显示装置制造方法及图纸

显示装置包括:TFT层(30a)，其设置在基底基板层(10)上，在构成显示区域(D)的多个子像素的每一个上配置有TFT(9d、9f、9g)，在TFT(9d、9f、9g)上层叠有平坦化膜(22a)；以及发光元件层(40a)，其设置在TFT层(30a)上，与多个子像素对应地依次层叠有多个第一电极(31a)、共用的边缘罩(32a)、多个发光功能层(33)以及共用的第二电极(34)，各第一电极(31a)的周缘部设置为在俯视观察下包围对应的TFT(9d、9f、9g)并且向基底基板层(10)侧突出。向基底基板层(10)侧突出。向基底基板层(10)侧突出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置


[0001]本专利技术涉及一种显示装置。

技术介绍

[0002]使用有机电致发光(ElectroLuminescence，以下，称为“EL”)元件的自发光型的有机EL显示装置作为代替液晶显示装置的显示装置而备受关注。
[0003]例如，在专利文献1中公开了在玻璃基板上依次层叠栅极绝缘膜、钝化膜、外涂膜、阳极膜、有机膜以及阴极膜而成的有机EL显示装置。现有技术文献专利文献
[0004]专利文献1:国际公开第2017/045133号公报

技术实现思路

本专利技术所要解决的技术问题
[0005]然而，在有机EL显示装置中，在作为图像的最小单元的每个子像素上设置有多个薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为“TFT”)。在此，作为构成TFT的半导体层，例如众所周知有由迀移率高的多晶硅构成的半导体层、由漏电流小的In
‑
Ga
‑
Zn
‑
O等氧化物半导体构成的半导体层等。而且，在有机EL显示装置中，近年来，虽然提出了使用多晶硅的TFT和使用氧化物半导体的TFT具有在各子像素设置的混合结构的有机EL元件，但使用氧化物半导体的TFT具有比使用多晶硅的TFT光弱的性质，因此存在改善的余地。
[0006]本专利技术是鉴于这一点而完成的，其目的在于抑制光向TFT入射。用于解决技术问题的技术方案
[0007]为了达成上述目的，本申请涉及的显示装置的特征在于，包括:基底基板层；薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板上，在构成显示区域的多个子像素的每一个上配置有薄膜晶体管，在所述薄膜晶体管上层叠有平坦化膜；以及发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，与所述多个子像素对应地依次层叠有多个第一电极、共用的边缘罩、多个发光功能层以及共用的第二电极，各所述第一电极的周缘部分别设置为在俯视时包围对应的所述薄膜晶体管，并向所述基底基板层侧突出。有益效果
[0008]根据本专利技术，能抑制光向TFT入射。
附图说明
[0009]图1是表示本专利技术的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。图2是本专利技术的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。图3是本专利技术的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的显示区域的剖视图。图4是示出构成本专利技术第一实施方式涉及的有机EL显示装置的像素电路的等效电
路图。图5是示出构成本专利技术的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。图6是本专利技术的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的剖视图，是相当于图3的图。图7是本专利技术的第三实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的剖视图，是相当于图3的图。
具体实施方式
[0010]以下，基于附图详细说明本专利技术的实施方式。此外，本专利技术并不限定于下面的各实施方式。
[0011]《第一实施方式》图1～图5示出了本专利技术涉及的显示装置的第一实施方式。另外，作为包括发光元件层的显示装置，在以下各实施方式中，示例了包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置50a的平面图。此外，图2和图3是有机EL显示装置50a的显示区域D的俯视图和剖视图。此外，图4是有机EL显示装置50a的像素电路的等效电路图。此外，图5是构成有机EL显示装置50a的有机EL层33的剖视图。
[0012]如图1所示，有机EL显示装置50a包括例如设置为矩形状并进行图像显示的显示区域D、设置在显示区域D周围并设置为框状的边框区域F。此外，在本实施方式中，例示了矩形状的显示区域D，但该矩形状还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等大致矩形状。
[0013]如图2所示，在显示区域D中，多个子像素P呈矩阵状排列。另外，在显示区域D中，如图2所示，例如设置为具有用于进行红色的显示的红色发光区域Er的子像素P、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域Eg的子像素P以及具有用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域Eb的子像素P彼此相邻。另外，在显示区域D中，例如由具有红色发光区域Er、绿色发光区域Eg及蓝色发光区域Eb的相邻的三个子像素P构成一个像素。
