一种改善制造技术

本发明专利技术公开了一种改善

【技术实现步骤摘要】
一种改善GaAs衬底表面性能的湿法清洗钝化方法


[0001]本专利技术属于
GaAs
衬底表面处理
，具体涉及一种改善
GaAs
衬底表面性能的湿法清洗钝化方法
。

技术介绍

[0002]GaAs
是一种典型的
Ⅲ‑
V
族半导体材料，具有禁带宽度大
、
电子迁移率高和稳定性高等优点，成为继
Si
后一种极具应用潜力的半导体材料，在发光二极管
、
激光器
、
太阳能电池
、
高频电路
、
光电探测器等领域具有重要的应用价值
。
但
GaAs
材料本体缺乏高质量的稳定本征钝化层，其自然氧化层氧化镓
、
氧化砷导致
GaAs
具有极高的表面态密度，引起费米能级钉扎效应，最终影响
GaAs
基半导体器件的性能
。
降低太阳能电池中的表面态密度可减低光生载流子损失，提高电池的光电转化效率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种改善
GaAs
衬底表面性能的湿法清洗钝化方法，包括：采用过氧浓硫酸溶液
、
过氧浓盐酸溶液对
GaAs
衬底表面的缺陷进行去除，然后采用十八硫醇无水乙醇溶液对表面进行钝化保护，控制上述溶液的配制浓度及对
GaAs
衬底处理顺序和时间，调控
GaAs
衬底表面刻蚀与钝化，达到
GaAs
衬底表面缺陷去除和保护层生长的目的
。2.
根据权利要求1所述的一种改善
GaAs
衬底表面性能的湿法清洗钝化方法，其特征是：所述的
GaAs
衬底表面缺陷包含氧化砷
、
氧化镓
、
表面有机污染物
、
凹坑及吸附污染的一种或多种
。3.
根据权利要求1所述的一种改善
GaAs
衬底表面性能的湿法清洗钝化方法，其特征是：所述过氧浓硫酸溶液为
18.4mol/L%
的浓硫酸
、9.79mol/L%
的过氧化氢和
16.5
‑
18.2
兆欧去离子水的混合液，
GaAs
衬底抛光面朝上放置于聚四氟乙烯花篮中，然后放置于过氧浓硫酸溶液中匀速晃动清洗
85
‑
95s。4.
根据权利要求1所述的一种改善
GaAs
衬底表面性能的湿法清洗钝化方法，其特征是：所述过氧浓硫酸溶液中过氧化氢的使用量为浓硫酸的
400v/v%
，
16.5
‑
18.2
兆欧去离子水的使用量为浓硫酸的
1500v/v%。5.
根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰云萍，韩佳媛，张亚磊，张洪榕，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：