一种复合导电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及了一种复合导电薄膜的制备方法，其采用转印法将金属层转印到高分子基膜上，制备方法具体包括以下步骤：将粘结浆料分别涂覆在高分子基膜上表面、和/或下表面，在所述的基膜的上表面、和/或下表面形成粘结层；或者，将粘结浆料分别涂覆在转印基底的金属层表面，在转印基底的金属层表面形成粘结层；将转印基底的金属层与高分子基膜对应的上表面、和/或下表面对应贴合；热压，剥离转印基底，干燥，即完成复合导电薄膜的制备。本发明专利技术采用转印法将金属箔转移到超薄高分子基膜表面，形成高分子复合导电薄膜；对比真空蒸镀、磁控溅射以及磁控溅射加电镀的方式，本制备方法具有更简便的操作性，同时制备的导电薄膜具有更好的物理性能。物理性能。物理性能。

【技术实现步骤摘要】
一种复合导电薄膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及高分子导电材料
，特别是涉及一种复合导电薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，导电薄膜的应用愈加广泛。不同的厚度，不同导电层的材质，常用于触摸屏、显示屏、传感器、新能源等领域。对于新能源领域，燃料电池与锂离子电池领域应用较多，导电薄膜作为核心部件之一，在品质、生产效率等方面被提出了越来越高的要求和标准。
[0003]传统的导电薄膜为金属箔，其制备方式成本高、效率低，以及应用中的安全性较低，逐渐被新型复合材料所取代。
[0004]目前高分子复合导电薄膜的制备方法大体分为物理沉积和化学电镀两种。
[0005]物理沉积目前普遍用的方式为磁控溅射与蒸镀，但是这两种方法对设备的质量要求较高，工艺涉及范围较广，沉积效率低且目前尚未成熟。
[0006]化学电镀，由于高分子基膜要求的厚度较薄，工艺上成品率低于60％。
[0007]现有技术中，公开号为CN218321595U的专利公开了一种制备复合铜箔集流体的双面磁控溅射设备，通过增加一组靶和镀膜辊来达到双面镀膜的目的。但是设备造价昂贵，装置复杂，镀膜准备过程较漫长，需要达到一定的真空度，导致效率很低；同时镀膜的工艺参数较为复杂，各种功能的辊子较多，这些无疑使成本和产品的质量把控难度和复杂性大大增加。

