【技术实现步骤摘要】
高压带过流保护的高精度晶体管漏电流电压测试系统
[0001]本专利技术涉及晶体管测试领域，尤其涉及高压带过流保护的高精度晶体管漏电流电压测试系统
。
技术介绍
[0002]晶体管是半导体集成芯片普遍应用的器件
。
目前对于低功耗的集成芯片，晶体管的漏电流就成为至关重要的参数，晶体管漏电流直接影响着低功耗集成芯片的静态功耗
。
随着集成芯片的集成度进一步提高，集成芯片的功耗会进一步缩小，晶体管的漏电流值也会趋近于更小
。
[0003]现有的晶体管漏电流测试仪器大多测试通道数较少，只能测试一个或者两个晶体管，其测试效率较低；同时，晶体管漏电流测试仪器会设置过流保护电路来防止主回路发生过流
、
短路异常，目前现有的过流保护电路中，大多掺杂软件来实现控制，当主回路过流
、
短路时，主控芯片采集到异常的信号后，通过软件判断发出控制指令断开输出，其响应速度慢，容易对电路造成损坏，有必要对其进行改进
。
技术实现思路
[0004]本专利技术目的是针对上述问题，提供一种结构简单
、
可同时对多个晶体管进行漏电流测试的高压带过流保护的高精度晶体管漏电流电压测试系统
。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术的技术方案是：
[0006]高压带过流保护的高精度晶体管漏电流电压测试系统，包括主控芯片，所述主控芯片通过通信转换模块与控制板电性连接；所述控制板包括若干个
DS
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
高压带过流保护的高精度晶体管漏电流电压测试系统，包括主控芯片，其特征在于：所述主控芯片通过通信转换模块与控制板电性连接；所述控制板包括若干个
DS
端控制板
、
若干个
GS
端控制板；
DS
端控制板内设置有
DS
端测试电路，
GS
端控制板内设置有
GS
端测试电路；所述通信转换模块包括
DS
端电流数据转换电路
、DS
端电压数据转换电路
、GS
端电流数据转换电路
、GS
端电压数据转换电路；若干个
DS
端控制板中的
DS
端测试电路分别与
DS
端电流数据转换电路
、DS
端电压数据转换电路的一端相连接，
DS
端电流数据转换电路
、DS
端电压数据转换电路的另一端与主控芯片相连接；若干个
GS
端控制板中的
GS
端测试电路分别与
GS
端电流数据转换电路
、GS
端电压数据转换电路的一端相连接，
GS
端电流数据转换电路
、GS
端电压数据转换电路的另一端与主控芯片相连接
。2.
如权利要求1所述的高压带过流保护的高精度晶体管漏电流电压测试系统，其特征在于：所述
DS
端控制板还设置有过流保护电路，过流保护电路与
DS
端测试电路相连接
。3.
如权利要求2所述的高压带过流保护的高精度晶体管漏电流电压测试系统，其特征在于：所述
DS
端测试电路包括输入端
P1、
保险丝
F1、
继电器
K1、
连接端
P2、
连接端
P3、MOS
管
Q1、
电阻
R7、
输出端
P4
；所述输入端
P1
经保险丝
F1
与继电器
K1
的4引脚连接，继电器
K1
的
12
引脚与
5V
电源连接，继电器
K1
的1引脚与达林顿管的集电极连接，达林顿管的发射极接地，达林顿管的基极与所属
DS
端控制板在主控芯片上相对应的
RE
引脚相连接；所述继电器
K1
的9引脚通过连接端
P2
与待测晶体管的
D
极
、G
极连接，连接端
P3
的一端与待测晶体管的
S
极连接，连接端
P3
的另一端串联电流表后与
MOS
管
Q1
的
D
极相连接，
MOS
管
Q1
的
G
极与过流保护电路连接，
MOS
管
Q1
的
S
极经电阻
R7
后与输出端
P4
相连接；所述
MOS
管
Q1
的
D
极与继电器
K1
的4引脚之间连接有电压表
。4.
如权利要求3所述的高压带过流保护的高精度晶体管漏电流电压测试系统，其特征在于：所述过流保护电路包括电容
EC1、
运算放大器
U1
，电容
EC1
的一端接地，电容
EC1
的一端分别与继电器
K1
的9引脚
、
连接端
P2、
电阻
R6
的一端相连接，电阻
R6
的另一端依次串联电阻
R5、
电阻
R4、
电阻
R3、
电阻
R2、
电阻
R1
后接地；所述运算放大器
U1
的
OUTA
引脚分别与二极管
D4
的阳极
、
电阻
R9
的一端
、
电容
C3
的一端
、
电阻
R11
的一端
、
运算放大器
U1
的
+INB
引脚连接，二极管
D4
的阴极分别与运算放大器
U1
的
V+
引脚
、12V
电源
、
电容
C10
的一端
、
电容
C9
的一端连接，电阻
R9
的另一端分别与电阻
R10
的一端
、
运算放大器
U1
的
‑
INA
引脚相连接，电容
C10
的另一端
、
电容
C9
的另一端
、
电阻
R10
的另一端
、
电容
C3
的另一端
、
电阻
R11
的另一端接地；运算放大器
U1
的
+INA
引脚分别与
MOS
管
Q1
的
S
极
、
电阻
R7
的一端
、
电容
C2
的一端相连接，电容
C2
的另一端
、
运算放大器
U1
的
V
‑
引脚均接地；所述运算放大器
U1
的
‑
INB
引脚分别与电阻
R12
的一端
、
电阻
R13
的一端相连接，电阻
R12
的另一端与
12V
电源连接，电阻
R13
的另一端接地；所述运算放大器
U1
的
OUTB
引脚依次经电阻
R15、
二极管
D5
后与电阻
R20
的一端
、
三极管
Q3
的基极相连接，三极管
Q3
的发射极
、
电阻
R20
的另一端均接地，三极管
Q3
的集电极经电阻
R19
后分别与电阻
R18
的一端
、
三极管
Q2
的基极相连接，三极管
Q2
的发射极分别与
MOS
管
Q1
的
G
极
、
电阻
R8
的一端连接，电阻
R8
的另一端
、
电阻
R18
的另一端与
12V
电源连接，三极管
Q2
的集电极与电阻
R16
的一端连接，电阻
R16
的另一端接地
。5.
如权利要求4所述的高压带过流保护的高精度晶体管漏电流电压测试系统，其特征在于：所述
GS
端测试电路包括输入端
P1、
保险丝
F2、
继电器
K2、
连接端
P2、
连接端
P3、
电阻
R7、
输出端
P4
；所述输入端
P1
经保险丝
F2
与继电器
K2
的2引脚连接，继电器
K2
的1引脚与
5V
电源
连接，继电器
K2
的5引脚与达林顿管的集电极连接，达林顿管的发射极接地，达林顿管的基极与所属
GS
端控制板在主控芯片上相对应的
RE
引脚相连接；所述继电器
K2
的3引脚通过连接端
P2
与待测晶体管的
D
极
、G
极连接，连接端
P3
的一端与待测晶体管的
S
极连接，连接端
P3
的另一端串联电流表后与电阻
R7
的一端
、
电压表的一端连接，电阻
R7
的另一端与输出端
P4
相连接，电压表的另一端与继电器
K2
的2引脚相连接
。6.
如权利要求5所述的高压带过流保护的高精度晶体管漏电流电压测试系统，其特征在于：所述
DS
端电流数据转换电路包括通信芯片
U11
，通信芯片
U11
的
VCC
引脚...
【专利技术属性】
技术研发人员：余智翔，曾采虹，柯志坚，肖俊，
申请(专利权)人：厦门华联电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。