL
层以及所述第二
EL
层上的所述公共电极,所述绝缘层在所述第一像素电极与所述第二像素电极间具有凹部,所述第一发光元件包括从所述凹部的底面向所述第一像素电极之下以与所述凹部的底面平行的方式延伸的底面延长线和所述凹部的侧面所成的角度为
60
度以上
140
度以下的区域,并且,所述凹部的底面到所述第一像素电极的顶面的距离
ET
与所述第一
EL
层的厚度
T2
的比率
(ET/T2)
为
0.5
以上
。5.
根据权利要求项1至权利要求项4中任一项所述的显示装置,还包括与所述第一像素电极的侧面及所述第二像素电极的侧面接触的第一绝缘层
。6.
...
【专利技术属性】
技术研发人员:中村太纪,冈崎健一,佐藤来,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:
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