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本公开涉及半导体结构，更具体地涉及用于高密度标准基元的交叉耦合设计和制造方法。该结构包括：第一接触，其在交叉耦合电路中连接到至少两个栅极结构；以及第二接触，其在没有任何过孔连接的位置处连接到第一接触。任何过孔连接的位置处连接到第一接触。任何...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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