[0014]在边框区域F的图1中下端部，端子部T设置成在一个方向(图中的X方向)上延伸。此外，如图1所示，在边框区域F中，在显示区域D和端子部T之间，以沿一个方向(图中的X方向)延伸的方式设置有例如能够以图中的X方向为折弯的轴折弯180
°
(U字状)的折弯部B。此外，在边框区域F中，在后述的平坦化膜22a上，如图1所示，俯视下大致C状的沟槽G以贯通平坦化膜22a的方式设置。在此，如图1所示，沟槽G以俯视时端子部T侧开口的方式形成为大致C字状。
[0015]此外，如图3所示，有机EL显示装置50a包括:树脂基板层10，其作为基底基板层；TFT层30a，其设置在树脂基板层10上；有机EL元件层40，其作为构成发光元件层设置在TFT层30a上；以及密封膜45，其设置为覆盖有机EL元件层40a。
[0016]树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
[0017]如图3所示，TFT层30a包括:设置于树脂基板层10上的底涂膜11、在底涂膜11上配置于各子像素P的初始化TFT9a(参照图4)、补偿用TFT9b(参照图4)、写入用TFT9c(参照图4)、驱动用TFT9d、电源供给用TFT9e(参照图4)、发光控制用TFT9f、阳极放电用TFT9g及电容
器9h、以及层叠于各TFT9a～9g及电容器9h上的平坦化膜22a。在此，在TFT层30a中，如图2所示，以在附图中的X方向上彼此平行地延伸的方式设置有多条栅极线14g。此外，在TFT层30a中，如图2所示，以在附图中的X方向上彼此平行延伸的方式设置有多条发光控制线14e。此外，如图2所示，在TFT层30a中，以在附图中的X方向上彼此平行地延伸的方式设置有多条初始化电源线19i。另外，如图2所示，各发光控制线14e设置为与各栅极线14g以及各初始化电源线19i相邻。此外，在TFT层30a中，如图2所示，以在附图中的Y方向上彼此平行延伸的方式设置有多条源极线21h。此外，如图2所示，在TFT层30a中，以在附图中的X方向上彼此平行地延伸的方式设置有多条电源线21i。此外，如图2所示，各电源线21i被设置为与各源极线21h相邻。
[0018]写入用TFT9c、驱动用TFT9d、电源供给用TFT9e及发光控制用TFT9f例如被设置为具有由LTPS(low temperature polysilicon)等多晶硅形成的第一半导体层的第一TFT，其具备栅电极、第一端子电极及第二端子电极。另外，初始化TFT9a、补偿用TFT9b以及阳极放电用TFT9g例如被设置为具有由In
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Ga
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Zn
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O系等的氧化物半导体形成的第二半导体层的第二TFT，其具备栅电极、第三端子电极以及第四端子电极。在此，In...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，其特征在于，包括:基底基板层；薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板上，在构成显示区域的多个子像素的每一个上配置有薄膜晶体管，在所述薄膜晶体管上层叠有平坦化膜；以及发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，与所述多个子像素对应地依次层叠有多个第一电极、共用的边缘罩、多个发光功能层以及共用的第二电极，各所述第一电极的周缘部分别设置为在俯视时包围对应的所述薄膜晶体管，并向所述基底基板层侧突出。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述平坦化膜在多个所述子像素中被共用地设置，在各所述子像素中具有向所述发光元件层侧平坦地突出的平坦部，各所述第一电极的周缘部分别沿着所述平坦部的侧面设置。3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，各所述第一电极具有E字状的截面。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述平坦化膜包括:设置在所述基底基板层侧的第一平坦化膜，以及设置在所述发光元件层侧的第二平坦化膜，所述薄膜晶体管层具备在所述第一平坦化膜与所述第二平坦化膜之间设置于各所述子像素的配线层，在各所述子像素中，所述第二平坦化膜由向所述发光元件层侧平坦地突出的上侧平坦部构成，各所述第一电极的周缘部分别沿着所述上侧平坦部的侧面设置。5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，各所述第一电极具有E字状的截面。6.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部达，冈崎庄治，斋田信介，市川伸治，谷山博己，藤本英二，
申请(专利权)人：夏普显示科技株式会社，
类型：发明
国别省市：