显示装置、显示模块、电子设备以及显示装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种高清晰或高分辨率的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层、第一着色层及第二着色层，第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极，第一绝缘层覆盖第一像素电极、第二像素电极、第一发光层及第二发光层各自的侧面，第一着色层以与第一发光器件重叠的方式配置，第二着色层以与第二发光器件重叠的方式配置，第一发光器件及第二发光器件都具有发射白色光的功能，第一着色层具有使与第二着色层不同颜色的可见光透过的功能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置、显示模块、电子设备以及显示装置的制造方法


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置
、
显示模块及电子设备
。
本专利技术的一个方式涉及一种显示装置的制造方法
。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述

。
作为本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置
、
显示装置
、
发光装置
、
蓄电装置
、
存储装置
、
电子设备
、
照明装置
、
输入装置
(
例如，触摸传感器等
)、
输入输出装置
(
例如，触摸面板等
)、
它们的驱动方法或它们的制造方法
。

技术介绍

[0003]近年来，智能手机等移动电话机
、
平板信息终端
、
笔记本型
PC(
个人计算机
)
等信息终端设备广泛普及
。
设置于这些信息终端设备中的显示器面板被要求具有高清晰
。
[0004]此外，作为可以应用于显示面板的显示装置，典型地可以举出液晶显示装置
、
具备有机
EL(Electro Luminescence
：电致发光
)
元件或发光二极管
(LED
：
Light Emitting Diode)
等发光元件
(
也称为发光器件
)
的发光装置
、
以电泳方式等进行显示的电子纸等
。
[0005]例如，有机
EL
元件
(
也称为有机
EL
器件
)
的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光性有机化合物的层的结构
。
通过对该元件施加电压，可以得到来自发光性有机化合物的发光
。
由于应用上述有机
EL
元件的显示装置不需要液晶显示装置等所需要的背光源，所以可以实现薄型
、
轻量
、
高对比度且低功耗的显示装置
。
例如，专利文献1公开了使用有机
EL
元件的显示装置的例子
。[
先行技术文献
][
专利文献
][0006][
专利文献
1]日本专利申请公开第
2002
‑
324673
号公报

