一种解决光学临近效应的方法技术

本公开提供一种解决光学临近效应的方法，涉及集成电路领域，包括以下步骤：对晶圆在

【技术实现步骤摘要】
一种解决光学临近效应的方法


[0001]本公开涉及集成电路
，尤其涉及一种解决光学临近效应的方法
。

技术介绍

[0002]光学邻近效应（
Optical Proximity Effect
，
OPE
）是指由于部分相干成像过程中的非线性空间滤波，像强度频谱的能量分布和位相分布相对理想像频谱有一定的畸变，并最终大大降低了成像质量
。OPE
使得芯片上的图形和掩模上的图形差别较大，例如线条宽度变窄
、
窄线条短点收缩
、
图形拐角处变圆滑等
。
随着掩膜版上图形尺寸的缩小，这种相邻图形之间的干涉和衍射效应更加明显，曝光后图形的偏差更大
。
[0003]微机电系统（
Microelectromechanical systems
，
MEMS
）制造技术中，应用接近
‑
接触式光刻机进行双面光刻是较为常见的光刻手段
。
但由于接近
‑<br/>接触式光刻机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种解决光学临近效应的方法，其特征在于，用于芯片的光刻工艺中，所述光刻工艺包括以下步骤：衬底处理：对作为芯片衬底的晶圆在
HMDS
烘箱内进行预处理，其中选取烘箱温度
120~170℃
，烘箱内保持时间
360~720s
；光刻胶涂胶：选取光刻胶厚度
0.7~2.8um
，分辨率小于等于
0.5um
的光刻胶进行旋涂于所述晶圆上；前烘：对涂有光刻胶的晶圆进行前烘，以使所述光刻胶固化，得到前烘后的芯片，其中，前烘温度
90℃~150℃
，前烘时间
60s~120s
；曝光：通过曝光系统在各自的光谱工作范围内对前烘后的芯片进行曝光，其中，曝光系统的曝光距离为
0~20um、
真空接触真空度
700~1000mbar
，曝光光源为
I
线占比
50%~100%、G
线占比
0%~25%、H
线占比
0%~25%
；显影：将曝光后的芯片进行静态显影
30~60s
，得到显影后的芯片；后处理：将显影后的芯片依次进行去残胶
、
图形转移和去胶，完成对芯片的光刻
。2.
根据权利要求1所述的解决光学临近效应的方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为
0.7 um~1.4um
；所述光刻胶的分辨率为
0.3~0.5um。3.
根据权利要求2所述的解决光学临近效应的方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为
0.7 um、0.8 um、0.9 um、1.0 um、1.1 um、1.2 um、1.3 um
和
1.4um
；所述光刻胶的分辨率为
0.3 um、0.35 um、0.4 um、0.45 um、0.5um。4.<...

【专利技术属性】
技术研发人员：史玮婷，胡双媛，郄立伟，梁红雁，姜文慧，张琳琳，裴志强，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：