用于高密度标准基元的交叉耦合设计制造技术

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及用于高密度标准基元的交叉耦合设计和制造方法。该结构包括：第一接触，其在交叉耦合电路中连接到至少两个栅极结构；以及第二接触，其在没有任何过孔连接的位置处连接到第一接触。任何过孔连接的位置处连接到第一接触。任何过孔连接的位置处连接到第一接触。

【技术实现步骤摘要】
用于高密度标准基元的交叉耦合设计


[0001]本公开涉及半导体结构，更具体地涉及用于高密度标准基元(cell)的交叉耦合设计和制造方法。

技术介绍

[0002]随着技术缩放，逻辑缩放的重要性也增加。然而，由于光刻限制，用于标准基元(例如，逻辑设计的构建块)的缩放的传统方法不再有效。交叉耦合技术已被实现用来减轻这种光刻限制的影响，以提供标准基元的持续缩放。例如，交叉耦合可以通过插入虚设多晶硅栅极(其导致区域膨胀(bloat))或者通过在中段制程(MOL)中使用子基本规则特殊构造来实现。然而，随着技术缩放，诸如交叉耦合的复杂布局设计也变得越来越难以实现。

技术实现思路

[0003]在本公开的一方面，一种结构包括：第一接触，其在交叉耦合电路中连接到至少两个栅极结构；以及第二接触，其在没有任何过孔连接(via connection)的位置处连接到所述第一接触。
[0004]在本公开的一方面，一种结构包括：第一栅极线；第二栅极线，其与所述第一栅极线分隔开并且与所述第一栅极线对角定位；位于第一布线层上的接触，其与所述第一栅极线和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：第一接触，其在交叉耦合电路中连接到至少两个栅极结构；以及第二接触，其在没有任何过孔连接的位置处连接到所述第一接触。2.根据权利要求1所述的结构，其中，没有任何过孔连接的所述位置位于所述至少两个栅极结构之间，所述第一接触包括对角接触。3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第二接触在非有源区中的栅极切口上方延伸。4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第一接触与所述第二接触共面并且处于同一布线层级。5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一接触包括连接到所述至少两个栅极结构的对角形状。6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述对角形状包括平行的并且在所述至少两个栅极结构上方延伸的端部。7.根据权利要求4所述的结构，还包括：附加栅极接触，其远离所述第一接触、连接到附加栅极结构并且位于与所述第一接触和所述第二接触相同的布线层级上。8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第二接触为L形接触并且从所述第一接触延伸到有源区。9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述L形接触在单个栅极切口上方延伸。10.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一接触包括对角接触并且具有在所述至少两个栅极结构中的第一栅极结构上方延伸的端部，所述第二接触平行于所述第一栅极结构并且在所述第一栅极结构上方延伸。11.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一接触包括对角形状，所述对角形状具有与所述至少两...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：