一种电子装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种电子装置及其制造方法

【技术实现步骤摘要】
一种电子装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种电子装置，并且更具体地涉及一种包含复数个不同导电结构的电子装置
。

技术介绍

[0002]半导体组件包含直接能隙半导体的组件，例如包含
III
‑
V
族材料或
III
‑
V
族化合物
(
类别：
III
‑
V
族化合物
)
，可以在各种条件下或各种环境中
(
例如，在不同的电压和频率下
)
操作或工作
。
[0003]半导体组件可以包含异质结双极性晶体管
(HBT
，
heterojunction bipolar transistor)、
异质结场效应晶体管
(HFET
，
heterojunction field effect transistor)、
高电子迁移率晶体管
(HEMT
，
high
‑
electron
‑
mobility transistor)、
调制掺杂场效应晶体管
(MODFET
，
modulation
‑
doped FET)
等
。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的一些实施例，一种电子装置包含传导区
、
第一导电结构/>、
第二导电结构及第三导电结构
。
第一导电结构形成在所述传导区之上，第一导电结构沿着一第一方向延伸
。
第二导电结构形成在所述传导区之上，第二导电结构沿着所述第一方向延伸，所述第一导电结构及所述第二导电结构沿着一第二方向配置，且所述第二方向大体上垂直于所述第一方向
。
第三导电结构位于所述第一导电结构及所述第二导电结构之间
。
第三导电结构包括第一部份及第二部分
。
第一部分形成在所述传导区之上，其沿着所述第一方向延伸
。
第二部分相邻所述第一部分，且所述第二部分延伸超出所述传导区
。
[0005]根据本专利技术的一些实施例，一种用于制造电子装置的方法
。
方法包含形成一传导区；在所述传导区之上形成一第一导电结构，其中所述第一导电结构沿着一第一方向延伸；在所述传导区之上形成一第二导电结构，其中所述第二导电结构沿着所述第一方向延伸，所述第一导电结构及所述第二导电结构沿着一第二方向配置，且所述第二方向大体上垂直于所述第一方向；及在所述传导区之上形成一第三导电结构，其中所述第三导电结构位于所述第一导电结构及所述第二导电结构之间
。
形成所述第三导电结构包括：形成一第一部分，其沿着所述第一方向延伸；及形成一第二部分，其相邻所述第一部分，其中所述第二部分延伸超出所述传导区
。
[0006]根据本专利技术的一些实施例，一种电子装置包含：传导区
、
第一导电结构
、
及第二导电结构
。
第一导电结构形成在所述传导区之上，所述第一导电结构沿着一第一方向延伸
。
第二导电结构形成在所述传导区之上，所述第二导电结构环绕所述第一导电结构，且所述第二导电结构与所述第一导电结构电分离
。
[0007]本专利技术的电子装置具有一种导电结构，其两端宽度较宽且延伸至另一导电结构
、
或是环绕另一导电结构
。
上述电子装置可强化导电结构与隔离结构之间的边界
。
上述电子装置可增加导电结构与隔离结构之间的边界的等效阻抗值
。
因此，本专利技术能够在维持芯片
密度的情况下，减少因导电结构的薄弱边界所导致的漏电流，提升电子装置的性能与可靠度
。
附图说明
[0008]当与附图一起阅读以下详细描述时，可以根据以下详细描述容易地理解本专利技术的各方面
。
经审慎考虑的是，各种特征可能未按比例绘制
。
实际上，为了讨论的清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸
。
[0009]图
1A
是根据本专利技术的一些实施例的电子装置的俯视图
。
[0010]图
1B
是根据本专利技术的一些实施例的电子装置的截面图
。
[0011]图
2A
是根据本专利技术的一些实施例的电子装置的俯视图
。
[0012]图
2B
是根据本专利技术的一些实施例的电子装置的截面图
。
[0013]图
2C
是根据本专利技术的一些实施例的电子装置的另一截面图
。
[0014]图3是根据本专利技术的一些实施例的电子装置的俯视图
。
[0015]图4是根据本专利技术的一些实施例的电子装置的俯视图
。
[0016]图
5A
是根据本专利技术的一些实施例的电子装置的俯视图
。
[0017]图
5B
是根据本专利技术的一些实施例的电子装置的截面图
。
[0018]图
5C
是根据本专利技术的一些实施例的电子装置的另一截面图
。
[0019]贯穿附图和具体实施方式，使用共同的附图标记来指示相同或类似的组件
。
根据以下结合附图进行的详细描述，本专利技术将更加明显
。
具体实施方式
[0020]以下公开提供了用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例
。
以下描述了组件和布置的具体实例
。
