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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供基底，所述基底的正面包括第一区和第二区，所述第一区的高度大于所述第二区的高度；进行沉积处理，以在所述基底的正面形成膜层；在所述沉积处理中，所述第一区的温...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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