显示装置及显示装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种高清晰显示装置。提供一种兼具有高显示品质和高清晰度的显示装置。本发明专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；以及第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第三绝缘层上，并且，第二EL层配置在第二像素电极上及第三绝缘层上。层上。层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置及显示装置的制造方法


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

技术介绍

[0003]近年来，高清晰显示器面板被需求。作为被要求高清晰显示器面板的设备，例如有智能手机、平板终端、笔记本型个人计算机等。另外，电视装置、监视装置等固定式显示器装置也随着高分辨率化被要求高清晰化。再者，作为最需求高清晰度的设备，例如有应用于虚拟现实(VR：Virtual Reality)或增强现实(AR：Augmented Reality)的设备。
[0004]此外，作为可以应用于显示器面板的显示装置，典型地可以举出液晶显示装置、具备有机EL(Electro Luminescence：电致发光)元件、发光二极管(LED：Light Emitting Diode)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。
[0005]例如，专利文献1公开了使用有机EL元件的应用于VR的显示装置的一个例子。[先行技术文献][专利文献][0006][专利文献1]国际专利申请公开第2018/087625号

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0007]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高清晰显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高开口率显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种兼具有高显示品质和高清晰度的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种对比度高的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。
[0008]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有新颖结构的显示装置或显示装置的制造方法。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种以高成品率制造上述显示装置的方法。本专利技术的一个方式的目的之一是至少改善现有技术的问题中的至少一个。
[0009]注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的目的。解决技术问题的手段
[0010]本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像
素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；以及第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第三绝缘层上，并且，第二EL层配置在第二像素电极上及第三绝缘层上。
[0011]本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；以及第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第三绝缘层上，第二EL层配置在第二像素电极上及第三绝缘层上，并且，第三绝缘层具有在第一像素电极上与第一绝缘层接触的区域。
[0012]另外，本专利技术的一个方式是一种显示装置的制造方法，包括：形成像素电极的工序；在像素电极上形成第一绝缘膜的工序；在第一绝缘膜上以覆盖像素电极的端部的方式形成第二绝缘层的工序；在第一绝缘膜上及第二绝缘层上形成第二绝缘膜的工序；使用抗蚀剂掩模蚀刻第一绝缘膜及第二绝缘膜而形成覆盖像素电极的端部的第一绝缘层以及具有与第一绝缘层接触的区域的第三绝缘层的工序；在像素电极上及所述第三绝缘层上形成EL层的工序；以及在EL层上形成公共电极的工序。
[0013]另外，在上述制造方法中，优选使用同一光掩模(曝光掩模)加工第一绝缘层、第二绝缘层及第三绝缘层。具体而言，形成将成为第一绝缘层的绝缘膜X，在其上沉积感光有机树脂，使用光掩模进行曝光，然后进行显影，由此形成第二绝缘层。此时，通过控制曝光条件以其图案宽度比光掩模的图案宽度小的方式形成第二绝缘层。然后，沉积将成为第三绝缘层的绝缘膜Y，使用上述光掩模形成被图案化的抗蚀剂掩模，使用该抗蚀剂掩模蚀刻绝缘膜X及绝缘膜Y，由此可以形成第一绝缘层及第三绝缘层。此时，控制抗蚀剂掩模的曝光条件以其图案宽度比第二绝缘层大的方式形成抗蚀剂掩模。由此，可以使用同一光掩模分别形成具有不同图案宽度的绝缘层。
[0014]另外，在上述任意个中，第一绝缘层及第三绝缘层优选包含无机材料。具体而言，优选包含氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化铪、铟镓氧化物或铟镓锌氧化物。
[0015]另外，在上述任意个中，第二绝缘层优选包含有机材料。具体而言，优选包含丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及上述树脂的前体等。
[0016]本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；以及第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第二绝缘层上，第二EL层配置在第二像素电极上及第二绝缘层上，第一绝缘层包含无机材料，并且，第二绝缘层包含有机材料。
[0017]本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；以及第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第二绝缘层上，第一EL层具有在第一像素电极上与第一绝缘层接触的区域，第二EL层配置在第二像素电极上及第二绝缘层上，第二EL层具有
在第二像素电极上与第一绝缘层接触的区域，第一绝缘层包含无机材料，并且，第二绝缘层包含有机材料。
[0018]另外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；以及第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第二绝缘层上，第二EL层配置在第二像素电极上及第二绝缘层上，第二绝缘层具有与第一像素电极接触的区域以及与第二像素电极接触的区域，第一绝缘层包含无机材料，并且，第二绝缘层包含有机材料。
[0019]另外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：像素电极；覆盖像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；像素电极上及第二绝缘层上的EL层；以及EL层上的公共本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及所述公共电极的第二显示元件；覆盖所述第一像素电极的端部及所述第二像素电极的端部的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第二绝缘层；以及所述第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，所述第一EL层配置在所述第一像素电极上及所述第三绝缘层上，并且，所述第二EL层配置在所述第二像素电极上及所述第三绝缘层上。2.一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及所述公共电极的第二显示元件；覆盖所述第一像素电极的端部及所述第二像素电极的端部的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第二绝缘层；以及所述第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，所述第一EL层配置在所述第一像素电极上及所述第三绝缘层上，所述第二EL层配置在所述第二像素电极上及所述第三绝缘层上，并且，所述第三绝缘层具有在所述第一像素电极上与所述第一绝缘层接触的区域。3.一种显示装置，包括：像素电极；覆盖所述像素电极的端部的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第三绝缘层；所述像素电极上及所述第三绝缘层上的EL层；以及所述EL层上的公共电极。4.一种显示装置，包括：像素电极；覆盖所述像素电极的端部的第一绝缘层；所述第一绝缘层上的第二绝缘层；所述第二绝缘层上的第三绝缘层；所述像素电极上及所述第三绝缘层上的EL层；以及所述EL层上的公共电极，其中，所述第三绝缘层具有与所述第一绝缘层接触的区域。5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其中所述第一绝缘层及所述第三绝缘层包含无机材料，并且所述第二绝缘层包含有机材料。6.一种显示装置的制造方法，包括：形成像素电极的工序；在所述像素电极上形成第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上以覆盖所述像素电极的端部的方式形成第二绝缘层的工序；
在所述第一绝缘膜上及所述第二绝缘层上形成第二绝缘膜的工序；使用抗蚀剂掩模蚀刻所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜而形成覆盖所述像素电极的端部的第一绝缘层以及具有与所述第一绝缘层接触的区域的第三绝缘层的工序；在所述像素电极上及所述第三绝缘层上形成EL层的工序；以及在所述EL层上形成公共电极的工序。7.一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及所述公共电极的第二显示元件；覆盖所述第一像素电极的端部及所述第二像素电极的端部的第一绝缘层；以及所述第一绝缘层上的第二绝缘层，其中，所述第一EL层配置在所述第一像素电极上及所述第二绝缘层上，所述第二EL层配置在所述第二像素电极上及所述第二绝缘层上，所述第一绝缘层包含无机材料，并且，所述第二绝缘层包含有机材料。8.一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及所述公共电极的第二显示元件；覆盖所述第一像素电极的...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤来，片山雅博，后藤尚人，中泽安孝，冈崎健一，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：