技术实现思路

[0008]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种复合导电薄膜的制备方法，采用转印法将金属箔转移到超薄高分子基膜表面，形成高分子复合导电薄膜。对比真空蒸镀、磁控溅射以及磁控溅射加电镀的方式，本制备方法具有更简便的操作性，同时制备的导电薄膜还具有更好的物理性能。
[0009]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种复合导电薄膜的制备方法，采用转印法将金属层转印到高分子基膜上，制备方法具体包括以下步骤：
[0010]S1、准备具有所需厚度金属层的转印基底，准备高分子基膜，准备粘结浆料；
[0011]S2、将粘结浆料分别涂覆在高分子基膜上表面、和/或下表面，在所述的基膜的上表面、和/或下表面形成粘结层；或者，将粘结浆料分别涂覆在具有所需厚度金属层的转印基底的金属层表面，在转印基底的金属层表面形成粘结层；
[0012]S3、将具有所需厚度金属层的转印基底的金属层与高分子基膜对应的上表面、和/或下表面对应贴合；
[0013]S4、热压，剥离转印基底，干燥，即完成复合导电薄膜的制备。
[0014]进一步的，步骤S2中，粘结浆料涂覆在高分子基膜的方法，或者粘结浆料涂覆在具
有所需厚度金属层的转印基底的金属层表面的方法为：毛刷刷涂法、狭缝涂布法、凹版印刷法、线绕棒刮涂法、丝网印刷法、和/或超声喷涂法。
[0015]进一步的，所述高分子基膜的材质包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、氟化乙烯丙烯共聚物、聚酰亚胺、聚丙烯中的一种或两种以上任意比例的组合物。
[0016]进一步的，所述高分子基膜的厚度为1
‑
200μm。
[0017]进一步的，所述粘结浆料为聚烯烃类化合物、聚酯类化合物中的一种或两种以上的组合。
[0018]进一步的，所述转印基底为片状或卷状；步骤S4中，干燥的方法为：转印基底为片状时，使用平板加热干燥；转印基底为卷状时，使用热风循环干燥或者红外加热干燥。
[0019]进一步的，所述转印基底上的金属层的制备方式为：对转印基底表面张力进行调控，再通过真空蒸镀、磁控溅射、化学镀、和/或电镀的方式，使金属层沉积至转印基底的表面，即得到具有所需厚度金属层的转印基底。
[0020]进一步的，所述转印基底的金属层的材质为金属铜、金属铝、金属镍中的一种或两种以上的合金化合物。
[0021]进一步的，所述转印基底的厚度为0.01
‑
200μm。
[0022]进一步的，所述转印基底的金属层厚度为0.01
‑
200μm。
[0023]进一步的，步骤S4中，热压过程中，所采用的热压温度高于粘结浆料的冷凝点。
[0024]进一步的，步骤S4中，热压过程中，所采用的热压时间满足如下条件：确保热压后剥离转印基底时，金属层以及薄膜整体不发生明显的变形。
[0025]本专利技术的优点：本专利技术的一种复合导电薄膜的制备方法，采用转印法将金属箔转移到超薄高分子基膜表面，形成高分子复合导电薄膜。对比真空蒸镀、磁控溅射以及磁控溅射加电镀的方式，本制备方法制备的导电薄膜还具有更好的物理性能；制备方法简单易操作，有效提高复合导电薄膜的成品合格率。
附图说明
[0026]图1为实施例的复合导电薄膜的立体示意图；
[0027]图2为实施例的复合导电薄膜的侧视示意图；
[0028]图3为实施例的转印基底剥离状态的复合导电薄膜的示意图；
[0029]其中，1
‑
金属层，2
‑
高分子基膜，3
‑
粘结层，4
‑
转印基底。
具体实施方式
[0030]为了加深对本专利技术的理解，下面将结合附图和实施例对本专利技术做进一步详细描述，该实施例仅用于解释本专利技术，并不对本专利技术的保护范围构成限定。
[0031]实施例
[0032]本实施例提供了一种复合导电薄膜的制备方法，采用转印法将金属层转印到高分子基膜上，制备方法具体包括以下步骤：
[0033]S1、准备具有所需厚度金属层1的转印基底4，准备高分子基膜2，准备粘结浆料；
[0034]S2、将粘结浆料分别涂覆在高分子基膜上表面、和/或下表面，在所述的基膜的上
表面、和/或下表面形成粘结层3；或者，将粘结浆料分别涂覆在具有所需厚度金属层的转印基底的金属层表面，在转印基底的金属层表面形成粘结层3；
[0035]S3、将具有所需厚度金属层的转印基底的金属层与高分子基膜对应的上表面、和/或下表面对应贴合；
[0036]S4、热压，剥离转印基底4，干燥，即完成复合导电薄膜的制备。
[0037]本实施例的制备方法所制得的成品(复合导电薄膜)可如图1至图3所示。
[0038]本实施例的一种复合导电薄膜的制备方法中，步骤S2中，粘结浆料涂覆在高分子基膜的方法，或者粘结浆料涂覆在具有所需厚度金属层的转印基底的金属层表面的方法为：毛刷刷涂法、狭缝涂布法、凹版印刷法、线绕棒刮涂法、丝网印刷法、和/或超声喷涂法。
[0039]本实施例的一种复合导电薄膜的制备方法中，所述高分子基膜的材质包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、氟化乙烯丙烯共聚物、聚酰亚胺、聚丙烯中的一种或两种以上任意比例的组合物。
[0040]本实施例的一种复合导电薄膜的制备方法中，所述高分子基膜的厚度为1
‑
200μm。
[0041]本实施例的一种复合导电薄膜的制备方法中，所述粘结浆料为聚烯烃类化合物、聚酯类化合物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：采用转印法将金属箔转印到高分子基膜上，制备方法具体包括以下步骤：S1、准备具有所需厚度金属层的转印基底，准备高分子基膜，准备粘结浆料；S2、将粘结浆料分别涂覆在高分子基膜上表面、和/或下表面，在所述的基膜的上表面、和/或下表面形成粘结层；或者，将粘结浆料分别涂覆在具有所需厚度金属层的转印基底的金属层表面，在转印基底的金属层表面形成粘结层；S3、将具有所需厚度金属层的转印基底的金属层与高分子基膜对应的上表面、和/或下表面对应贴合；S4、热压，剥离转印基底，干燥，即完成复合导电薄膜的制备。2.根据权利要求1所述的一种复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中，粘结浆料涂覆在高分子基膜的方法，或者粘结浆料涂覆在具有所需厚度金属层的转印基底的金属层表面的方法为：毛刷刷涂法、狭缝涂布法、凹版印刷法、线绕棒刮涂法、丝网印刷法、和/或超声喷涂法。3.根据权利要求2所述的一种复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述高分子基膜的材质包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、氟化乙烯丙烯共聚物、聚酰亚胺、聚丙烯中的一种或两种以上任意比例的组合物。4.根据权利要求1
‑
3中任意一项所述的一种复合导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述高分子基膜的厚度为1
‑
200μm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志康，伽龙，吴明忠，马骥，
申请(专利权)人：浙江柔震科技有限公司，
类型：发明
国别省市：