一种多层封装基板高精度层偏对位加工方法技术

本发明专利技术涉及线路板生产技术领域，具体涉及一种多层封装基板高精度层偏对位加工方法，

【技术实现步骤摘要】
一种多层封装基板高精度层偏对位加工方法


[0001]本专利技术涉及线路板生产
，具体涉及一种多层封装基板高精度层偏对位加工方法
。

技术介绍

[0002]随着电子技术快速发展，半导体封装为实现高性能
、
薄型化以及低成本，在
RF
射频领域，随着模组化需求，
SiP
封装应用广泛，因涉及到多芯片封装
、
贴合
、
切割，对基板的各层图形层偏要求高，现有常规的加工方法通过
X
‑
ray
打内层靶对位，各层的线路均以同一个靶标通孔作为基准点，导致图形对位的精度较差，无法满足加工要求
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对现有技术中的上述不足，提供了一种多层封装基板高精度层偏对位加工方法，能够有效地提高图形对位精度
。
[0004]本专利技术的目的通过以下技术方案实现：一种多层封装基板高精度层偏对位加工方法，包括以下步骤：
[0005]S1、<br/>提供一双面覆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种多层封装基板高精度层偏对位加工方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、
提供一双面覆铜的覆铜板；所述覆铜板包括芯料层
、
第一铜层以及第二铜层；
S2、
在覆铜板的废料区制作贯穿的第一靶标通孔；在第一铜层的废料区制作第一靶标槽，在第二铜层的废料区制作与第一靶标槽同心设置的第二靶标槽；
S3、
在第一铜层的有效区与第二铜层的有效区进行图形制作；
S4、
在第一铜层表面压合第一
PP
板以及在第二铜层表面压合第二
PP
板；
S5、
在第一
PP
板表面压合第三铜层以及在第二
PP
板表面压合第四铜层；
S6、
抓取第一靶标通孔的位置，将第一
PP
板
、
第二
PP
板
、
第三铜层以及第四铜层对应第一靶标通孔的位置烧穿；
S6、
以第一靶标通孔为基准，在第二靶标槽的位置对第一
PP
板与第三铜层进行烧靶处理形成第三靶标槽；以第一靶标通孔为基准，在第三靶标槽的位置对第二
PP
板与第四铜层进行烧靶处理形成第四靶标槽；
S7、
将第三靶标槽与第四靶标槽之间的芯料层烧穿，从而形成第二靶标通孔；
S8、
以第二靶标通孔为基准，在第三铜层的有效区与第四铜层的有效区进行图形制作
。2.
根据权利要求1所述的一种多层封装基板高精度层偏对位加工方法，其特征在于：所述第二靶标槽的半径大于第一靶标槽的半径；所述第三靶标槽的半径大于第一靶标槽的半径；所述第四靶标槽的半径大于第二靶标槽的半径
。3.
根据权利要求2所述的一种多层封装基板高精度层偏对位加工方法，其特征在于：所述第三靶标槽的半径与第二靶标槽的半径相同
。4.
根据权利要求1所述的一种多层封装基板高精度层偏对位加工方法，其特征在于：在步骤
S2
与步骤
S3
之间，还包括如下步骤：在第一铜层的废料区制作第五靶标槽，在第二铜层的废料区制作与第五靶标槽同心设置的第六靶标槽
。5.
根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：程光明，左玲丽，杨威，邓贤江，肖建光，艾科科，
申请(专利权)人：南通康源电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：