当然，这些仅是实例并且不旨在是限制性的
。
在本专利技术中，对在第二特征之上或上方形成或设置第一特征的引用可以包含将第一特征和第二特征被形成或设置为直接接触的实施例，并且还可以包含可以在第一特征与第二特征之间形成或设置另外的特征使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例
。
另外，本专利技术可以在各个实例中重复附图标记和
/
或字母
。
这种重复是为了简单和清晰的目的并且并非用于限定所讨论的各个实施例和
/
或配置之间的关系
。
[0021]下文详细讨论了本专利技术的实施例
。
然而，应当理解的是，本专利技术提供了许多可以在各种各样的特定环境下具体化的适用概念
。
所讨论的具体实施例仅是说明性的，而不限制本专利技术的范围
。
[0022]图
1A
是根据本专利技术的一些实施例的电子装置
10A
的截面图
。
电子装置
10A
可包括导电结构
110。
电子装置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电子装置，其特征在于，其包括：一传导区；一第一导电结构，形成在所述传导区之上，其中所述第一导电结构沿着一第一方向延伸；一第二导电结构，形成在所述传导区之上，其中所述第二导电结构沿着所述第一方向延伸，所述第一导电结构及所述第二导电结构沿着一第二方向配置，且所述第二方向大体上垂直于所述第一方向；及一第三导电结构，其中所述第三导电结构位于所述第一导电结构及所述第二导电结构之间，所述第三导电结构包括：一第一部分，形成在所述传导区之上，其沿着所述第一方向延伸；及一第二部分，其相邻所述第一部分，且所述第二部分延伸超出所述传导区
。2.
根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述第三导电结构包括：一第三部分，其中所述第一部分位于所述第三部分及所述第二部分之间，且所述第三部分延伸超出所述传导区
。3.
根据权利要求1或2所述的电子装置，其特征在于，其中所述电子装置包括：衬底；第一氮化物半导体层，其在所述衬底上；第二氮化物半导体层，其在所述第一氮化物半导体层上，并且所述第二氮化物半导体层的能隙大于所述第一氮化物半导体层的能隙，其中所述传导区位于所述第一氮化物半导体层中且邻近所述第二氮化物半导体层
。4.
根据权利要求1或2所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一导电结构包括一漏极，所述第二导电结构包括一源极，且所述第三导电结构包括一栅极
。5.
根据权利要求1或2所述的电子装置，其特征在于，更包括
:
一隔离结构，其中所述隔离结构环绕所述传导区
。6.
根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，其中在所述第一方向上，所述第一导电结构的长度大于所述第二导电结构的长度
。7.
根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一导电结构在所述第一方向上延伸超出所述传导区至所述隔离结构
。8.
根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，其中所述第二导电结构在所述第一方向上延伸超出所述传导区至所述隔离结构
。9.
根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，其中所述第三导电结构在所述第一方向上延伸超出所述传导区至所述隔离结构
。10.
根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中所述第二部分在所述第一方向上的长度大于所述第一部分在所述第二方向上的宽度
。11.
根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中在所述第一方向上，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度
。12.
根据权利要求
10
所述的电子装置，其特征在于，其中所述第二部分在所述第一方向上的长度大体上等于所述第三部分在所述第一方向上的长度
。13.
根据权利要求1或2所述的电子装置，其特征在于，其中所述传导区包括二维电子气
区域
。14.
根据权利要求1或2所述的电子装置，其特征在于，其中所述第一导电结构与所述第三导电结构之间的距离大于所述第二导电结构与所述第三导电结构之间的距离
。15.
根据权利要求1或2所述的电子装置，其特征在于，其中所述第二部分在所述第一方向上延伸超出所述第二导电结构
。16.
一种用于制造电子装置的方法，其特征在于，其包括：形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊攀，黄敬源，郭海波，林盛杰，毛丹枫，王齐俊，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：