太阳电池及其制备方法技术

本申请涉及一种太阳电池及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
太阳电池及其制备方法


[0001]本申请涉及太阳电池
，特别是涉及一种太阳电池及其制备方法
。

技术介绍

[0002]太阳电池，指的是可以有效吸收太阳能，并将其转化成电能的半导体器件
。
为了使太阳电池在更多领域中实现可靠应用，对太阳电池自身性能进行改进和提升显得尤为重要
。
[0003]而晶硅太阳电池中，钝化接触结构的设计一直是太阳电池设计中的重中之重，然而目前的技术中，钝化接触结构通常由隧穿钝化层
、
不透明的掺杂多晶硅层
、
场钝化层及光学减反层构成，导致光电转换效率低，因此，迫切需要开发出新的钝化接触结构及其制备工艺，使得太阳电池具有更高的转换效率
。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要提供一种有利于提升电池效率的太阳电池及其制备方法
。
[0005]本申请一实施例提供了一种太阳电池的制备方法，包括如下步骤：
[0006]在硅基体的正面沿厚度方向依次形成隧穿氧化层
、
透明导电层和氢阻挡层，制备半成品结构；
[0007]对所述半成品结构进行退火处理后，将所述氢阻挡层去除
。
[0008]在其中一个实施例中，在去除前，所述氢阻挡层的厚度为
10nm
～
50nm。
[0009]在其中一个实施例中，所述氢阻挡层的去除方法为激光去除或湿法去除
。
[0010]在其中一个实施例中，所述氢阻挡层的材质包括氧化铝
。
[0011]在其中一个实施例中，所述透明导电层的材质包括氧化锌
、
氧化镓
、
掺镓氧化锌
、
掺铝氧化锌
、
掺铝氧化镓
、
镓铝共掺氧化锌中的一种或多种
。
[0012]在其中一个实施例中，所述透明导电层的厚度为
10nm
～
70nm。
[0013]在其中一个实施例中，所述隧穿氧化层的材质包括氧化硅或本征非晶硅
。
[0014]在其中一个实施例中，将所述氢阻挡层去除后，还包括如下步骤：
[0015]在所述透明导电层远离所述硅基体一侧的表面形成电极，所述电极与所述透明导电层直接相连
。
[0016]在其中一个实施例中，在形成所述电极之前，还包括如下步骤：
[0017]在所述透明导电层远离所述硅基体一侧的表面形成减反射膜层；
[0018]所述电极穿过所述减反射膜层与所述透明导电层直接相连
。
[0019]本申请一实施例还提供了一种太阳电池，由上述任一实施例中所述的制备方法制备得到
。
[0020]本申请提供了一种太阳电池的制备方法，在硅基体的正面沿厚度方向依次形成隧穿氧化层
、
透明导电层和氢阻挡层构成半成品结构后，进行退火处理，退火过程中，氧化铝材质的氢阻挡层阻碍了氢的溢出，透明导电层内的氢气在温度场与时间场的作用下重新运
动，钝化膜层及硅基体内的缺陷，大幅提升了钝化性能
。
退火处理结束之后，将氢阻挡层进行去除，由隧穿氧化层和透明导电层构成透明钝化接触结构，光透过率高，有利于提高电池效率
。
进一步地，将氢阻挡层去除后，有利于后续电极结构的制作，使得电极更加容易与透明导电层直接接触，更进一步提升了电池效率
。
附图说明
[0021]图1在硅基体的正面依次形成隧穿氧化层
、
透明导电层和氢阻挡层的半成品结构示意图；
[0022]图2为去除氢阻挡层后的结构示意图；
[0023]图3为在透明导电层远离硅基体一侧的表面形成减反射膜层的结构示意图
。
[0024]附图标记说明：
[0025]10
：硅基体；
20
：隧穿氧化层；
30
：透明导电层；
40
：氢阻挡层；
50
：减反射膜层
。
具体实施方式
[0026]为了便于理解本申请，下面结合实施例和附图对本申请进行更全面的描述
。
本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例
。
相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面
。
[0027]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同
。
本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请
。
本文所使用的术语“和
/
或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合
。
[0028]本申请所使用的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等
(
如果存在
)
是用于区别类似的对象，仅用于描述目的，而不必用于描述特定的顺序或先后次序，不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量
。
由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征
。
在本申请的描述中，“多种”的含义是至少两种，例如两种，三种等，除非另有明确具体的限定
。
[0029]在使用本文中描述的“包括”、“具有”、
和“包含”的情况下，意图在于覆盖不排他的包含，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由
……
组成”等，否则还可以添加另一部件
。
[0030]本申请中的词语“可选地”、“优选地”、“更优选地”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本专利技术实施方案
。
然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能是可选的或优选的
。
此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本申请的范围之外
。
[0031]当本申请中公开一个数值范围时，上述范围视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值
。
进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数
。
此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围
。
换言之，除非另有指明，否则本申请中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围
。
[0032]除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个
。
[0033]本申请中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案
。
[0034]如图1～图2所示，为解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅基体的正面沿厚度方向依次形成隧穿氧化层
、
透明导电层和氢阻挡层，制备半成品结构；对所述半成品结构进行退火处理后，将所述氢阻挡层去除
。2.
根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在去除前，所述氢阻挡层的厚度为
10nm
～
50nm。3.
根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氢阻挡层的去除方法为激光去除或湿法去除
。4.
根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氢阻挡层的材质包括氧化铝
。5.
根据权利要求1～3任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述透明导电层的材质包括氧化锌
、
氧化镓
、
掺镓氧化锌
、
掺铝氧化锌
、
掺铝氧化镓
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王尧，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：