半导体结构的制造方法技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供基底，所述基底的正面包括第一区和第二区，所述第一区的高度大于所述第二区的高度；进行沉积处理，以在所述基底的正面形成膜层；在所述沉积处理中，所述第一区的温度小于所述第二区的温度；在所述膜层上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行光刻处理；所述光刻处理后，以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述膜层

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构的制造方法
。

技术介绍

[0002]膜层沉积是半导体结构制造过程中必不可少的环节，其原理为：含有膜层元素的一种或几种气相化合物或单质在基底表面上进行化学反应，从而生成膜层
。
[0003]后续可在膜层上形成光刻胶层，并对光刻胶层进行光刻处理，从而可以获得图案化的光刻胶层
。
以光刻胶层为掩膜刻蚀膜层，可以将光刻胶层的图案转移至膜层
。
[0004]然而，光刻胶层和膜层的图案精度有待提升
。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法，至少有利于提高光刻胶层和膜层的图案精度
。
[0006]根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制造方法，其中，半导体结构的制造方法包括：提供基底，所述基底的正面包括第一区和第二区，所述第一区的高度大于所述第二区的高度；进行沉积处理，以在所述基底的正面形成膜层；在所述沉积处理中，所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底的正面包括第一区和第二区，所述第一区的高度大于所述第二区的高度；进行沉积处理，以在所述基底的正面形成膜层；在所述沉积处理中，所述第一区的温度小于所述第二区的温度；在所述膜层上形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行光刻处理；所述光刻处理后，以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述膜层
。2.
根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一区为所述基底的边缘，所述第二区为所述基底的中心，所述第一区环绕所述第二区设置；在所述沉积处理中，通过调节温控装置自身的温度，以控制向所述基底传递的热量；所述温控装置与所述基底的边缘相对设置；所述沉积处理包括降温阶段，所述基底在所述降温阶段的温度降低
。3.
根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述沉积处理的腔室包括在高度方向排列的多个沉积区域，每一所述沉积区域可容纳在高度方向排列的多个所述基底；所述沉积处理的反应气体从腔室的底部进入所述腔室；所述温控装置包括多个温控单元，所述温控单元与所述沉积区域一一对应设置；在所述降温阶段，且在所述腔室的底部指向顶部的方向上，所述温控单元的降温速率依次增大
。4.
根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述沉积区域包括底部区域和顶部区域，所述底部区域对应的所述温控单元的降温速率小于
0.5℃/min
；所述顶部区域对应的温控单元的降温速率为
0.5℃/min
‑
2.2℃/min。5.
根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述温控单元包括多层加热线圈；在所述降温阶段，同一所述沉积区域对应的多层所述加热线圈的降温速率相同
。6.
根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述温控单元包括多层加热线圈；在所述降温阶段，且在所述腔室的底部指向顶部的方向上，同一所述沉积区域对应的多层加热线圈的降温速率依次增大
。7.
根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述沉积处理还包括：恒温阶段，所述基底在所述恒温阶段的温度保持不变
。8.
根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一区为所述基底的中心，所述第二区为所述基底的边缘，所述第二区环绕所述第一区设置；在所述沉积处理中，通过调节温控装置自身的温度，以控制向所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁孟雅，王晓玲，郭军，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：