一种提高激光制造技术

本发明专利技术属于太阳能电池制备技术领域，具体涉及一种提高激光

【技术实现步骤摘要】
一种提高激光SE刻膜精度的电池板制作方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池制备
，具体涉及一种提高激光
SE
刻膜精度的电池板制作方法
。

技术介绍

[0002]随着太阳能电池产线的不断更新，选择性发射电极（
SE
）因其在接受光照的区域低浓度掺杂，在金属栅线下高掺杂，形成横向高低结结构增加
P
‑
N
结间电势差，减少扩散层复合并降低金属接触区电阻，目前
SE
激光掺杂技术已被广泛应用到
PERL
产品的产线生产中，而选择发射电极技术提效，其中关键的一个步骤是能精准的将金属栅线印刷到激光掺杂区域，从而选择性发射电极的提效优势；在产线常规生产中，硅片上激光移动路线如图1所示，为多条互相平行的线段组成，激光制样过程
S
形运行路线，每个线段的光斑起始点均为上个线段的末点平移而来，这个过程中激光能量为0，在边缘处更换调整路径时，容易由于在切换印刷路线时间隔距离过短
、
切换速度过快，该速度为
20
‑
50m/s
，每当移动到下个线段的起点运行时，均会存在上个线段末点到该线段起点方向的分速度，这样使得每个线段的起始运行的一端距离容易出现便宜，激光空运行速度越大，线段的起始偏移量越大，运行路径的边缘处无法快速将激光准确定位到印刷路线上，因此，每个线段起始端的2‑
3cm
的细微偏移无法消除，为了减少偏移误差，需要降低激光器的运行速度，随着生产中精度要求的不断提高，需要改变相邻栅线之间的切换方式以提高生产精度
。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是针对现有栅线边缘处容易出现偏移的问题，提供了一种提高激光
SE
刻膜精度的电池板制作方法
。
[0004]本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种提高激光
SE
刻膜精度的电池板制作方法，预先在制样硅片表面设定制作激光
SE
刻膜图案的激光制样路线，激光器在激光制样路线之间转移时空运行，所述激光
SE
刻膜图案为需要在制样硅片上设置细栅线的位置图案，激光器在所述激光制样路线的进入端设为制样起始端，沿所述激光制样路线向外延伸至距离该激光制样路线的制样起始端2‑
4cm
处设有引导标记，激光器在引导标记处时为空运行，空运行是指激光器的激光能量为
0。
[0005]具体的，所述引导标记为与激光制样路线平行的引导线或光斑点，所述引导线的长度为
20
μ
m
‑
800
μ
m
；所述光斑点的直径为
20
‑
80
μ
m。
[0006]具体的，激光器在激光制样路线之间转移时空运行的速度为
40
‑
80m/s。
[0007]所述引导标记非实体标记，是通过预设程序设置于激光器内的激光移动路线的一部分
。
[0008]工作原理为，在激光
SE
刻膜制样时，激光器在相邻激光制样路线之间转移时空运行，由于引导标记位于制样起始端外2‑
4cm
，能使前次激光制样时产生的分速度偏移量在进入下一条激光制样路线前得到矫正
。
[0009]本专利技术相比现有技术具有以下优点：通过在激光制样路线外延长线上设置引导标记，能够有效消除任意方向激光制样路线前期的偏移量，有效消除制样误差；通过提高激光器在相邻激光制样路线之间转移时空运行时的速度，缩短激光器空运行的时间，同时提高制样精度
。
附图说明
[0010]图1是现有技术中激光移动路线示意图
。
[0011]图2是本专利技术中激光移动路线示意图
。
[0012]其中，1‑
制样硅片，2‑
激光制样路线，3‑
激光移动路线，4‑
制样起始端，5‑
引导标记
。
具体实施方式
[0013]下面结合附图对本专利技术进一步说明
。
[0014]下面将结合本专利技术实施例附图，对本专利技术实施例技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
实施例1
[0015]一种提高激光
SE
刻膜精度的电池板制作方法，如图2中所示，预先在制样硅片1表面设定制作激光
SE
刻膜图案的激光制样路线2，激光器在激光制样路线2之间转移时空运行，所述激光
SE
刻膜图案为需要在制样硅片1上设置细栅线的位置图案，激光器在所述激光制样路线2的进入端设为制样起始端4；沿所述激光制样路线2向外延伸至距离该激光制样路线2的制样起始端4不小于
3cm
处设有引导标记5，本实施例中引导标记5为
100
μ
m
的引导线，激光器在引导标记5处时为空运行，空运行时激光器的激光能量为0，本实施例中激光器在激光制样路线之间转移时空运行的速度为
60m/s
；此处引导标记只要满足在对应的平行线处有坐标点即可；中间空运行速度保证在增加空运行路程的前提下，能缩短空运行时间即可
。
[0016]本实施例中，激光移动路线3从初根激光制样路线2对应的引导标记5开始空运行，经过制样起始端4后开始制样，制样完成后到空载运行到另一侧的引导标记5处，朝下根激光制样路线2运行，沿激光制样路线2制样完成后空载运行到下一个引导标记5处，循环往复，直至制样完成；整体为拐点位于制样硅片1外周的引导标记5处的类
S
型路线，通过在激光制样路线外延长线上设置引导标记5，能够有效消除任意方向激光制样路线2前期的偏移量，有效消除制样误差，缩短激光器空运行的时间，有效提高制样精度
。
[0017]以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点，对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或 基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术
。
因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术
内
。
不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求
。
[0018]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种提高激光
SE
刻膜精度的电池板制作方法，预先在制样硅片表面设定制作激光
SE
刻膜图案的激光制样路线，激光器在激光制样路线之间转移时空运行，所述激光
SE
刻膜图案为需要在制样硅片上设置细栅线的位置图案，其特征在于，激光器在所述激光制样路线的进入端设为制样起始端，沿所述激光制样路线向外延伸至距离该激光制样路线的制样起始端2‑
4cm
处设有引导标记，激光器在引导标记处时为空运行
。2.
如权利要求1所述一种提高激光
SE
刻膜精度的电池板制作方法，其特征在于，所述引导标记为与激...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭世成，张明明，付少剑，丁田力，王方圆，许德祥，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：