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0007]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高清晰的显示装置
。
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高分辨率的显示装置
。
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高开口率的显示装置
。
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种大型显示装置
。
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种小型显示装置
。
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置
。
[0008]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高清晰的显示装置的制造方法
。
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高分辨率的显示装置的制造方法
。
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高开口率的显示装置的制造方法
。
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种大型显示装置的制造方法
。
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种小型显示装置的制造方法
。
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置的制造方法
。
本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种成品率高的显示装置的制造方法
。
[0009]注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在
。
本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的
。
可以从说明书
、
附图
、
权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的
。
解决技术问题的手段
[0010]本专利技术的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括第一发光器件
、
第二发光器件
、
第一绝缘层
、
第二绝缘层
、
第一着色层及第二着色层，第一发光器件包括第一像素电极
、
第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极
、
第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极，第一绝缘层覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部，第二绝缘层配置在第一绝缘层上，第二绝缘层覆盖第一发光层及第二发光层各自的侧面，第一着色层以与第一发光器件重叠的方式配置，第二着色层以与第二发光器件重叠的方式配置，第一发光器件及第二发光器件都具有发射白色光的功能，第一着色层具有使与第二着色层不同颜色的可见光透过的功能
。
[0011]在上述显示装置中，优选的是，包括第三绝缘层，其中第二绝缘层包含无机材料，并且第三绝缘层包含有机材料且隔着第二绝缘层与第一发光层及第二发光层各自的侧面以及第一绝缘层重叠
。
[0012]在上述显示装置中，优选的是，第一发光器件在第一发光层与公共电极之间包括公共层，第二发光器件在第二发光层与公共电极之间包括公共层，并且公共层包括空穴注入层
、
空穴抑制层
、
空穴传输层
、
电子传输层
、
电子抑制层和电子注入层中的至少一个
。
[0013]在上述显示装置中，优选的是，第一发光层包含与第二发光层同一的材料
。
[0014]本专利技术的另一个方式是一种显示装置，该显示装置包括第一发光器件
、
第二发光器件
、
第一绝缘层
、
第二绝缘层
、
第一着色层及第二着色层，第一发光器件包括第一像素电极
、
第一像素电极上的第一发光单元
、
第一发光单元上的第一电荷产生层
、
第一电荷产生层上的第二发光单元及第二发光单元上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极
、
第二像素电极上的第三发光单元
、
第三发光单元上的第二电荷产生层
、
第二电荷产生层上的第四发光单元及第四发光单元上的公共电极，第一绝缘层覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部，第二绝缘层配置在第一绝缘层上，第二绝缘层覆盖第一像素电极
、
第二像素电极
、
第一电荷产生层及第二电荷产生层各自的侧面，第一着色层以与第一发光器件重叠的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种显示装置，包括：第一发光器件；第二发光器件；第一绝缘层；第二绝缘层；第一着色层；以及第二着色层，其中，所述第一发光器件包括第一像素电极
、
所述第一像素电极上的第一发光层及所述第一发光层上的公共电极，所述第二发光器件包括第二像素电极
、
所述第二像素电极上的第二发光层及所述第二发光层上的所述公共电极，所述第一绝缘层覆盖所述第一像素电极的端部及所述第二像素电极的端部
。
所述第二绝缘层配置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层覆盖所述第一发光层及所述第二发光层各自的侧面，所述第一着色层以与所述第一发光器件重叠的方式配置，所述第二着色层以与所述第二发光器件重叠的方式配置，所述第一发光器件及所述第二发光器件都具有发射白色光的功能，并且，所述第一着色层具有使与所述第二着色层不同颜色的可见光透过的功能
。2.
根据权利要求1所述的显示装置，包括：第三绝缘层，其中所述第二绝缘层包含无机材料，并且所述第三绝缘层包含有机材料且隔着所述第二绝缘层与所述第一发光层及所述第二发光层各自的侧面以及所述第一绝缘层重叠
。3.
根据权利要求1或2所述的显示装置，其中所述第一发光器件在所述第一发光层与所述公共电极之间包括公共层，所述第二发光器件在所述第二发光层与所述公共电极之间包括所述公共层，并且所述公共层包括空穴注入层
、
空穴抑制层
、
空穴传输层
、
电子传输层
、
电子抑制层和电子注入层中的至少一个
。4.
根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中所述第一发光层包含与所述第二发光层同一的材料
。5.
一种显示装置，包括：第一发光器件；第二发光器件；第一绝缘层；第二绝缘层；第一着色层；以及第二着色层，其中，所述第一发光器件包括第一像素电极
、
所述第一像素电极上的第一发光单元
、
所述第一发光单元上的第一电荷产生层
、
所述第一电荷产生层上的第二发光单元及所述第二
发光单元上的公共电极，所述第二发光器件包括第二像素电极
、
所述第二像素电极上的第三发光单元
、
所述第三发光单元上的第二电荷产生层
、
所述第二电荷产生层上的第四发光单元及所述第四发光单元上的所述公共电极，所述第一绝缘层覆盖所述第一像素电极的端部及所述第二像素电极的端部
。
所述第二绝缘层配置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层覆盖所述第一像素电极
、
所述第二像素电极
、
所述第一电荷产生层及所述第二电荷产生层各自的侧面，所述第一着色层以与所述第一发光器件重叠的方式配置，所述第二着色层以与所述第二发光器件重叠的方式配置，所述第一发光器件及所述第二发光器件都具有发射白色光的功能，并且，所述第一着色层具有使与所述第二着色层不同颜色的可见光透过的功能
。6.
根据权利要求5所述的显示装置，包括：第三绝缘层，其中所述第二绝缘层包含无机材料，并且所述第三绝缘层包含有机材料且隔着所述第二绝缘层与所述第一电荷产生层及所述第二电荷产生层各自的侧面以及所述第一绝缘层重叠
。7.
根据权利要求5或6所述的显示装置，其中所述第一发光器件在所述第二发光单元与所述公共电极之间包括公共层，所述第二发光器件在所述第四发光单元与所述公共电极之间包括所述公共层，并且所述公共层包括空穴注入层
、
空穴抑制层
、
空穴传输层
、
电子传输层
、
电子抑制层和电子注入层中的至少一个
。8.
根据权利要求5至7中任一项所述的显示装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈崎健一，中村太纪，佐藤来，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：